內(nèi)存條的類(lèi)型,內(nèi)存條的區(qū)別,ddr、ddr2、ddr3的區(qū)別
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內(nèi)存條的發(fā)展史:

ddr內(nèi)存條的類(lèi)型:
SDRAM, DDR SDRAM,DDR2 SDRAM內(nèi)存的區(qū)別及其注釋
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,同步是指Memory工作需要步時(shí)鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ),而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.
第一代與第二代SDRAM均采用單端(Single-Ended)時(shí)鐘信號(hào),第三代與第四代由于工作頻率比較快,所以采用可降低干擾的差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘。
SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的頻率,第一代內(nèi)存用時(shí)鐘頻率命名,如pc100,pc133則表明時(shí)鐘信號(hào)為100或133MHz,數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率也為100或133MHz。
之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率作為命名標(biāo)準(zhǔn),并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號(hào),PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作頻率是333/2=166MHz,2700表示帶寬為2.7G。
DDR的讀寫(xiě)頻率從DDR200到DDR400,DDR2從DDR2-400到DDR2-800,DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。
很多人將SDRAM錯(cuò)誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM,并且作為名詞解釋?zhuān)詫僬`導(dǎo)。
SDR不等于SDRAM。
Pin:模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳,而模組的pin就是常說(shuō)的“金手指”。
SIMM:Sigle In-line Memory Module,單列內(nèi)存模組。內(nèi)存模組就是我們常說(shuō)的內(nèi)存條,所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳(雖然兩側(cè)都有金手指)。
DIMM:Double In-line Memory Module,雙列內(nèi)存模組。是我們常見(jiàn)的模組類(lèi)型,所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳,模組電路板兩側(cè)的金手指對(duì)應(yīng)一列引腳。
RDIMM:registered DIMM,帶寄存器的雙線內(nèi)存模塊
SO-DIMM:筆記本常用的內(nèi)存模組。
工作電壓:
SDR:3.3V
DDR:2.5V
DDR2:1.8V
DDR3:1.5V

標(biāo)準(zhǔn)的DDR SDRAM分為DDR 200,DDR 266,DDR 333以及DDR 400,
其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別100MHz,133MHz,166MHz和200MHz,
對(duì)應(yīng)的內(nèi)存?zhèn)鬏攷挿謩e為1.6GB/sec,2.12GB/sec,2.66GB/sec和3.2GB/sec,
非標(biāo)準(zhǔn)的還有DDR 433,DDR 500等等。
初學(xué)者常被DDR 266,PC 2100等字眼搞混淆,在這里要說(shuō)明一下,
DDR 266與PC 2100其實(shí)就是一回事,只是表述方法不同罷了。
DDR 266是指的該內(nèi)存的工作頻率(實(shí)際工作頻率為133MHz,等效于266MHz 的SDRAM),
而PC 2100則是指其內(nèi)存?zhèn)鬏攷挘?100MB/sec)。
同理,PC 1600就是DDR 200,PC 2700就是DDR 333,PC 3200就是DDR 400。
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展:DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等,但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍,也就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次數(shù)據(jù)。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位預(yù)取)”機(jī)制,核心頻率僅為時(shí)鐘頻率的一半、時(shí)鐘頻率再為數(shù)據(jù)頻率的一半,這樣即使核心頻率還在200MHz,DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)頻率也能達(dá)到800MHz—也就是所謂的DDR2 800。
目前,已有的標(biāo)準(zhǔn)DDR2內(nèi)存分為DDR2 400和DDR2 533,今后還會(huì)有DDR2 667和DDR2 800,其核心頻率分別為100MHz、133MHz、166MHz和200MHz,其總線頻率(時(shí)鐘頻率)分別為200MHz、266MHz、333MHz和400MHz,等效的數(shù)據(jù)傳輸頻率分別為400MHz、533MHz、667MHz和800MHz,其對(duì)應(yīng)的內(nèi)存?zhèn)鬏攷挿謩e為3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec,按照其內(nèi)存?zhèn)鬏攷挿謩e標(biāo)注為PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400





