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一文詳解匹配網(wǎng)絡拓撲設計

 含山人 2019-09-28

  將任何給定阻抗轉(zhuǎn)換為50歐姆所需的組件拓撲結構取決于測量的阻抗??梢允褂檬噶烤W(wǎng)絡分析儀測量阻抗。必須在非常接近匹配網(wǎng)絡的點測量阻抗。

  當測量到的阻抗落在史密斯圓圖中50歐姆的圓圈內(nèi)時,它需要一個并聯(lián)電感器,然后串聯(lián)一個電容器或一個并聯(lián)電容器,然后由負載串聯(lián)一個電感器,如下圖所示。分流元件可以將阻抗放在50歐姆的圓上。然后可以使用該串聯(lián)元件將阻抗移動到50歐姆點。

  當阻抗在50歐姆的圓內(nèi)時匹配網(wǎng)絡拓撲

  

  當測量到的阻抗落在史密斯圓圖中20mS(毫西門子)的圓周內(nèi)時,它需要一個串聯(lián)電容,接著是一個并聯(lián)電感,或一個串聯(lián)電感,然后是來自負載的并聯(lián)電容,如下圖所示。使用串聯(lián)組件,阻抗可以在20-mS的圓上。然后,使用并聯(lián)組件,可將其帶到20-mS(50-ohm)點。

  阻抗在20mS圓圈內(nèi)時使用的匹配網(wǎng)絡拓撲

  

  當測量到的阻抗落在這兩個圓周之外時,在史密斯圓圖的正半部分,可以通過使用串聯(lián)電容器,然后使用并聯(lián)電感器或電容器,或使用并聯(lián)電容器,然后使用串聯(lián)電感器或負載電容器,如下圖所示。

  當阻抗位于兩個圓之外,在史密斯圓圖的正半部分上時使用的匹配網(wǎng)絡拓撲結構

  

  當測量到的阻抗落在這兩個圓之外時,在史密斯圓圖的負半部分,它可以通過以下兩種方式匹配:使用串聯(lián)電感,然后是并聯(lián)電感或并聯(lián)電容;或通過使用并聯(lián)電感,然后時來自負載的串聯(lián)電感或電容來匹配,如下圖所示。

  當阻抗位于兩個圓圈之外,在史密斯圓圖的負半部分時要使用的匹配網(wǎng)絡拓撲結構

  

  匹配網(wǎng)絡提示

  使用以下提示可以最大限度地減少匹配網(wǎng)絡設計中理論與實踐之間的差距:

  ?在組件必須放置的同一點測量阻抗。

  ?使用電纜和連接器校準網(wǎng)絡分析儀設置,直到阻抗測量點。

  ?將分流元件放置在射頻走線上。請勿使用較長的跡線連接分流器組件。

  ?選擇串聯(lián)諧振頻率至少為工作頻率兩倍的電容。

  ?選擇自諧振頻率至少為工作頻率兩倍的電感。

  ?如果數(shù)據(jù)表中提供寄生阻抗數(shù)據(jù),請使用該數(shù)據(jù)推導出該組件可實現(xiàn)的實際電抗。

  ?電容和電感只能使用高Q元件。

  由于阻抗在設計時間內(nèi)通常是未知的,因此采用П或T方式的三個組件的設計可讓您稍后使用所有可能的拓撲。

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