在互聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的今天，無(wú)論是辦公還是學(xué)習(xí)娛樂(lè)，電腦都起著極為重要的作用。但是在我們使用電腦的過(guò)程中，尤其是在游戲或者工作的關(guān)鍵時(shí)刻，一旦遇到電腦卡頓或者反應(yīng)慢，內(nèi)心無(wú)疑是崩潰的。

這個(gè)時(shí)候很多電腦小白會(huì)通過(guò)關(guān)機(jī)重啟的方式來(lái)結(jié)束這場(chǎng)糟糕的體驗(yàn)，但是強(qiáng)制關(guān)機(jī)不僅對(duì)電腦傷害極大，對(duì)我們的一些未及時(shí)保存的數(shù)據(jù)也是災(zāi)難性的。

想要杜絕這種情況以后繼續(xù)發(fā)生，是時(shí)候得采取一些有效措施了。絕大部分人通過(guò)加裝內(nèi)存條來(lái)給電腦提速，很多電腦小白不禁要發(fā)問(wèn)了，加個(gè)內(nèi)存條真的有用嗎？下面我們就一起來(lái)具體了解下有關(guān)內(nèi)存條的知識(shí)。

【內(nèi)存是什么？】

內(nèi)存條是電腦內(nèi)部非常重要的硬件之一，它主要是負(fù)責(zé)硬盤(pán)、主板、顯卡等硬件與處理器之間數(shù)據(jù)的交換處理，所有的電腦數(shù)據(jù)傳輸?shù)教幚砥鞫际且?jīng)過(guò)內(nèi)存這個(gè)環(huán)節(jié)。所以，當(dāng)內(nèi)存的性能不夠優(yōu)秀時(shí)，就會(huì)影響數(shù)據(jù)的讀取效果，也就是我們?cè)诖蜷_(kāi)網(wǎng)頁(yè)時(shí)出現(xiàn)的一系列卡頓問(wèn)題。

【內(nèi)存條的發(fā)展史】

在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒(méi)有被世人所重視，這個(gè)時(shí)候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對(duì)于當(dāng)時(shí)PC所運(yùn)行的工作程序來(lái)說(shuō)，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿(mǎn)足當(dāng)時(shí)軟件程序的處理需要。不過(guò)隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺(tái)的出現(xiàn)，程序和硬件對(duì)內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴(kuò)大容量，內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。

在80286主板剛推出的時(shí)候，內(nèi)存條采用了了SIMM（單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，但是后來(lái)隨著PC產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，內(nèi)存條由30pin到72pin一路高歌猛進(jìn)終于在1991年—1995 年中，內(nèi)存條的發(fā)展開(kāi)始放緩。

自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無(wú)法滿(mǎn)足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿(mǎn)足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時(shí)內(nèi)存開(kāi)始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。但是在CPU主頻在不斷提升的情況下，SDRAM也很快退出了歷史舞臺(tái)，DDR內(nèi)存登場(chǎng)。如今，DDR內(nèi)存也已經(jīng)經(jīng)過(guò)了四代的發(fā)展，性能大幅提升，更高的讀取效率和穩(wěn)定性成了內(nèi)存新的使命。

【DDR內(nèi)存應(yīng)該怎么挑？】

1，了解基礎(chǔ)參數(shù)

在內(nèi)存的基礎(chǔ)參數(shù)里面，內(nèi)存容量、頻率及電壓最為關(guān)鍵，優(yōu)秀的基礎(chǔ)參數(shù)，對(duì)于電腦性能的提升有著極為重要的幫助。下面我們就分別來(lái)了解下，它們各自都能發(fā)揮什么作用。

▲內(nèi)存容量

內(nèi)存容量即內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量越大，可用于暫放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)也就越多，系統(tǒng)也就運(yùn)行的越穩(wěn)定和流暢。

內(nèi)存容量以MB作為單位，可以簡(jiǎn)寫(xiě)為M，早期的內(nèi)存容量普遍都是128MB、256MB、512MB等，但是隨著我們對(duì)硬件的計(jì)算能力要求更高，內(nèi)存容量也越來(lái)越大，現(xiàn)在常用GB作為單位，1024M=1G。如今的電腦主流采用的內(nèi)存容量主要有2G、4G、8G三種。

