臺積電和聯(lián)電并稱為中國臺灣地區(qū)的“晶圓代工雙雄”，如果說臺積電是晶圓代工“一哥”，聯(lián)電就是“二哥”，并且不只是臺灣地區(qū)的“二哥”。

援引聯(lián)電財報信息：根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Gartner統(tǒng)計，2021年的全球晶圓代工市場總營收額約為970億美元，聯(lián)電在全球晶圓代工市場排名第二，市場占有率約為7.8％，僅次于臺積電之后。（注：三星（Samsung Foundry）不包括為三星電子制造使用的晶圓營收。）

2021年，聯(lián)電晶圓代工部分年出貨量達到986萬2千片（折合八英寸晶圓），同比增長10.6%，產(chǎn)能利用率超過100%。全年營收新臺幣2130億元，取得了20.5%的大幅成長。近日，聯(lián)電召開法說會，受惠于公司產(chǎn)能滿載及調(diào)漲價格，今年一季度合并營收新臺幣634.23億元，稅后凈利潤新臺幣198.08億元，雙雙創(chuàng)下歷史新高。

聯(lián)電用具體數(shù)字展現(xiàn)了企業(yè)的韌性與成長動能。

臺積電憑借其行業(yè)地位在業(yè)內(nèi)的名聲早已如雷貫耳，發(fā)家事跡也常被娓娓道來，大家想必都不陌生。但只有熟悉半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史的朋友可能才知道，“半導(dǎo)體若是沒有聯(lián)電的成功，就沒有后來的華邦電、茂矽、茂德等晶圓廠，甚至沒有臺積電。”

此言并非無稽之談。

聯(lián)電在臺灣半導(dǎo)體業(yè)扮演著重要的角色，除身為臺灣第一家晶圓制造服務(wù)公司外，也是臺灣第一家上市的半導(dǎo)體公司。聯(lián)電超過40年的發(fā)展史可以說映襯了臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，甚至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的趨勢變遷和技術(shù)走向。

我們來看一下臺灣第一家半導(dǎo)體公司聯(lián)電的42年。

聯(lián)電“始末”

上世紀80年代，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速擴張，美國的全球制造業(yè)份額在1980年代達到頂峰，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正開始登峰造極，制造的接力棒即將從日本交到中國臺灣。

彼時臺灣電子產(chǎn)業(yè)對IC的需求日益迫切，于是工研院在1980年成立了聯(lián)華電子（簡稱 “聯(lián)電”），并將電子所的IC示范工廠以及一些參與RCA技術(shù)轉(zhuǎn)移計劃的管理和技術(shù)人員轉(zhuǎn)給聯(lián)電。

作為中國臺灣首家民營集成電路公司，成立之初的聯(lián)電主要生產(chǎn)電子表、計算器與電視用集成電路。聯(lián)電也是臺灣第一家提供晶圓專業(yè)代工服務(wù)的公司。

1982年對起步階段的聯(lián)電來講是殘酷的一年，花了一年半建設(shè)的工廠剛試產(chǎn)，就適逢1982年的經(jīng)濟不景氣，后來又因突發(fā)火災(zāi)遭受嚴重虧損。美國國家半導(dǎo)體公司的1983年年度報告描繪了1982年的殘酷景象。

美國國家半導(dǎo)體公司1983年年報

盡管經(jīng)濟形勢嚴峻、盈利能力下降，但聯(lián)電繼續(xù)以快速的節(jié)奏和步伐進行投資建設(shè)。1982年4月，聯(lián)電建成臺灣首條4英寸晶圓生產(chǎn)線（工廠代號UMC1）。聯(lián)電當(dāng)時全年實現(xiàn)營收達新臺幣1.9億，員工380人。

1983年，看到美國家用電話的商機，聯(lián)電加價包下封測廠菱生的產(chǎn)能，在家用電話 IC 商機爆發(fā)之際狠賺一筆，出貨量從1982年的400萬顆增至1983年的2400萬顆。

1984年是強勁的一年，整個半導(dǎo)體行業(yè)都迎來快速增長。也是在這一年，聯(lián)電成立研發(fā)部門，自主進行產(chǎn)品和工藝的研發(fā)，走上良性成長階段。

