隨著閘極越做越小，制程線寬不斷升級，由10年前的90nm，65nm一直升級到現(xiàn)在的14/16nm，10nm甚至7nm，摩爾定律都在有條不紊著指揮半導(dǎo)體行業(yè)前進(jìn)的路線。但是隨著源極和汲極之間的距離越來越短，半導(dǎo)體工藝的極限逐漸顯露出來。大多數(shù)人都發(fā)現(xiàn)了，升級到10nm和7nm所遇到的困難不是捂?zhèn)€被子睡個(gè)覺醒來就能解決的，因?yàn)槌思夹g(shù)原因還有諸多逐漸浮現(xiàn)出來的不可控因素。

在使用EUV后，線寬的微縮，制程的升級對于缺陷和微粒污染的容忍度將大幅度降低。制造工具是決定圓晶良品率的關(guān)鍵，工具在沉積，蝕刻或清潔過程中有可能受到微粒物污染，這些顆粒物會(huì)從上一個(gè)生產(chǎn)步驟流入到下一個(gè)生產(chǎn)步驟，工藝不一致使得圓晶的特征形狀，覆蓋層和CD（特征尺寸）有偏差，從而導(dǎo)致大范圍缺陷。給定類型的工藝工具可能彼此不匹配，繼而在通過不同工藝工具生產(chǎn)的圓晶之間產(chǎn)生差異，所有這些問題都會(huì)影響產(chǎn)量。

上述的制造過程所造成的差異會(huì)成為一個(gè)很麻煩的問題，如何理解這個(gè)困境？比如有兩臺(tái)打字機(jī)，型號價(jià)格外觀都一樣，但因裝配環(huán)境，零件精度等因素會(huì)導(dǎo)致手感有細(xì)微差別，因此即使是相同型號的EUV光刻機(jī)，有了正確的配置文件，強(qiáng)度恰好的光源，一致的稀有氣體純度，也需要做一些后期工作保證生產(chǎn)結(jié)果相同。換到10、7nm工藝制程的半導(dǎo)體產(chǎn)品上，只要在生產(chǎn)時(shí)有個(gè)1、2nm的差錯(cuò)，都有可能造成不可估量的損失。

制程的每一次升級，制造難度都是呈指數(shù)級上升，現(xiàn)在我們聽到的工藝名詞最多也只能去到3nm，這是因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)上EUV光刻的隨機(jī)性將增大，很難控制好EUV線寬邊緣粗糙度（LER），影響CD和EPE。同時(shí)摩爾定律也會(huì)在這個(gè)節(jié)點(diǎn)附近失效，接下來就是1nm以下的次納米新技術(shù)和新材料的天下。