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?隨著我國制造業(yè)不斷升級,航空航天、精密制造、航海技術(shù)等獲得長足發(fā)展,對材料表面的力學性能、耐磨性能、耐腐蝕性能等提出越來越高的要求。高性能薄膜是提升材料表面服役性能的有效技術(shù)手段之一。 磁控濺射技術(shù)原理：磁控濺射技術(shù)的工作原理如圖1所示,在真空條件下,以靶材為陰極,基底為陽極,Ar在高壓作用下電離產(chǎn)生高能Ar+,Ar+在電場作用下高速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,在基底上沉積形成薄膜。 ? 多功能磁控濺射儀（高真空磁控濺射儀）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質(zhì)復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。 ? 設備關(guān)鍵技術(shù)特點 秉承設備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設計和工程實現(xiàn)，實際運行效果良好，為用戶的專*用*工*藝實現(xiàn)提供了精*準*的工藝設備方案。 靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理 -靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。 -靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。 -增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。 ? 距離可調(diào)整 基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。 角度可調(diào) 磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精*準*調(diào)控。 ? 集成一體化柜式結(jié)構(gòu) 一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點： 安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件） 占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設備。 ? 控制系統(tǒng) 采用計算機＋PLC兩級控制系統(tǒng) ? ? 安全性 -電力系統(tǒng)的檢測與保護 -設置真空檢測與報警保護功能 -溫度檢測與報警保護 -冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量 -檢測與報警保護 勻氣技術(shù) 工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場更均勻，鍍膜更均勻。 ? 基片加熱技術(shù) 采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。 ? 真空度更高、抽速更快 真空室內(nèi)外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。 ? 設備詳情 設備結(jié)構(gòu)及性能 1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱 2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝 3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝 4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容 5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱 6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動 ? 工作條件 供電 ～ 380V 三相五線制 功率 根據(jù)設備規(guī)模配置 冷卻水循環(huán) 根據(jù)設備規(guī)模配置 水壓 1.5 ～ 2.5×10^5Pa 制冷量 根據(jù)扇熱量配置 水溫 18～25℃ 氣動部件供氣壓力 0.5～0.7MPa 質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05～0.2MPa 工作環(huán)境溫度 10℃～40℃ 工作濕度 ≤50% 設備主要技術(shù)指標 -基片托架：根據(jù)供件大小配置。 -基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。 -基片架公轉(zhuǎn)速度 ：2 ～100 轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。 -基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。 -靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調(diào)。 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。 -鍍膜室的極限真空：6X10-5Pa，恢復工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分鐘左右（新設備充干燥氮氣）。 -設備總體漏放率：關(guān)機 12 小時真空度≤10Pa。 |
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