一年后，時任聯(lián)電總經(jīng)理的曹興誠提出民營化構(gòu)想，1985年7月，聯(lián)電股票在臺灣證券交易所公開上市，推動聯(lián)電成為臺灣第一家上市的半導(dǎo)體公司。同年，張忠謀應(yīng)邀回到臺灣，擔(dān)任工研院院長兼聯(lián)電董事長，隨后1987年從工研院衍生創(chuàng)辦了臺積電。

資本的注入再次加速了聯(lián)電擴張的步伐。1989年，聯(lián)電6英寸晶圓生產(chǎn)線投產(chǎn)（現(xiàn)FAB 6廠）。1994年，聯(lián)電完成0.5微米制程研發(fā)。

聯(lián)電“轉(zhuǎn)身”

在聯(lián)電早期的前15年，一直走IDM路線，IC設(shè)計、晶圓代工、存儲三大業(yè)務(wù)并行。直到 1995年，后來者臺積電營收突破10億美元大關(guān)，聯(lián)電做出了一個引起業(yè)界嘩然的決定——轉(zhuǎn)為晶圓代工型公司。盡管聯(lián)電轉(zhuǎn)型專業(yè)晶圓代工，但這一舉措相較臺積電已經(jīng)晚了整整八年。

其實在臺積電成立之前，芯片產(chǎn)業(yè)的IDM模式（即芯片公司從設(shè)計、制造、到封裝一手包辦的模式）一直是行業(yè)主流，在摩爾定律推動下的芯片產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，但隨著芯片制程工藝不斷提高，芯片上集成的晶體管越來越多，日益復(fù)雜的技術(shù)、日趨高昂的投入、日漸激烈的競爭，使得芯片企業(yè)面臨巨大的資金壓力。

在這樣的情形下，不少原先的垂直一體化的芯片企業(yè)開始剝離半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。由此芯片企業(yè)開始轉(zhuǎn)入輕資產(chǎn)，芯片產(chǎn)業(yè)也由原先的垂直一體化模式開始轉(zhuǎn)向垂直分工模式，即芯片企業(yè)負責(zé)芯片設(shè)計、代工廠負責(zé)芯片制造、封測廠負責(zé)封裝的模式。

當(dāng)時，晶圓代工業(yè)務(wù)只占聯(lián)電總收入的約1/3，這種舍大取小的選擇在許多人眼中滿是風(fēng)險。但曹興誠看準(zhǔn)了晶圓代工業(yè)必將在全球半導(dǎo)體界發(fā)揮更加驚人的影響力，而此后聯(lián)電的發(fā)展，將驗證曹興誠的目光何其深遠。

當(dāng)時曹興誠的想法是與無晶圓廠IC設(shè)計公司合資開設(shè)晶圓代工廠，一方面不用為建造晶圓廠的巨額資金發(fā)愁，另一方面可獲得合作IC設(shè)計公司的穩(wěn)定訂單。于是聯(lián)電在1995年與美國、加拿大等地的11家IC設(shè)計公司合資成立聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉，9月份，聯(lián)電開始生產(chǎn)8英寸晶圓（現(xiàn)FAB 8A廠）。

不過大型IC設(shè)計公司擔(dān)心技術(shù)外流，不愿將芯片交予聯(lián)電代工，聯(lián)電只能接到些中小型企業(yè)的訂單。隨著質(zhì)疑聲頻起，1996年-1997年間，聯(lián)電逐步將IC設(shè)計部門分拆成為獨立的公司，包括現(xiàn)在的聯(lián)陽、聯(lián)杰、聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠、聯(lián)笙等公司。由此衍生出了稱霸臺灣多個細分芯片賽道的 “聯(lián)家軍”，它們也為聯(lián)電晶圓代工事業(yè)的發(fā)展提供了不少訂單。

市場戰(zhàn)略調(diào)整和邁進的同時，技術(shù)進展也在持續(xù)縱向延伸。

1996年1月 0.35微米制程開始生產(chǎn)。

1997年10月，聯(lián)電0.25微米制程開始生產(chǎn)。

1998年5月，聯(lián)電UMC5（現(xiàn)FAB 8F）動工興建。同年12月，聯(lián)電收購新日鐵半導(dǎo)體，成為日本唯一少量多樣生產(chǎn)模式的晶圓代工廠。

