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MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 中文名稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，俗稱MOS管。它是一種場效應(yīng)晶體管（FET）, 在電力領(lǐng)域有著非常重要的作用，可以說是一種非重要的分立器件。MOSFET與雙極結(jié)型晶體管（BJT）構(gòu)成了現(xiàn)代電子電路中的兩大核心元器件家族。MOSFET是一種電壓控制的全控型器件，通過控制柵極電壓（VGS）來調(diào)控源極和漏極之間的電流，無須直接控制電流本身，這個特點是的MOSFET在很多終端應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的性能。   額定電壓 VDSS：漏極（D）與源極（S）之間所能施加的最大電壓值。 VGSS：柵極（G）與源極（S）之間所能施加的最大電壓值。  額定電流 ID(DC)：漏極允許通過的最大直流電流值此值受到導(dǎo)通阻抗、封裝和內(nèi)部連線等的制約TC=25℃（假定封裝緊貼無限大散熱板）。 ID(Pulse)：漏極允許通過的最大脈沖電流值此值還受到脈沖寬度和占空比等的制約。  額定功耗 PT：芯片所能承受的最大功耗。 不同的測試條件： Tc=25℃的條件---緊接無限大放熱板，封裝背面溫度為25℃。 Ta=25C的條件---直立安裝不接散熱板環(huán)境溫度為25℃。  額定溫度 Tch：MOSFET的溝道的上限溫度。 Tstg：MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的產(chǎn)品  熱阻 Rth：MOSFET的溝道的上限溫度。 公式：  其中，Rth為MOS管的熱阻，單位為°C/W；Tj為MOS管的結(jié)溫，單位為°C；Tc為MOS管的環(huán)境溫度，單位為°C；Pd為MOS管的功率損耗，單位為W。 抗雪崩能力 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標(biāo).如果電壓超過漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩。例如：對馬達(dá)、線圈等電感性負(fù)載進(jìn)行開關(guān)動作時，關(guān)斷的瞬間會有感生電動勢產(chǎn)生。 EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數(shù),說明 MOSFET 所能承受的最大雪崩擊穿能量。 IAR :雪崩電流。 EAR :重復(fù)雪崩擊穿能量。 漏電流 IDSS：漏極與源極之間的漏電流。VGS=0時，D與S之間加VDSS。 IGSS：柵極與源極之間的漏電流。VDS=0時，G與S之間加VGSS。 柵極閾值電壓VGS（off）或VGS（th） IDSS：漏極與源極之間的漏電流。VGS=0時，D與S之間加VDSS。 IGSS：柵極與源極之間的漏電流。VDS=0時，G與S之間加VGSS。 測試條件： MOSFET的VDS=10V，ID=1mA時的柵極電壓VGS。 漏極/源極間的導(dǎo)通阻抗RDs（on） MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。功耗與電流的平方成比例。越是大電流的產(chǎn)品，就越是需要具有低的導(dǎo)通阻抗。 開關(guān)時間 Td（on）：導(dǎo)通延遲時間，是柵源電壓Vgs上升到10%~漏源電壓Vds下降到90%之間的時間。 Tr：導(dǎo)通上升時間，是漏源電壓Vds從90%下降到10%的時間。 Td（off）：關(guān)斷延遲時間，是柵源電壓Vgs下降到90%~漏源電壓Vds上升到10%之間的時間。 Tf：關(guān)斷下降時間，是漏源電壓Vds從10%上升到90%的時間。 其他參數(shù) Iar：雪崩電流 di/dt：電流上升率（外電路參數(shù)） dv/dt：電壓上升率（外電路參數(shù)） ID(on)：通態(tài)漏極電流 IDQ：靜態(tài)漏極電流（射頻功率管） IDSM：最大漏源電流 IDS(sat)：溝道飽和電流（漏源飽和電流） IG：柵極電流（直流） IGF：正向柵電流 IGR：反向柵電流 IGDO：源極開路時，截止柵電流 IGSO：漏極開路時，截止柵電流 IGM：柵極脈沖電流 IGP：柵極峰值電流 IF：二極管正向電流 IDSS1：對管第一管漏源飽和電流 IDSS2：對管第二管漏源飽和電流 Iu：襯底電流 Ipr：電流脈沖峰值（外電路參數(shù)） gfs：正向跨導(dǎo)Gp---功率增益 Gps：共源極中和高頻功率增益 Gpg：共柵極中和高頻功率增益 Gpd：共漏極中和高頻功率增益 ggd：柵漏電導(dǎo) gds：漏源電導(dǎo) K：失調(diào)電壓溫度系數(shù) Ku：傳輸系數(shù) L：負(fù)載電感（外電路參數(shù)） LD：漏極電感 Ls：源極電感 rDS：漏源電阻 rDS(on)：漏源通態(tài)電阻 rDS(of)：漏源斷態(tài)電阻 rGD：柵漏電阻 rGS：柵源電阻 Rg：柵極外接電阻（外電路參數(shù)） RL：負(fù)載電阻（外電路參數(shù)） R(th)jc：結(jié)殼熱阻 R(th)ja：結(jié)環(huán)熱阻 PD：漏極耗散功率 PDM：漏極最大允許耗散功率 PIN：輸入功率 POUT：輸出功率 PPK：脈沖功率峰值（外電路參數(shù)） Tj：結(jié)溫 Tjm：最大允許結(jié)溫 Ta：環(huán)境溫度 Tc：管殼溫度 Tstg：貯成溫度VGSF--正向柵源電壓（直流） VGSR：反向柵源電壓（直流） VDD：漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VGG：柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） Vss：源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） V（BR）GSS：漏源短路時柵源擊穿電壓 VDS(on)：漏源通態(tài)電壓 VDS(sat)：漏源飽和電壓 VGD：柵漏電壓（直流） Vsu：源襯底電壓（直流） VDu：漏襯底電壓（直流） VGu：柵襯底電壓（直流） Zo：驅(qū)動源內(nèi)阻 η：漏極效率（射頻功率管） Vn：噪聲電壓 aID：漏極電流溫度系數(shù) ards：漏源電阻溫度系 END 技術(shù)干貨推薦： 為什么要并聯(lián)MOS管？但隨便并聯(lián)MOS管很傷錢！ “USB接口PCB設(shè)計全攻略｜從Type-C到高速布線，一文掌握核心要點！” 超實用！一眼能看出哪種拓?fù)洌篵uck？boost？buck-boost？ 如何產(chǎn)生雙極性電源，負(fù)載可以同時使用正電壓和負(fù)電壓？ PCB單層板LAYOUT，QFN封裝的中間接地焊盤走線出不來怎么辦？ 合作/推廣/投稿/宣傳/招聘 請加微信：15889572951 |
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