BCD Technology and Cost Comparison 2020

——逆向分析報告

購買該報告請聯(lián)系：

麥姆斯咨詢 王懿

電話：17898818163

電子郵箱：wangyi#memsconsulting.com（#換成@）

對15家全球領(lǐng)先的制造商的31款Bipolar-CMOS-DMOS技術(shù)（重點研究SOI高壓器件）進行深入剖析和對比

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）工藝技術(shù)是符合擴展摩爾定律功能多樣化發(fā)展的重要模擬集成電路技術(shù)。經(jīng)過三十多年的發(fā)展，BCD技術(shù)在特征尺寸縮小、高壓器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計與優(yōu)化、高低壓隔離技術(shù)和金屬互聯(lián)的改進等方面取得巨大進步。

本報告對BCD器件的最新創(chuàng)新技術(shù)進行深入解讀，展示了英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）、Elmos、博世（Bosch）、恩智浦（NXP）、IXYS、飛思卡爾（Freescale）、德州儀器（Texas Instruments）、凌特（Linear Technology）、亞德諾（Analog Devices）、美信（Maxim）/TowerJazz、電裝（Denso）、瑞薩（Renesas）、豐田（Toyota）和東芝（Toshiba）等公司的31款產(chǎn)品之間的差異。

2020年發(fā)布的新報告版本新增了原有報告中的7家制造商的8種新技術(shù)，又添加了另外三家新制造商（IXYS、美信、東芝）。報告專注于200V至600V的高壓技術(shù)，其中英飛凌的絕緣體上硅（SOI）解決方案為600V，IXYS為200V，東芝為500V。技術(shù)節(jié)點范圍從2.5μm至90nm，器件范圍從單片受控功率晶體管到具有高壓模擬輸入和輸出的微控制器。

對于每款器件，本報告都詳細(xì)說明了制造工藝和所用材料、芯片設(shè)計和技術(shù)選擇。此外，報告還提供了使用各項技術(shù)的晶圓成本估算，突出了技術(shù)創(chuàng)新的影響。

本報告讓讀者可以了解主要BCD制造商的技術(shù)發(fā)展和制造成本，從而為在設(shè)計和集成工藝中進行優(yōu)化選擇奠定基礎(chǔ)。報告?zhèn)戎赜诩夹g(shù)分析，描述了創(chuàng)新對器件成本的影響，對主要參數(shù)、晶體管、金屬層、絕緣和無源器件的技術(shù)和成本進行對比。

以下是報告樣刊中英飛凌BCD器件部分內(nèi)容展示，供參考：

晶體管-柵極氧化物

英飛凌SPT9特性：芯片分析

英飛凌SPT9晶體管（樣刊模糊化）

英飛凌SPT9存儲器（樣刊模糊化）

英飛凌薄膜SOI晶體管（樣刊模糊化）

報告目錄：

Overview/Introduction

Executive Summary

Technology Evolution

· Transistors

- Gate oxides

- LDMOS and VDMOS

- Summary

· Insulation

- LOCOS and STI

- Deep trench isolation

- Substrate SOI

- Summary

· Metal Layer Process

- Aluminum and tungsten plug

- Copper metal layer

- Thick metal layer

- Summary

· Passives

- Capacitors in polysilicon

- Resistors in polysilicon

- Metal insulator metal capacitor

- Thin film resistors

- Inductors

- Summary

· Shrink

· High Voltage

Foundry technologies

· Infineon

- Roadmap

- SPT9 process

- SMART6 process

- Thin film SOI

· STMicroelectronics: BCD6s, SOI-BCD6s, BCD8, BCD9, VIPower M0-3, VIPower M0-5, VIPower M0-7

· Elmos: BCD 0.8μm

· Bosch: BCD6, BCD8

· NXP: A-BCD3, A-BCD9

· IXYS: BCDMOS on SOI High Voltage

· Freescale: SMARTMOS8, SMARTMOS10

· ON Semiconductor

· Texas Instruments: LBC5, LBC5-SOI, LBC8, LBC9

· Linear Technology: BCD 0.7μm

· Analog devices: BCD0.5μm, BCD 0.18μm

· Maxim/TowerJazz : BCD 0.4μm

· Denso: SOI-BCD 0.8μm, SOI-BCD 0.5μm

· Renesas: BCD0.15μm

· Toyota: SOI-BCD 0.5μm

· Toshiba: SOI High Voltage

· Comparisons

若需要《BCD技術(shù)與成本對比分析-2020版》報告樣刊，請發(fā)E-mail：wangyi#memsconsulting.com（#換成@）。