1999年3月，聯(lián)電0.18微米制程開始生產(chǎn)。11月，聯(lián)電南科12英寸晶圓廠正式建廠。

2000年，聯(lián)電宣布將旗下的聯(lián)電、合泰、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉、聯(lián)誠合并成為一家晶圓廠，聯(lián)電迎來了歷史“巔峰”，占據(jù)了全球晶圓代工市場四成左右的市場份額。

2000年3月，聯(lián)電宣布產(chǎn)出業(yè)界首批銅制程芯片，首個芯片是賽靈思（Xilinx）的FPGA產(chǎn)品；5月，聯(lián)電宣布產(chǎn)出第一顆0.13微米制程芯片，產(chǎn)品是2M SRAM；9月，聯(lián)電在紐約證券交易所上市，成為第一家在紐交所上市的臺灣半導(dǎo)體公司，共募集13億美元，創(chuàng)下臺灣公司在紐約證券交易所首度上市的交易金額紀錄。聯(lián)電2000全年營收首度超過新臺幣1000億。

可見，策略實施后聯(lián)電的成長速度十分醒目。2000 年，美國《BusinessWeek》公布根據(jù)成長率、獲利率排名的科技業(yè)百強排行榜，聯(lián)電位列臺灣第一、世界第八。

聯(lián)電在2000年宣布“五合一”以后，也正式與臺積電展開了“正面交鋒”。從后市的發(fā)展來看，也正是在這一年真正讓兩家公司開始產(chǎn)生差距。2000年進入0.13微米銅制程時，聯(lián)電與多數(shù)晶圓廠一樣選擇了與IBM合作，然而IBM的0.13微米制程開發(fā)不順。臺積電自行研發(fā)的0.13微米制程在2003年如期完成，并針對不同客戶量身定做制程，一時間臺積電幾乎吃下所有客戶，聯(lián)電跌了一跤。

英偉達創(chuàng)始人黃仁勛曾評價說：“0.13μm改造了臺積電，成為臺積電躍居全球晶圓代工霸主、甩開聯(lián)電的分水嶺。”而后聯(lián)電并沒有氣餒，繼續(xù)不斷擴大其產(chǎn)業(yè)版圖。

2003年3月，聯(lián)電產(chǎn)出第一顆90納米制程IC。

2004年3月，聯(lián)電旗下新加坡12英寸晶圓廠邁入量產(chǎn)階段。5月，聯(lián)電90納米制程完全通過驗證并邁入量產(chǎn)。7月，聯(lián)電并購硅統(tǒng)半導(dǎo)體的8英寸晶圓制造廠（現(xiàn)FAB 8S廠）。12月，聯(lián)電正式收購旗下子公司UMCi，并改名為Fab 12i。

2005年6月，聯(lián)電產(chǎn)出業(yè)界第一顆65納米芯片。8月，90納米晶圓出貨量逾10萬片。

2006年6月，聯(lián)電成為全球第一家全公司所有廠區(qū)均完成QC-080000 IECQ HSPM認證之半導(dǎo)體制造商。同年11月，聯(lián)電產(chǎn)出第一顆45納米制程測試芯片。

2007年1月，聯(lián)電擴大位于臺南科學(xué)園區(qū)的生產(chǎn)研發(fā)基地。

2008年10月，聯(lián)電產(chǎn)出晶圓代工業(yè)界第一個28納米制程SRAM芯片。

2009年4月，聯(lián)電產(chǎn)出40納米芯片。12月，聯(lián)電正式收購日本子公司UMCJ。

聯(lián)電營收和晶圓廠數(shù)仍在增長，然而隨后臺積電一路勢如破竹，無論在市占率、利潤率、工藝技術(shù)水平上，聯(lián)電都越來越難以追上臺積電的腳步。2009年因為嚴峻的經(jīng)濟形勢和高庫存水位，晶圓代工業(yè)飽受沖擊。此時臺積電和聯(lián)電雖仍占據(jù)全球晶圓代工前二的位置，但臺積電的營收一騎絕塵，足足是聯(lián)電的三倍還多，占有50%市占率。而剛成立不久的格芯，營收已然逼近聯(lián)電，大有趕超之勢。

