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碳化硅（SIC）是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽w材料。預計在今后5～10年將會快速發(fā)展和有顯著成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。 根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業(yè)還會進一步向前發(fā)展。用戶正在嘗試碳化硅技術，以應用于具體且具有發(fā)展前景的項目。 如今，碳化硅技術的附加值已被電力電子領域所普遍了解與認可。 2016 至 2022 年間，有望實現(xiàn) 6% 的復合年增長率 (CAGR)。而且，新應用的出現(xiàn)也將推動碳化硅電力電子器件市場的發(fā)展。 也就是說，2022 年，碳化硅器件市場總值將超過 10 億美元。 事實上，2020 年之后，市場發(fā)展的腳步將進一步加快，2020 至 2022 年間，有望實現(xiàn) 40% 的復合年增長率 (CAGR)。 目前誰是主要的SiC供應商呢？ 目前行業(yè)的龍頭，Infineon和Cree兩家公司研發(fā)出新的RF功率系統(tǒng)Wolfspeed，已經(jīng)占據(jù)了整個SiC市場份額68%。 不僅如此，Cree公司最近還收獲了功率組件和電子應用上先驅新產(chǎn)品—APEI的訂單，這款產(chǎn)品有可能對SiC市場造成很大的沖擊。 目前這兩家公司都把目光放在如何實現(xiàn)將SiC器件集成到功率組件和轉換器上的工業(yè)化應用問題，同時也能為這些SiC器件系統(tǒng)提供經(jīng)特別設計的封裝。 Infineon公司已經(jīng)具備了開發(fā)用于SiC器件功率組件所需的技術基礎，而Cree公司正在發(fā)展它的SiC功率業(yè)務的供應鏈，如同它們之前在發(fā)展LED業(yè)務時所做的那樣。 盡管這兩家大公司都打算加速其在SiC應用上的進程，但是它們并不企圖在未來繼續(xù)統(tǒng)治這個領域的市場。 Infineon和Cree公司從一開始進入這個市場時就占據(jù)了大量的市場份額，但是Rohm、STMicroelctronics等公司也正在對這個市場虎視眈眈。 回顧供應鏈發(fā)展開始的16年前，首批SiC功率器件開始商業(yè)化，當時只有德國英飛凌和美國科瑞兩家企業(yè)能夠提供SiC產(chǎn)品，后者的功率和設備器件業(yè)務已經(jīng)獨立為Wolfspeed。 在隨后的10年，器件的市場范圍并沒有真正地擴展，SiC器件在努力在向產(chǎn)業(yè)界證明自己。 2009-2010年，情況發(fā)生突變，更多器件供應商開始供應SiC二極管。 如到2017年7月份，二極管供應商的數(shù)量達到23家。SiC晶體管供應商的總數(shù)也同樣在增加。 特別值得一提的是，從2016年到2017年，SiC MOSFET供應商的數(shù)量已經(jīng)翻倍。該數(shù)量在接下來的幾年內還將繼續(xù)增加。 因為純硅晶圓的提升空間的局限性，碳化硅的出現(xiàn)也算是半導體芯片的一種導向和突破。 以上是今日分享。 |
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