我們?cè)谔暨x內(nèi)存條的容量時(shí)，首先需要了解自己電腦系統(tǒng)配置和卡槽情況，合理的選擇容量大小?，F(xiàn)在最低都是4G，組雙通道8G是主流。如果你的電腦配置不是很高，平時(shí)主要是看些視頻，一般4G單根就夠用了。經(jīng)常玩一些大型游戲的話(huà)，還是選擇8G的容量吧。

▲內(nèi)存頻率

內(nèi)存頻率和cpu主頻一樣，都是代表著硬件所能達(dá)到的最高工作頻率，以MHz（兆赫）為單位。這個(gè)數(shù)值通常被用來(lái)表述內(nèi)存的速度。

因此，內(nèi)存頻率越高，一定程度上表明內(nèi)存運(yùn)行速度越快，電腦處理數(shù)據(jù)的能力也就越高。

正常使用的話(huà)，2000MHz以上的內(nèi)存頻率基本夠用。但是需要注意加裝多條不同頻率的內(nèi)存條時(shí)，高頻率會(huì)被低頻率的內(nèi)存條拉低。比如一臺(tái)電腦上同時(shí)插有800MHZ和1066MHZ的兩條內(nèi)存條，那么電腦只會(huì)以較低的頻率運(yùn)行，就是會(huì)保持800MHZ的速度，性能上有些折損。因此，盡量選擇與原先同頻率的內(nèi)存條，或者同時(shí)更換高頻的。

▲內(nèi)存電壓

內(nèi)存電壓，即內(nèi)存的工作電壓，通常1.5V為內(nèi)存電壓的標(biāo)準(zhǔn)電壓。1.5V以下的，比如1.35V、1.2V為低電壓。低電壓內(nèi)存更具優(yōu)勢(shì)，主要是功耗小、發(fā)熱量也低，但是性能卻與標(biāo)準(zhǔn)電壓版內(nèi)存一樣，內(nèi)存頻率也不會(huì)降低。

因此，如果你原本的內(nèi)存就是低壓的內(nèi)存，建議大家在加裝內(nèi)存條時(shí)，仍可以選擇低電壓內(nèi)存，組成雙通道，可以使功耗，發(fā)熱更低。對(duì)于本身是標(biāo)壓的內(nèi)存，即使可以兼容標(biāo)壓和低壓的內(nèi)存，但是為了減少使用的風(fēng)險(xiǎn)，還是建議使用相同電壓的內(nèi)存會(huì)比較合適。

2，關(guān)注內(nèi)存版本

但是隨著硬件需求的不斷提高，DDR內(nèi)存也歷經(jīng)了四代的發(fā)展，主要的標(biāo)記符號(hào)是DDR+數(shù)字，每代的版本性能各不相同，下面我們就來(lái)仔細(xì)地了解下各代DDR內(nèi)存的具體情況。

▲DDR

第一代的DDR內(nèi)存可以說(shuō)是SDRAM的升級(jí)版本，在數(shù)據(jù)傳輸上，可以做到同時(shí)在一個(gè)周期內(nèi)進(jìn)行兩次的數(shù)據(jù)傳輸，大大提高了當(dāng)時(shí)電腦數(shù)據(jù)傳輸?shù)男阅?。由于這種雙倍的特性，在標(biāo)記DDR內(nèi)存的頻率時(shí)也是采用雙倍的方式，比如原本100MHz的頻率在標(biāo)記頻率時(shí)就成了200MHz。

同時(shí)第一代的DDR內(nèi)存有184個(gè)針腳，工作電壓為2.5V，數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力為2bit，大多采用了下降緣信號(hào)，因此比起SDR內(nèi)存，速率增加的同時(shí)不會(huì)造成能耗增加。

▲DDR2

DDR2采用了在時(shí)鐘的上升、下降同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑啾菵DR擁有兩倍預(yù)讀取能力，即4bit。在基礎(chǔ)頻率上，相較第一代整體提升了2倍，頻率有400 、566、 667 、800 、1066MHz幾種。具備240個(gè)針腳，工作電壓為1.8V。

另外，DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性。

▲DDR3

DDR3內(nèi)存為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力進(jìn)一步提升至8 bits為一組。由于最快的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz、1066Mhz的水平，因而DDR3的內(nèi)存模組一經(jīng)發(fā)布就是直接從800Mhz開(kāi)始起跳。