盡管已不復(fù)當(dāng)年之勢，但聯(lián)電依舊有條不紊的保持著自身的發(fā)展節(jié)奏。

2010年12月，聯(lián)電南科12A廠第三期進入量產(chǎn)。

2011年10月，聯(lián)電28納米制程進入試產(chǎn)。

2012年5月，聯(lián)電南科12A廠第五第六期廠房動土典禮。

2013年3月，聯(lián)電完成收購和艦科技，是現(xiàn)在的FAB 8N廠。5月，聯(lián)電打造Fab12i廠為特殊技術(shù)中心（Specialty Technology Center of Excellence）。

2014年10月，聯(lián)電與廈門市政府及福建省電子信息集團成立合資公司聯(lián)芯集成，運營12英寸晶圓代工業(yè)務(wù)，項目總投資預(yù)計達62億美元，設(shè)計規(guī)劃最大月產(chǎn)能為12英寸晶圓5萬片。2015年3月，廈門聯(lián)芯集成電路制造廠房動土典禮。2016年11月，廈門聯(lián)芯集成FAB12X廠進入量產(chǎn)。

2017年2月，聯(lián)電14納米工藝進入量產(chǎn)。這一年，聯(lián)電還成功開發(fā)28HPC +制程技術(shù)，滿足客戶更省電及更高速的芯片使用需求，并進入試產(chǎn)階段。推出40納米結(jié)合SST嵌入式超級閃存（SuperFlash ）非揮發(fā)性內(nèi)存的制程平臺，具有低功耗、高可靠度及卓越的數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，可應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費者和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。

聯(lián)電“退場”

然而，此時先進制程工藝的技術(shù)演進逐漸面臨瓶頸，一邊是先進工藝需要消耗巨額資金，先進工藝研發(fā)投資越來越大，成本也越來越高，但是未來能夠用得起、用得上先進工藝的客戶群在減少；另一邊成熟制程市場中芯片代工仍供不應(yīng)求。

同時，聯(lián)電當(dāng)時發(fā)展先進生產(chǎn)工藝的速度已經(jīng)遠遠趕不上臺積電和三星，2013年量產(chǎn)28nm，直到2017年上半年開始商用生產(chǎn)14nm FinFET芯片。在這樣的背景和處境下，聯(lián)電選擇退場。

2018年8月，聯(lián)電宣布停止12nm以下先進工藝研發(fā)，看重投資回報率，而不再拼技術(shù)的先進性，成為全球第一家宣布放棄先進工藝研發(fā)的晶圓代工商。沒過多久，格芯也正式宣布無限期停止7nm及更先進制程投資研發(fā)，專注于現(xiàn)有工藝。

從那時起，聯(lián)電徹底改變了以往的發(fā)展策略，不再盲目追趕先進制程，將戰(zhàn)略重點放在了專注改善公司的投資回報率上，28nm及以上的制程成為了公司的發(fā)展重點。

2019年10月，聯(lián)電并購百分百日本三重富士通半導(dǎo)體成為完全獨資的子公司后，更名為USJC。

2020年，14FFC（14nm FinFET Compact）制程技術(shù)平臺的產(chǎn)品良率突破90%，正式進入芯片量產(chǎn)階段。22納米制程技術(shù)達成客戶數(shù)字電視（DTV）芯片量產(chǎn)的里程碑。采用28HPC +制程技術(shù)的圖像處理器（ISP）產(chǎn)品量產(chǎn)。

2021年4月，聯(lián)電與客戶合作在南科12英寸Fab 12A P6擴建新廠。6月，聯(lián)電加入RE100，宣示于2050年達成凈零碳排。11月，聯(lián)電連續(xù)14年列名DJSI道瓊永續(xù)性指數(shù)之世界指數(shù)。

