這是集成電路物理設(shè)計(jì)的第五個(gè)系列【signoff】的第十三篇文章，本篇文章主要介紹IR Drop相關(guān)內(nèi)容：

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Why IR Drop is necessary?

• standard cell的delay和有效的VDD的大小強(qiáng)相關(guān)，如果有效的VDD減小，則standard cell的delay會(huì)增加，這會(huì)影響芯片的性能。

• 如果IR Drop很大，大于standard cell的最小工作電壓，這直接會(huì)使得芯片失效。

• 在靜態(tài)時(shí)許分析時(shí)，默認(rèn)VDD和VSS是一個(gè)固定的數(shù)值，但實(shí)際的VDD和VSS是會(huì)隨時(shí)間變化的，芯片不同位置的VDD和VSS也是有差異的。

• data path上的IR Drop會(huì)影響setup；clock path上的IR Drop會(huì)影響setup和hold。
  

Reasons for IR Drop 

• 電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的不好（lesser metal width, more separation power stripes）

• 電源網(wǎng)絡(luò)的via數(shù)目少，層與層的連接不充分。

• 加入的DCAP數(shù)目偏少。

• 局部cell的density偏高。

• 高反轉(zhuǎn)cell過(guò)于集中（如clock cell）。

• 電源網(wǎng)絡(luò)電阻偏大。

• 電源點(diǎn)數(shù)目偏少（power/ground bump）。

Type of IR Drop Analysis

• Static IR Drop Analysis: 

  當(dāng)電路沒(méi)有發(fā)生翻轉(zhuǎn)時(shí)的電源網(wǎng)絡(luò)上的voltage drop。
  

• Dynamic IR Drop Analysis: 

  當(dāng)電路的input在不斷翻轉(zhuǎn)時(shí)的電源網(wǎng)絡(luò)上的voltage drop。
  

參考文獻(xiàn)