ESD在芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中是一項(xiàng)很重要的指標(biāo)，通常暴露在外面的接口更要注意靜電防護(hù)。目前的ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有很多種，可以分為芯片級(jí)和系統(tǒng)級(jí)。

芯片級(jí)測(cè)試

芯片測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有很多種，測(cè)試模式可以分為下面幾種。

(1)人體模型Human Body Model(HBM)

人體模型是模擬人身上帶靜電，遵循的標(biāo)準(zhǔn)有:

• MIL-STD-833C Method 3015.7
• EIA/JESD22-A114-A (JEDEC, 1997)
• EIA/JESD22-A114-A (JEDEC, 1997)

下面是測(cè)試電路模型：

電路曲線如下：

（2）機(jī)器模型Machine Model (MM)

機(jī)器模型是模擬實(shí)際的工業(yè)生產(chǎn)中，機(jī)器手上帶電對(duì)芯片造成的影響，遵循的標(biāo)準(zhǔn)有:

• EIAJ-IC-121 Method 20
• EIA/JESD22-A115-A (JEDEC, 1997)
• ESD STM 5.2 (EOS/ESD, 1999)

下面是測(cè)試電路模型：

電路曲線如下：

（3）芯片放電模型Charged Device Model (CDM)

很前面2個(gè)模型不同，CDM模型是設(shè)備帶電，然后放電。遵循的標(biāo)準(zhǔn)有：

• JESD22-C101 (JEDEC, 1997)
• ESD STM 5.3 (EOS/ESD, 1999)

下面是測(cè)試電路模型：

系統(tǒng)級(jí)測(cè)試

IEC/EN 61000-4-2

系統(tǒng)級(jí)測(cè)試ESD槍模型：

ESD槍頭也分為接觸式和空氣式2種。

ESD測(cè)試方法

(1)ESD加在I/O口和VDD/VSS之間：

(2)加在pin和pin之間:

(3)加在VDD和VSS之間:

(4)在多個(gè)VSS和VDD之間:

ESD規(guī)格

（1）芯片級(jí)：

（2）系統(tǒng)級(jí)：