在技術(shù)進展方面，14納米制程技術(shù)、22納米超低功耗／超低漏電制程技術(shù)、28納米高效能制程技術(shù)、40納米、55納米以及0,11微米等諸多工藝節(jié)點均取得新進展，多樣產(chǎn)品進入量產(chǎn)階段。

據(jù)悉，聯(lián)電隨著南部科學(xué)園區(qū)廠區(qū)擴建持續(xù)晉用大量研發(fā)專才，不遺余力地延攬和培育研發(fā)人才。2021年聯(lián)電持續(xù)投注大量的研發(fā)資源，全年研發(fā)費用達新臺幣129億元，并在邏輯技術(shù)和特殊技術(shù)的研發(fā)上獲得了豐碩的成果。

從近幾年的營收和市場表現(xiàn)來看，聯(lián)電的轉(zhuǎn)型是頗具成效的。從2018年起，聯(lián)電啟動五年轉(zhuǎn)型計劃，目標(biāo)扭轉(zhuǎn)過去為了追求先進制程，過度投資對聯(lián)電資源運用的扭曲，預(yù)計2022年整體成果逐漸浮現(xiàn)。

據(jù)近日聯(lián)電法說會消息，2022年一季度聯(lián)電的產(chǎn)能利用率達到100%滿載的情況，預(yù)計接下來第二季也持續(xù)維持。而第一季度22/28nm制程晶圓營收占比達到總營收的20%。聯(lián)電預(yù)計，接下來第二季預(yù)期單季晶圓產(chǎn)出較一季度將增長4~5%，平均單價銷售將季增3~4%，平均銷售價格（ASP）季增5%，毛利率更將提升至45%，22/28nm制程晶圓營收占比應(yīng)該會再有所提升。

聯(lián)電總經(jīng)理王石指出，聯(lián)電未來的預(yù)期目標(biāo)是擴大車用電子領(lǐng)域的市占率。因此，聯(lián)電日本子公司USJC 攜手日本汽車零部件大廠電裝（DENSO）合作，以12 英寸晶圓廠生產(chǎn)車用功率半導(dǎo)體就是其中重要關(guān)鍵，預(yù)計2023 上半年達成IGBT量產(chǎn)。

至于之前與多家芯片客戶合作，進一步擴產(chǎn)的聯(lián)電南科Fab 12A 的P5 廠區(qū)，預(yù)計將在本季進入量產(chǎn)，這將有助于滿足市場28nm產(chǎn)能缺口。還有其他海外生產(chǎn)基地的產(chǎn)能擴產(chǎn)的情況，包括此前公布在新加坡Fab 12i 擴建新廠的相關(guān)計劃，目前也已經(jīng)與客戶簽訂自2024 年起的數(shù)年供貨合約完成，這將有助于填補當(dāng)前市場上對22/28nm產(chǎn)能的需求。

聯(lián)電現(xiàn)狀與展望

聯(lián)電有超過40年的專業(yè)制造經(jīng)驗，整體來看，聯(lián)電現(xiàn)已擁有完整的制程技術(shù)及制造解決方案，包括邏輯／混合信號、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存、RFSOI、BCD、3DIC 、eHV高壓制程平臺、第三代半導(dǎo)體技術(shù)，以及所有晶圓廠皆符合汽車業(yè)的IATF-16949制造認證。另外，在特殊工藝方面，市場對LCD驅(qū)動芯片、OLED驅(qū)動芯片需求量很大，多數(shù)采用的是80nm、40nm工藝，在此基礎(chǔ)上，聯(lián)電將這些芯片制造導(dǎo)入到了28nm上。

為滿足全球客戶的需求，聯(lián)電在中國臺灣、日本、中國大陸、韓國、新加坡、歐洲及美國均設(shè)有服務(wù)據(jù)點。據(jù)了解，聯(lián)電擁有四座12英寸晶圓廠。

