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ODT （ On-DieTermination ，片內(nèi)終結(jié)） 收掉，而不會(huì)在電路上形成反射， 造成對(duì)后面信號(hào)的影響。 顧名思義， ODT 就是將端接電阻移植 到了芯片內(nèi)部，主板上不再有端接電路。在進(jìn)入DDR 時(shí)代， DDR 內(nèi)存對(duì)工作環(huán)境提出更高的要求，如 果先前發(fā)出的信號(hào)不能被電路終端完全吸收掉而在電路上形成反射現(xiàn)象， 就會(huì)對(duì)后面信號(hào)的影響造成 運(yùn)算出錯(cuò)。因此目前支持DDR主板都是通過(guò)采用終結(jié)電阻來(lái)解決這個(gè)問題。 由于每根數(shù)據(jù)線至少需要 一個(gè)終結(jié)電阻， 這意味著每塊DDR 主板需要大量的終結(jié)電阻， 這也無(wú)形中增加了主板的生產(chǎn)成本 , 而且由于不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電阻的要求不可能完全一樣，也造成了所謂的“內(nèi)存兼容性問題”。 而在DDR-II 中加入了 ODT功能，當(dāng)在DRAM 模組工作時(shí)把終結(jié)電阻器關(guān)掉， 而對(duì)于不工作的 DRAM 模 組則進(jìn)行終結(jié)操作，起到減少信號(hào)反射的作用，如下圖二所示。ODT 的功能與禁止由主控芯片控制， 在開機(jī)進(jìn)行 EMRS 時(shí)進(jìn)行設(shè)置， ODT 所終結(jié)的信號(hào)包括 DQS 、DQS# 、DQ 、DM 等。這樣可以產(chǎn)生 更干凈的信號(hào)品質(zhì)，從而產(chǎn)生更高的內(nèi)存時(shí)鐘頻率速度。而將終結(jié)電阻設(shè)計(jì)在內(nèi)存芯片之上還可以簡(jiǎn) 化主板的設(shè)計(jì)，降低了主板的成本， 而且終結(jié)電阻器可以和內(nèi)存顆粒的“特性”相符， 從而減少內(nèi) 存與主板的兼容問題的出現(xiàn) 圖二 0DT端接示意圖 ZQ 校準(zhǔn) 如下圖三所示， ZQ 是DDR3一個(gè)新增的引腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè) 240 歐姆的低公差參考電阻。 這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎（ ODCE ，On-DieCalibrationEngine ）來(lái)自動(dòng)校 驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與 ODT 的終結(jié)電阻值。 當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令之后， 將用相應(yīng)的時(shí) 鐘周期 （在加電與初始化之后用 512 個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用 256 時(shí)鐘周期、在 其他情況下用 64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和 ODT 電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。 ODT是終端匹配，那就是要在你的信號(hào)線終端上拉一個(gè)電阻，但是這個(gè)內(nèi)部電阻隨著溫度會(huì) 有些細(xì)微的變化，為了保證信號(hào)被準(zhǔn)確的進(jìn)行終端匹配，就需要ZQ了，ZQ的作用就是使用你外面 連接的，高精度240R電阻來(lái)對(duì)這個(gè)內(nèi)部的電阻進(jìn)行校準(zhǔn)，
圖三 Reset 及 ZQ 引腳 外驅(qū)動(dòng)調(diào)校 OCD （ Off-ChipDriver ） 調(diào)整。 OCD的主要作用在于調(diào)整 I/O 接口端的電壓，來(lái)補(bǔ)償上拉與下拉電阻值， 從而調(diào)整 DQS 與 DQ 之間的同步確保信號(hào)的完整與可靠性。 調(diào)校期間，分別測(cè)試 DQS 高電平和 DQ 高電平，以及 DQS 低電平和 DQ 高電平的同步情況。 如果不滿足要求，則通過(guò)設(shè)定突發(fā)長(zhǎng) 度的地址線來(lái)傳送上拉 / 下拉電阻等級(jí)（加一檔或減一檔），直到測(cè)試合格才退出 OCD 操作， 通過(guò) OCD 操作來(lái)減少 DQ 、 DQS的傾斜從而提高信號(hào)的完整性及控制電壓來(lái)提高信號(hào)品質(zhì)。 具體調(diào)校如下圖一所示。 