![]() 浙江省微波毫米波射頻產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 簡介 衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)是基于衛(wèi)星通信的互聯(lián)網(wǎng)技術(shù),通過在低軌道部署一定數(shù)量的衛(wèi)星形成規(guī)模組網(wǎng),為一定區(qū)域范圍內(nèi)提供寬帶互聯(lián)網(wǎng)接入等通信服務(wù)。低軌衛(wèi)星由于軌道低,具備傳輸延時小、鏈路損耗低、發(fā)射靈活、應(yīng)用場景豐富、制造成本低等優(yōu)點,且可通過增加衛(wèi)星數(shù)量提高系統(tǒng)容量,因而非常適合應(yīng)用于衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)。 相控陣天線具有體積小、質(zhì)量輕、損耗少等特點,且可以同時滿足多點波束、敏捷波束、波束重構(gòu)和寬角掃描等需求,其靈活的波束指向特性可以避免傳統(tǒng)的衛(wèi)星拋物面天線轉(zhuǎn)動給衛(wèi)星姿態(tài)控制系統(tǒng)帶來的干擾,這一系列優(yōu)勢使得相控陣天線成為衛(wèi)星天線技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。目前,世界主要國家都在大力發(fā)展相控陣天線技術(shù),并已應(yīng)用于衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)星座,如SpaceX的Starlink衛(wèi)星。 浙江省微波毫米波射頻產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟旗下的浙江鋮昌科技股份有限公司針對星載衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)相控陣天線應(yīng)用開發(fā)了射頻前端套片產(chǎn)品,包括K波段高線性功率放大器(芯片型號G1720)、Ka波段高性能低噪聲放大器(芯片型號G2809)、K/Ka波段多波束模擬波束賦形芯片(K波段芯片型號S4709/Ka波段芯片型號S4813)。其中,K波段高線性功率放大器飽和輸出功率大于23dBm,功率附加效率大于45%,三階交調(diào)IMD3達到22dBc的線性輸出功率大于19dBm,線性效率大于30%。Ka波段高性能低噪聲放大器帶內(nèi)增益大于30dB,噪聲系數(shù)小于1.8dB,功耗低于50mW。K/Ka波段多波束模擬賦形芯片采用四入四出架構(gòu),包含十六個移相衰減通道,可以同時支持四個波束,芯片尺寸小于6.5mm 5.5mm,單通道功耗分別低于15mW(發(fā)射)和17mW(接收)。 該套片為目前國內(nèi)性能指標最高的衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)低軌通信相控陣芯片產(chǎn)品,且國內(nèi)主流科研院所和企業(yè)均采用該套片研制了衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)相控陣天線載荷,目前已累計出貨數(shù)萬通道。本公司致力于從元器件層面助力我國衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)事業(yè)的快速、高效發(fā)展,為相關(guān)企事業(yè)單位提供先進、完整的套片解決方案。 ![]() 圖1 K/Ka波段多波束模擬波束賦形芯片 ? ? ![]() 收發(fā)套片架構(gòu) ![]() 圖2 K波段發(fā)射套片框圖 K波段發(fā)射套片和Ka波段接收套片的架構(gòu)框圖分別如圖2和圖3所示。其中發(fā)射模擬波束賦形芯片每個通道集成了6位移相器(步進5.625°)和4位衰減器(0.5dB/1dB/2dB/4dB),接收模擬波束賦形芯片每個通道集成了6位移相器(步進5.625°)和6位衰減器(0.5dB/1dB/2dB/4dB/8dB/8dB)。 ![]() 圖3 Ka波段接收套片框圖 套片電源品種見下表,除功放芯片采用+5V和-5V供電外,其余芯片均采用+3.3V單電源供電,并且在發(fā)射和接收波束賦形芯片內(nèi)部還分別集成了四路+3.3V功放芯片調(diào)制信號輸出和四路低噪放電源輸出,方便組件進行供電設(shè)計。 ![]() ? ? ![]() 波束賦形芯片控制協(xié)議 模擬波束賦形芯片所使用控制協(xié)議采用一級緩存結(jié)構(gòu),并根據(jù)不同應(yīng)用場合的需求,可將串行數(shù)據(jù)配置在 16×13(reg_shift1,Mode=0) 16×19(reg_shift2,Mode=1) 兩種模式下,芯片上電后默認工作在Mode=0的狀態(tài)。 1. 對于reg_shift1(Mode=0),每個通道輸入13位串行數(shù)據(jù),其中包含6位移相控制位、6位衰減控制位、1位通道使能控制位。DOUT為串行數(shù)據(jù)輸出端口,將DATA端輸入的數(shù)據(jù)依次串行輸出; 2. 對于reg_shift2(Mode=1),每個通道輸入19位串行數(shù)據(jù),其中包含12位移相控制位、6位衰減控制位、1位通道使能控制位。DOUT為串行數(shù)據(jù)輸出端口,將DATA端輸入的數(shù)據(jù)依次串行輸出; 數(shù)字邏輯電路原理圖如圖4所示。 ![]() 圖4 數(shù)字邏輯電路原理圖 邏輯接口定義見下表。 ![]() ? ![]() 串行接口時序 串行接口時序如圖5所示。 ![]() 圖5 串行接口時序圖 DATA為串行數(shù)據(jù)輸入,數(shù)據(jù)在CLK下降沿時輸入移位,DOUT為移位寄存器串行輸出端。SEL為片選信號,默認為低電平,串行輸入數(shù)據(jù)有效,高電平時不接收輸入信號。 DARY信號為二級數(shù)據(jù)鎖存信號,上升沿進行鎖存。 ![]() 套片性能指標 高線性功率放大器G1720性能指標匯總見下表: ![]() ![]() 高線性功率放大器G1720典型測試曲線 飽和輸出功率 飽和附加效率 ![]() Pout vs. Pin @ 19GHz IMD3 vs. Pout @ 19GHz ![]() ? ![]() 低噪聲放大器G2809的典型測試曲線 駐波 增益 ![]() 噪聲系數(shù) P1dB輸出功率 ![]() ? ![]() 多波束模擬波束賦形芯片 S4709、S4813的典型測試曲線 S4709增益 S4709移相誤差RMS ![]() S4709衰減誤差RMS S4813增益 ![]() S4813移相誤差RMS S4813衰減誤差RMS ![]() ? |
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