位于臺南的Fab 12A于2002年進入量產(chǎn)，目前已運用先進14納米制程為客戶生產(chǎn)客制化產(chǎn)品。研發(fā)制造復(fù)合廠區(qū)由三個獨立的晶圓廠，P1&2、P3&4及P5&6 廠區(qū)組成，月產(chǎn)能目前超過87000片；第二座12英寸廠Fab 12i位于新加坡白沙晶圓科技園區(qū)，為聯(lián)電的特殊技術(shù)中心，于12英寸特殊制程的生產(chǎn)制造上，提供客戶多樣化的應(yīng)用產(chǎn)品所需IC，目前月產(chǎn)能達50000片；位于中國廈門的聯(lián)芯12英寸晶圓廠FAB12X已于2016年第四季開始量產(chǎn)，其總設(shè)計月產(chǎn)能為50000片，目前月產(chǎn)能接近20000片；2019年10月，聯(lián)電取得位于日本的USJC所有股權(quán)，提供最小至40納米的邏輯和特殊技術(shù)。

除了12英寸廠外，聯(lián)電還擁有的七座8英寸廠與一座6英寸廠，每月總產(chǎn)能超過750000片（折合8英寸晶圓）。

根據(jù)美國半導(dǎo)體協(xié)會（SIA）統(tǒng)計，2021年全球半導(dǎo)體市場的規(guī)模達到5530億美元，較2020年增長約25.6%。展望2022年，預(yù)計全球半導(dǎo)體市場仍將成長8.8%，規(guī)模來到6015億美元。

展望晶圓代工市場成長趨勢，IC設(shè)計公司（Fabless）的成長動能往往高于整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，而IDM廠商在控制成本及降低市場風(fēng)險的考慮下，紛紛采取或提高委外晶圓制造占比。同時，考慮到新冠疫情以及政治地緣因素的影響，全球芯片仍有緊缺狀況，芯片供需仍難平衡。

綜合多項因素來看，或?qū)⒗^續(xù)有助于晶圓代工市場的增長，據(jù)市調(diào)研究機構(gòu) Gartner數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2021年代工收入增長了31.3%，達到1002億美元。2022年，預(yù)測代工行業(yè)的晶圓利用率保持在95%以上，預(yù)計2022年代工行業(yè)收入將增長18.3%，達到1185億美元。

2017-2026晶圓代工行業(yè)收入預(yù)期

（圖源：Gartner）

在市場趨勢和需求引導(dǎo)下，聯(lián)電公布其長短期業(yè)務(wù)發(fā)展計劃及近期主要研發(fā)計劃：

短期目標(biāo)：將依據(jù)市場及客戶需求，擴充8英寸與12英寸特殊技術(shù)及先進制程產(chǎn)能、維持滿載產(chǎn)能利用率及提升獲利為主。聯(lián)電豐富的制程節(jié)點技術(shù)平臺，及多元特殊技術(shù)平臺，可滿足市場上所有主要應(yīng)用產(chǎn)品需求。并且持續(xù)進行生產(chǎn)力提升，進行8英寸與12英寸廠的產(chǎn)能優(yōu)化以迎接新的契機，達到提升營收之目標(biāo)。近期對于需求旺盛的28納米，相關(guān)的產(chǎn)能擴增計劃正持續(xù)積極進行中。

中長期目標(biāo)：制程研發(fā)及穩(wěn)定營運及獲利一直是聯(lián)電的重心，采取謹慎投資，維持或增加產(chǎn)能市占率，和提升效率以有效降低成本。所有重要研發(fā)工作都按原定計劃進行，并提供客制化制程技術(shù)平臺以滿足客戶需求。

近年來更積極投入開發(fā)化合物半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）功率組件與射頻組件制程開發(fā)，鎖定高效能電源功率組件及射頻組件等高成長性市場商機。聯(lián)電預(yù)計于2022年投入約美金36億元的資本支出，主要為28及22納米產(chǎn)能建置，并與多家客戶合作計劃產(chǎn)能，以先收取產(chǎn)能訂金的方式進行擴產(chǎn)，確保訂單并降低風(fēng)險。為了擴大規(guī)模，如果有任何待出售的半導(dǎo)體工廠，聯(lián)電也會以具有成本效益、快速獲取產(chǎn)能及提高競爭力為前提，持續(xù)評估購買可能。

近期主要研發(fā)計劃：

聯(lián)電近期研發(fā)計劃

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聯(lián)電沉浮42年