不過(guò)，由于在一般情況下對(duì)應(yīng)用環(huán)境穩(wěn)定程度要求并不太高，只要存在差分 DQS時(shí)就基本可以 保證同步的準(zhǔn)確性， 而且 OCD 的調(diào)整對(duì)其他操作也有一定影響， 因此 OCD 功能在普通臺(tái)式 機(jī)上并沒有什么作用，其優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在對(duì)數(shù)據(jù)完整性非常敏感的服務(wù)器等高端產(chǎn)品領(lǐng)域。 圖一 OCD VREFCA & VREFDQ 對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF，在DDR3系統(tǒng)中將VREF分為兩個(gè)信號(hào)。一個(gè)是為 命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA，另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，它將有效的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總 線的信噪等級(jí),如下圖四所示。
圖4 重置（Reset） 重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。 當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3 內(nèi)存將停止所有的操作，并切換至最少量活動(dòng)的狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間， DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，且所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位， DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，甚至不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，該功能將 使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的，新增的引腳如下圖三所示。
Data Mask(DM) 數(shù)據(jù)掩膜功能也稱為部分寫。只支持x8和x16配置。DM功能與DBI和TDQS功能共用相同的管腳。DM功能只用于寫操作，且不能與寫DBI功能同時(shí)使能。
應(yīng)該說(shuō)TDQS功能的優(yōu)先級(jí)最高，如果使能了TDQS那么DM和DBI功能都被禁止 如果禁止了TDQS功能，才允許DM和DBI發(fā)揮作用。但有點(diǎn)我不太明白，DBI好像沒有和TDQS及DM共用管腳啊 終端數(shù)據(jù)選通Termination Data Strobe (TDQS) 對(duì)于x8的DIMMs，每一個(gè)8位字節(jié)需要一個(gè)DQ選通道對(duì)（DQS/DQS#);對(duì)于x4的DIMMs，第半個(gè) 字節(jié)需要一對(duì)DQ選通對(duì)（DQS/DQS#)。當(dāng)這兩種不同的DIMM混合應(yīng)用在同一個(gè)系統(tǒng)時(shí)，DQS 的負(fù)載就會(huì)不同，這樣會(huì)造成信號(hào)完整性問題。TDQS就是為了解決這個(gè)問題的。 TDQS只用于x8 DRAM，不過(guò)TDQS還會(huì)和DM共同用用DM功能。
RDIMM0是x4 DRAM, RDIMM1是x8 DRAM, 由x4組成的RDIMM需要兩個(gè)DQ選通對(duì)，其中一對(duì)連 接到x8的RDIMM1上實(shí)現(xiàn)同樣的功能，另一個(gè)選通對(duì)對(duì)于RDIMM1是沒有用處的，但是連接到了 TDSQ對(duì)上，當(dāng)使能TDQS后，可以保證所有的選通腳負(fù)載一樣。這樣保證了信號(hào)的完整性。 ZQ校準(zhǔn) 關(guān)于ZQ校正有兩個(gè)命令ZQCL （ZQ CALIBRATION LONG )和ZQ CALIBRATION SHORT (ZQCS) ZQCL主要用于系統(tǒng)上電初始化和器件復(fù)位，一次完整的ZQCL需要512個(gè)時(shí)鐘周期，在隨后（初始化和復(fù)位之后），校準(zhǔn)一次的時(shí)間要減少到256周期。 ZQCS在正常操作時(shí)跟蹤連續(xù)的電壓和溫度變化，ZQCS需要64個(gè)時(shí)鐘周期。 ZQ 校準(zhǔn)時(shí)序 在RESET之后的第一次ZQCL必須要512個(gè)時(shí)鐘（tZQINIT）周期進(jìn)行一次完整的校準(zhǔn)。在之后 ZQCL 必須要tZQOPER（256個(gè)時(shí)鐘周期） ZQCS命令在除了ATCIVITIES的任何時(shí)間發(fā)送， 所有的BANK必須Precharged 并要滿足tRP的時(shí)間要求 |
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