臺(tái)灣交通大學(xué)光電工程學(xué)系郭浩中教授研究團(tuán)隊(duì)與廈門大學(xué)電子科學(xué)系吳挺竹博士和Flex-Photonics佘慶威博士、SIJ Technology Inc公司合作，在單一磊芯片上采用奈米結(jié)構(gòu)應(yīng)力調(diào)變技術(shù)與高精度的量子點(diǎn)噴涂技術(shù)，合作開發(fā)出單片式集成RGB Micro-LED元件，該研究成果展示了無須巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)就能實(shí)現(xiàn)全彩顯示的Micro-LED概念，研究成果也分別被刊登在國(guó)際知名期刊《Scientific Reports》與《Photonics Research》。

由于藍(lán)綠光的LED是由銦氮化鎵基材料為主，因?yàn)榫w結(jié)構(gòu)的關(guān)系，是一種壓電材料，本身具有很強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，會(huì)影響主動(dòng)區(qū)的發(fā)光波長(zhǎng)與載子復(fù)合效率，這個(gè)現(xiàn)象稱為量子史侷限塔克效應(yīng)(quantum confined Stark effect; QCSE)，是困擾LED發(fā)光效率的主要原因之一，因此該研究團(tuán)隊(duì)利用QCSE的特性，在綠光磊芯片上通過環(huán)型奈米結(jié)構(gòu)的制作，釋放LED主動(dòng)區(qū)的應(yīng)力來實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)調(diào)變的效果，并將發(fā)光波長(zhǎng)由綠光調(diào)變至藍(lán)光；由于奈米結(jié)構(gòu)會(huì)犧牲掉部分發(fā)光面積而降低發(fā)光強(qiáng)度，且Micro-LED隨著尺寸的減小，側(cè)壁缺陷對(duì)芯片的影響程度則會(huì)變大，進(jìn)而導(dǎo)致芯片發(fā)光效率的降低，因此郭教授研究團(tuán)隊(duì)導(dǎo)入了原子層沉積(ALD)薄膜鈍化保護(hù)技術(shù)取代傳統(tǒng)的電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方式，藉由ALD鈍化保護(hù)層具有高致密度、高階梯覆蓋能力及有效的缺陷修復(fù)等特性，避免載子在芯片表面被缺陷捕捉，大幅提高了元件的發(fā)光強(qiáng)度，進(jìn)而提升效率。

由于制備的每個(gè)RGB子像素的尺寸僅為3 μm * 10 μm，因此在小面積上實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)材料的精確噴涂也是該研究的一大亮點(diǎn)所在。該研究團(tuán)隊(duì)所采用的高精度量子點(diǎn)噴涂技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)1.65 μm線寬的均勻噴涂（如圖所示），噴涂精度可以很好地滿足要求。