電流傳感器技術詳解。要測量的信號稱為“初級電流”，而輸出信號稱為“次級電流或電壓”。由于存在不同的測量技術，并且初級電流可能因波形、脈沖類型、隔離和電流強度而異，因此市場提供了多種電流傳感器。當電流通過分流器時，產(chǎn)生的電壓與該電流成正比。因此，不僅需要在直流中進行電流測量，還需要在交流中進行電流測量，因此需要使用更有效的方法，以便在不同的頻率和電流范圍內(nèi)做出更好的估計，從而獲得更高的結果準確性。

MOS管驅(qū)動電路設計，如何讓MOS管快速開啟和關閉？關于MOS管驅(qū)動電路設計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關閉。一般認為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。下圖的3個電容為MOS管的結電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關速度越快越好。綜上，MOS管驅(qū)動電路參考：MOS管驅(qū)動電路的布線設計：MOS管驅(qū)動線路的環(huán)路面積要盡可能小，否則可能會引入外來的電磁干擾。

汽車48V系統(tǒng)全解析。12V電壓系統(tǒng)在引入啟停機構之后，基本已經(jīng)達到了功率輸出極限，如果在12V電壓下引入輕混系統(tǒng)，功率需求在10kW~15kW左右，這樣的電壓下電池的輸出電流高達1000A，顯然行不通。48V輕混系統(tǒng)相比高壓混動系統(tǒng)而言，成本更低，卻可以達到高壓混動系統(tǒng)（電池電壓>100V）大部分節(jié)能效果，按照德爾福的測算，48V輕混系統(tǒng)是高壓輕混系統(tǒng)成本的30%，能達到高壓輕混系統(tǒng)70%的節(jié)能效果。5 雙電壓系統(tǒng)CAN總線通訊。

一、輸入失調(diào)電壓輸入失調(diào)電壓定義：在室溫25℃及標準電源電壓下，輸入電壓為0時，為使輸出電壓為0，在輸入端加的補償電壓叫做失調(diào)電壓。三、失調(diào)電壓補償因為運放的不對稱性，在輸入端電壓都為0時，運放輸出還有微小的電壓，在很多精密運放中，為了使輸入端電壓相等時，輸出電壓為0，通過調(diào)整輸入端加一個微小的電壓，使運放輸出端電壓為0，這個微小的電壓叫做失調(diào)電壓補償。運放正電壓為5V，負電壓為-5V。

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別。SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds更低（對于IGBT來說是集電極電流、集電極-發(fā)射極間電壓）。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。

什么是拉電流 、灌電流、吸收電流 ?灌入電流和吸收電流都是輸入的，灌入電流是被動的，吸收電流是主動的。如果外部電流通過芯片引腳向芯片內(nèi)''''''''流入’稱為灌電流（被灌入）；吸電流和灌電流就是從芯片外電路通過引腳流入芯片內(nèi)的電流,區(qū)別在于吸收電流是主動的，從芯片輸入端流入的叫吸收電流。拉電流是數(shù)字電路輸出高電平給負載提供的輸出電流，灌電流時輸出低電平是外部給數(shù)字電路的輸入電流，它們實際就是輸入、輸出電流能力。

LDO選型參考(原理、參數(shù))LDO是一個負反饋系統(tǒng)，當VOUT增大，R2上電壓增大，放大器輸出電壓增大，PMOS的VGS電壓減小，這樣PMOS輸出電流減小，電壓也減小。在一些對噪聲敏感的電路中，如ADC，DAC，Camera sensor模擬電壓等，必須選擇LDO，而且是高PSRR的LDO，而不是DCDC。這個壓差可以理解為LDO輸出電流在PMOS上的壓降。MT2503平臺的PMU的11個LDO輸出中，有給RF Amplifier供電的低噪聲LDO，有在待機時不下電的低靜態(tài)電流LDO。

