1）確認(rèn)SIM卡簽約速率是否能滿足單站驗(yàn)證要求。

2）查看小區(qū)當(dāng)前是否存在多個(gè)終端接入。 

3）查看CELL_AVG_MCS 最大值上行28、下行28。

4）確認(rèn)小區(qū)周邊d1/d2清頻是否干凈 。

5）確認(rèn)當(dāng)前位置是否滿足好點(diǎn)要求（5G覆蓋：RSRP≥-75db & SINR≥15），測(cè)試點(diǎn)盡量選擇周邊有墻壁、高樓等反射物，有助于信號(hào)的反射、衍射，形成多流環(huán)境，產(chǎn)生合并增益，也有助于阻擋來自其他小區(qū)的干擾。NR側(cè)監(jiān)控UE流量及調(diào)度信息：UL/DL BLER盡量歸0， UL/DL Avg MCS穩(wěn)定在較高的水平（越高越好）， Avg RB能趨于滿調(diào)（100M：273RB左右，60M：162RB左右），調(diào)度率接近1600次/s。

下行速率不達(dá)標(biāo)常見的處理方法

（1）下行速率不達(dá)標(biāo)首先確定是否是D1D2干擾的問題，鎖band38查看。

（2）測(cè)試速率不達(dá)標(biāo)時(shí)需要關(guān)注如下幾個(gè)指標(biāo): 上下行Bler, 上下行調(diào)度數(shù), NI, MCS，明確是哪個(gè)參數(shù)的問題，在進(jìn)行針對(duì)性處理。

（3）若上行Bler>5%, 導(dǎo)致速率不達(dá)標(biāo),建議修改AMC參數(shù)中”上行目標(biāo)Bler”為5%, 降低上行Bler對(duì)下行業(yè)務(wù)的影響

（4）若調(diào)制方式在256qam及64qam間頻繁變動(dòng)建議,關(guān)閉256QAM，正常情況下保持256qam打開

（5）下行調(diào)度數(shù)<1550時(shí),應(yīng)判斷為下行來包不足,建議進(jìn)行下行灌包測(cè)試,排除無線或基站問題

（6）若下行調(diào)度數(shù)>1550,且RI=4,但MCS小于22,且下行BLER在10%附近波動(dòng), 建議將SUMIMO DL的下行反饋方式修改為 “強(qiáng)制RI=3, PMI”

（7）速率不達(dá)標(biāo)但是差距不大時(shí)，將4G錨點(diǎn)的雙鏈接修改為SCG Split模式，下行解調(diào)改為256QAM。

（8）速率不達(dá)標(biāo)且差距較大時(shí)，查看對(duì)應(yīng)的流數(shù)，如果流數(shù)不足時(shí)，需要重新找點(diǎn)，盡量避免在空曠的環(huán)境下測(cè)試，最好要在有墻或者樹木的地方測(cè)試，構(gòu)建點(diǎn)位的多徑環(huán)境，且手機(jī)傾斜指向基站下效果較好，也可采用人工構(gòu)造方法（其他外場(chǎng)通過使用木板類東西人工構(gòu)造）。

（9）如果出現(xiàn)白天速率測(cè)試正常具備單驗(yàn)，晚上去了以后速率很低只有20M，則采用核查基線參數(shù)和小區(qū)刪建的方法進(jìn)行規(guī)避。

上行速率不達(dá)標(biāo)常見的處理方法

（1）將上行MCS由限制26改為28。

（2）將4G錨點(diǎn)側(cè)的Split模式打開。

（3）將上行PUSCH256QAM使能開關(guān)打開。

上述任一問題均會(huì)影響單站驗(yàn)證上傳下載速率，排除版本問題外，可按以上流程進(jìn)行處理，節(jié)省時(shí)間和資源。