主要頻率有1066 、1333、 1600、 1800 、1866 、2000 、2133 、2200 、2400MHz等。相當(dāng)于整體的基礎(chǔ)頻率提升了一個(gè)檔次水平，可見(jiàn)其性能強(qiáng)悍。此外，DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在1.5V，較DDR2的1.8V更為省電。DDR3也新增ASR（AutomaTIc Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等兩種功能，讓內(nèi)存在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)內(nèi)存顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

▲DDR4

DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank Group具備獨(dú)立啟動(dòng)操作讀、寫(xiě)等動(dòng)作特性，我們可以理解為DDR4 在同一頻率工作周期內(nèi)，至多可以處理4 筆數(shù)據(jù)，效率明顯好過(guò)于DDR3。

另外，在供電電壓上，DDR4進(jìn)一步降低至1.2V，搭配更高的帶寬，讓DDR4的傳輸速率可達(dá)2133～3600 MT/s。而且，在DBI、CRC、CA parity等功能的作用下，DDR4內(nèi)存明顯增強(qiáng)了信號(hào)的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。

綜合而言，我們?cè)诮榻B了每代DDR內(nèi)存后，大家可以明顯感覺(jué)到一個(gè)特點(diǎn)：一代比一代強(qiáng)。無(wú)論是主頻率還是數(shù)據(jù)讀取能力都是在逐漸上臺(tái)階，同時(shí)功耗逐漸下降。但是由于不同版本的內(nèi)存價(jià)格也相差較大，大家可以根據(jù)自己對(duì)性能的要求，選擇適合自己的即可。建議首選三代或四代的產(chǎn)品，這樣電腦性能也能發(fā)揮的更出色。

看內(nèi)存顆粒

內(nèi)存顆粒是內(nèi)存條重要的組成部分，它的品質(zhì)好壞對(duì)內(nèi)存模組質(zhì)量的影響幾乎是舉足輕重的。好的內(nèi)存顆粒將直接關(guān)系到內(nèi)存容量的大小和內(nèi)存體制的好壞。所以，我們?cè)谔魞?nèi)存時(shí)，如果其他參數(shù)都滿(mǎn)足的情況下，不具備優(yōu)良的顆粒這個(gè)條件，也是無(wú)法發(fā)揮參數(shù)上標(biāo)注的全部性能的。

我們?cè)趨^(qū)分優(yōu)秀的內(nèi)存顆粒時(shí)，主要是通過(guò)品牌來(lái)區(qū)分的。優(yōu)秀的內(nèi)存顆粒，是需要在嚴(yán)苛的條件(恒溫、恒濕，不得斷水、斷電)下，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)數(shù)個(gè)月的物理、化學(xué)、光電反應(yīng)后，一塊合格的晶圓硅片才得以順利誕生。

然后在復(fù)雜、精密的高分子切割過(guò)程中，只有少部分效能質(zhì)量最好的中間精華部分被保留下來(lái)，然后對(duì)這些精華進(jìn)行封裝。封裝結(jié)束后，需要?dú)v經(jīng)最后一道嚴(yán)格的測(cè)試環(huán)節(jié)，以此來(lái)保證顆粒的兼容性(顆粒兼容性決定了內(nèi)存的兼容性)和耐用性(顆粒耐用性決定了內(nèi)存的超頻能力和使用壽命)。

所以，如此精密的工藝制造過(guò)程，不容許出現(xiàn)一點(diǎn)差池，只有有實(shí)力的大牌廠(chǎng)商才能做得到。目前在內(nèi)存市場(chǎng)，份額比較大的是三星、鎂光和海力士，相對(duì)的顆粒穩(wěn)定性也比較高。我們?cè)谶x購(gòu)時(shí)，需要認(rèn)準(zhǔn)這些知名的閃存顆粒品牌即可。

需要注意的是，不同廠(chǎng)商的內(nèi)存顆粒，都有自己的標(biāo)志，我們看內(nèi)存顆粒時(shí)，一定要仔細(xì)觀察顆粒上原廠(chǎng)標(biāo)志是否清晰、是否有磨過(guò)的痕跡來(lái)辨別真?zhèn)巍?br>