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MCU的測(cè)試方法

 lixinhecom 2017-04-10
MCU從生產(chǎn)出來到封裝出貨的每個(gè)不同的階段會(huì)有不同的測(cè)試方法,其中主要會(huì)有兩種:中測(cè)和成測(cè)。

所謂中測(cè)即是WAFER的測(cè)試,它會(huì)包含產(chǎn)品的功能驗(yàn)證及AC、DC的測(cè)試。項(xiàng)目相當(dāng)繁多,以HOLTEK產(chǎn)品為例最主要的幾項(xiàng)如下:

 接續(xù)性測(cè)試:檢測(cè)每一根I/OPIN內(nèi)接的保護(hù)用二極管是否功能無誤。
 功能測(cè)試:以產(chǎn)品設(shè)計(jì)者所提供測(cè)試資料(TEST PATTERN)灌入IC,檢查其結(jié)果是否與當(dāng)時(shí)SIMULATION時(shí)狀態(tài)一樣。
 STANDBY電流測(cè)試:測(cè)量IC處于HALT模式時(shí)即每一個(gè)接點(diǎn)(PAD)在1態(tài)0態(tài)或Z態(tài)保持不變時(shí)的漏電流是否符合最低之規(guī)格。
 耗電測(cè)試:整顆IC的靜態(tài)耗電與動(dòng)態(tài)耗電。
 輸入電壓測(cè)試:測(cè)量每個(gè)輸入接腳的輸入電壓反應(yīng)特性。
 輸出電壓測(cè)試:測(cè)量每個(gè)輸出接腳的輸出電壓位準(zhǔn)。
 相關(guān)頻率特性(AC)測(cè)試,也是通過外灌一定頻率,從I/O口來看輸出是否與之匹配。
 為了保證IC生產(chǎn)的長期且穩(wěn)定品質(zhì),還會(huì)做產(chǎn)品的可靠性測(cè)試,這些測(cè)試包括ESD測(cè)試,LATCH UP測(cè)試,溫度循環(huán)測(cè)試,高溫貯存測(cè)試,濕度貯存測(cè)試等。

成測(cè)則是產(chǎn)品封裝好后的測(cè)試,即PACKAGE測(cè)試。即是所有通過中測(cè)的產(chǎn)品封裝后的測(cè)試,方法主要是機(jī)臺(tái)自動(dòng)測(cè)試,但測(cè)試項(xiàng)目仍與WAFER TEST相同。PACKAGE TEST的目的是在確定IC在封裝過程中是否有任何損壞。

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