■驅(qū)動電壓和導通電阻，最大導通電流之間的關系?！鯩OS雖然是電壓型驅(qū)動，但是由于寄生電容的存在，必須要求驅(qū)動電路提供一定的驅(qū)動電流?！霎擨C本身的驅(qū)動能力不足的時候，就需要外加驅(qū)動電路來增強驅(qū)動能力，以達到快速開關MOS的需求。■下圖的驅(qū)動電路，可以傳遞大占空比的驅(qū)動信號，而且可以讓驅(qū)動電壓不下降?！鲇捎诟糁彪娙輹Υ婺芰?，所以在驅(qū)動消失之后，隔直電容會和變壓器產(chǎn)生諧振，導致驅(qū)動電路傳遞錯誤的驅(qū)動信號。

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討。驅(qū)動電壓Vgs和柵極電壓閾值Vgs(th)關系到SiC MOSFET在應用過程中的可靠性，功率損耗(導通電阻)，以及驅(qū)動電路的兼容性等。雖然驅(qū)動電壓Vgs為0V時已經(jīng)可以關斷SiC MOSFET，但是由于dv/dt引起的ΔVgs，可能會導致SiC MOSFET誤導通，導致設備損壞，故而不推薦使用。本文主要針對驅(qū)動電壓Vgs和柵極電壓閾值Vgs(th)本身對SiC MOSFET在使用過程中的影響做出討論。

控制環(huán)路設計的解決思路，5個步驟告訴你！環(huán)路帶寬當然希望越高越好,但受到幾方面的限制:a)香農(nóng)采樣定理決定了不可能大于1/2Fs;b)右半平面零點(RHZ)的影響,RHZ隨輸入電壓,負載,電感量大小而變化,幾乎無法補償,我們只有把帶寬設計的遠離它,一般取其1/4-1/5;c)補償放大器的帶寬不是無窮大,當把環(huán)路帶寬設的很高時會受到補償放大器無法提供增益的限制,及電容零點受溫度影響等.所以一般實際帶寬取開關頻率的1/6-1/10。

許多初學者對二極管很“熟悉”，提起二極管的特性可以脫口而出它的單向?qū)щ娞匦?，說到它在電路中的應用第一反應是整流，對二極管的其他特性和應用了解不多，認識上也認為掌握了二極管的單向?qū)щ娞匦裕湍芊治龆O管參與的各種電路，實際上這樣的想法是錯誤的，而且在某種程度上是害了自己，因為這種定向思維影響了對各種二極管電路工作原理的分析，許多二極管電路無法用單向?qū)щ娞匦詠斫忉屍涔ぷ髟怼?/blockquote> http://www.ahfyzs.com/content/22/0406/21/34869884_1025162366.shtml 2022/4/6 21:29:25

運算放大器基本電路大全!引言。絕大多數(shù)的模擬電路設計者都知道怎么在雙電源電壓的條件下使用運算放大器，比如圖一左邊的那個電路，一個雙電源是由一個正電源和一個相等電壓的負電源組成。因為理想運放的電壓放大倍數(shù)很大，而運放工作在線性區(qū)，是一個線性放大電路，輸出電壓不超出線性范圍（即有限值），所以，運算放大器同相輸入端與反相輸入端的電位十分接近相等。輸入失調(diào)電壓是指為了使輸出電壓為零而在輸入端加的補償電壓。

http://www.ahfyzs.com/content/22/0403/12/34869884_1024639713.shtml 2022/4/3 12:04:06

圖1-4-A 是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。晶體三極管Q1（NPN）導通、Q2（PNP）截止，VCC經(jīng)過Q1導通對MOS開關管Q3的柵極充電，由于Q1是飽和導通，VCC等效是直接加到MOS管Q3的柵極，瞬間充電電流極大，充電時間極短，保證了MOS開關管Q3的迅速的“開”，如圖2-2-A所示（圖2-2-A和圖2-2-B中的電容C為MOS管柵極S的等效電容）。

http://www.ahfyzs.com/content/22/0317/20/34869884_1021984157.shtml 2022/3/17 20:38:46

對LLC來說，有兩個諧振頻率，一個諧振頻率fo是利用諧振電感Lr諧振電容Cr組成；諧振網(wǎng)絡：諧振電容Cr 、串聯(lián)諧振電感Lr 、并聯(lián)諧振電感 Lm;開關頻率f>fr1時， LLC諧振變換器原邊開關管在任何負載下都可以實現(xiàn)ZVS，但是變壓器勵磁電感由于始終被輸出電壓所鉗位，因此，只有 Lr、Cr 發(fā)生串聯(lián)諧振，而 Lm在整個開關過程中都不參與串聯(lián)諧振，且此時輸出整流二極管工作在電流連續(xù)模式，整流二極管不能實現(xiàn)ZCS，會產(chǎn)生反向恢復損耗。

http://www.ahfyzs.com/content/22/0303/19/34869884_1019851773.shtml 2022/3/3 19:20:29

