隨著工藝制造等技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在NAND閃存的容量越來越大了，而且現(xiàn)在的TLC顆粒壽命也已經(jīng)有不錯的表現(xiàn)了。所以現(xiàn)在為了更大的容量，多層堆疊的TLC顆粒已經(jīng)成為當(dāng)前市場的主流，甚至QLC也逐漸在市場上鋪開。但SLC等技術(shù)依舊有著應(yīng)用前景，在去年的閃存峰會中，東芝公布了XL-FLASH技術(shù)，到今年，東芝將會公布包括量產(chǎn)等信息。

圖片來自Anandtech

根據(jù)Anandtech的報道，東芝首片XL-FLASH將使用128Gb的裸片，并且分割成16個平面以提供相對于現(xiàn)在面向容量的3D NAND閃存更強(qiáng)的并行性。XL-FLASH閃存的頁面大小為4KB，也明顯小于當(dāng)前大多數(shù)3D NAND閃存，不過由于XL-FLASH的單元只存儲1位而不是像現(xiàn)在TLC或QLC存儲3為或4位，所以小頁面大小也是正常的。同時東芝到目前也沒有透露擦除塊大小，但應(yīng)該是要比目前大容量NAND閃存要更小的。

性能是東芝推出XL-FLASH的關(guān)鍵，東芝稱其讀取延遲小于5微秒，而相比之下3D TLC約為50微秒。這個提升還是很大的。

而且在本屆閃存峰會上，Memblaze也展示了首款采用XL-FLASH閃存的超低延遲SSD，并且將于英特爾的傲騰及三星的Z-NAND閃存進(jìn)行競爭。根據(jù)Anandtech的報道，Memblaze也采用了公司專有的SSD控制器與XL-FLASH搭配。而且其聲稱PBlaze5 X26系列SSD擁有低于10微秒的4K隨機(jī)寫入延遲和平局低至26微秒的4K回合讀寫延遲。雖然相比英特爾的傲騰SSD還是要高一些，但售價應(yīng)該要相對便宜一些。

圖片來自Anandtech

雖然當(dāng)前的3D NAND閃存在順序讀寫及容量上有了非常大的提升，但隨機(jī)性能等方面依舊有很大進(jìn)步空間。英特爾已經(jīng)推出了基于3D Xpoint的傲騰SSD，三星也推出了Z-NAND閃存，提供更低的延遲及更好的性能表現(xiàn)。現(xiàn)在東芝也加入到高性能NAND芯片的研發(fā)生產(chǎn)中，未來高性能SSD市場競爭會更加激烈。