EMS中的浪涌抗擾度的差模浪涌測試，你了解嗎？壓敏電阻選型時，首先應使最大允許電壓略大于350V，此電壓等級壓敏電阻最大鉗位電壓為1000V左右(50A測試電流下)。其次在差模路徑上，等效于一個內(nèi)阻為2Ω、脈沖電壓為6KV的電壓源與壓敏電阻串聯(lián)，則峰值電流約為(6KV-1KV)/2Ω=2500A。其峰值電流為4500A，最大允許工作電壓385VAC，最大鉗位電壓1120V。當MOV高于其額定電壓(通常是正常電路電壓的3到4倍)時，MOV可以傳導大電流。

http://www.ahfyzs.com/content/22/0303/19/34869884_1019851665.shtml 2022/3/3 19:19:31

當對ACL-PE或ACN-PE測試6KV浪涌時，即共模浪涌試驗，共模路徑等效為一個內(nèi)阻約為12Ω，脈沖電壓為6KV的電壓源與共模電感、Y電容串聯(lián)。同時ZLG致遠電子為保證電源產(chǎn)品性能建設了行業(yè)內(nèi)一流的測試實驗室，配備最先進、齊全的測試設備，全系列隔離DC-DC電源通過完整的EMC測試，靜電抗擾度高達4KV、浪涌抗擾度高達2KV，可應用于絕大部分復雜惡劣的工業(yè)現(xiàn)場，為用戶提供穩(wěn)定、可靠的電源隔離解決方案。

http://www.ahfyzs.com/content/22/0301/07/34869884_1019463072.shtml 2022/3/1 7:41:20

STM32串口通信基本原理通信接口背景知識設備之間通信的方式一般情況下，設備之間的通信方式可以分成并行通信和串行通信兩種。經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換后，芯片串口和rs232的電平標準是不一樣的：RS-232通訊協(xié)議標準串口的設備間通訊結構圖如下： 所以單片機串口與PC串口通信就應該遵循下面的連接方式：在單片機串口與上位機給出的rs232口之間，通過電平轉(zhuǎn)換電路(如下面圖中的Max232芯片) 實現(xiàn)TTL電平與RS232電平之間的轉(zhuǎn)換。

http://www.ahfyzs.com/content/22/0226/15/34869884_1019109224.shtml 2022/2/26 15:33:04

4. 直流放大器能夠放大直流信號或變化很緩慢的信號的電路稱為直流放大電路或直流放大器。1) 變壓器反饋 LC 振蕩電路圖(a)是變壓器反饋 LC 振蕩電路。3) 電容三點式振蕩電路還有一種常用的振蕩電路是電容三點式振蕩電路，見圖(a)。1) RC 相移振蕩電路RC 相移振蕩電路的特點是：電路簡單、經(jīng)濟，但穩(wěn)定性不高，而且調(diào)節(jié)不方便。2) RC 橋式振蕩電路RC 橋式振蕩電路的性能比 RC 相移振蕩電路好。

http://www.ahfyzs.com/content/18/0919/16/59539664_787984782.shtml 2022/2/23 14:03:42

普通的485電路，除了“用RXD連接485芯片的RO引腳、用TXD連接485芯片的DI引腳”，還會用一個單片機的普通IO引腳連接到RE、DE引腳上。也就是只需要連接單片機的RXD和TXD引腳就可以，無需用單片機引腳連接485芯片的DE RE引腳。總結，TXD發(fā)1，AB就發(fā)1；在接收數(shù)據(jù)的過程中，TXD引腳是一直保持高電平的，當TXD是高電平時，RE是低電平，正好調(diào)理成了接收狀態(tài)，然后485芯片的RO引腳（也就是接RXD的引腳）就會反應AB傳輸過來的數(shù)據(jù)。