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來源：旺材芯片 雙極擴(kuò)散系數(shù)：過剩載流子的有效擴(kuò)散系數(shù)。 雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率。 雙極輸運(yùn)：具有相同擴(kuò)散系數(shù)、遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴(kuò)散、遷移和復(fù)合過程。 雙極輸運(yùn)方程：時(shí)間和空間變量描述過剩載流子狀態(tài)函數(shù)的方程。 載流子的產(chǎn)生：電子從價(jià)帶躍入導(dǎo)電，形成電子-空穴對(duì)的過程。 載流子的復(fù)合：電子落入價(jià)帶中的空能態(tài)（空穴）導(dǎo)致電子-空穴對(duì)消滅的過程。 過剩載流子：過剩電子和空穴的總稱。 過剩電子：導(dǎo)帶中超出熱平衡狀態(tài)濃度的電子濃度。 過剩少子壽命：過剩少子在復(fù)合前存在的平均時(shí)間。 產(chǎn)生率：電子-空穴對(duì)產(chǎn)生的速（#/cm3-s）。 小注入：過剩載流子濃度遠(yuǎn)小于熱平衡多子濃度的情況。 少子擴(kuò)散長度：少子在復(fù)合前的平均擴(kuò)散距離：數(shù)學(xué)表示為 ，其中D和τ分別為少子壽命。 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分別將電子和空穴的非平衡濃度狀態(tài)濃度與本征載流費(fèi)米能級(jí)聯(lián)系起來。 復(fù)合率：電子-空穴對(duì)復(fù)合的速率#/cm3-s）。 表面態(tài)：半導(dǎo)體表面禁帶中存在的電子能態(tài)。 電導(dǎo)率：關(guān)于載流子漂移的材料參數(shù)；可量化為漂移電流密度和電場強(qiáng)度之比。 擴(kuò)散：粒子從高濃度區(qū)向底濃度區(qū)運(yùn)動(dòng)的過程。 擴(kuò)散系數(shù)：關(guān)于粒子流動(dòng)與粒子濃度剃度之間的參數(shù)。 擴(kuò)散電流：載流子擴(kuò)散形成的電流。 漂移：在電場作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)過程。 漂移電流：載流子漂移形成的電流。 漂移速度：電場中載流子的平均漂移速度。 愛因斯坦關(guān)系：擴(kuò)散系數(shù)和遷移率的關(guān)系。 霍爾電壓：在霍爾效應(yīng)測量中，半導(dǎo)體上產(chǎn)生的橫向壓降。 電離雜質(zhì)散射：載流子忽然電離雜質(zhì)原子之間的相互作用。 遷移率：關(guān)于載流子漂移和電場強(qiáng)度的參數(shù)。 電阻率：電導(dǎo)率的倒數(shù)；計(jì)算電阻的材料參數(shù)。 飽和速度：電場強(qiáng)度增加時(shí)，載流子漂移速度的飽和度。 受主原子：為了形成P型材料而加入半導(dǎo)體的雜質(zhì)原子。 載流子電荷：在半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)并形成電流的電子和（或）空穴。 雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體：同一半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)既含有施主雜質(zhì)又含有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體。 完全電離：所有施主雜質(zhì)原子因失去電子而帶正電，所有受主雜質(zhì)原子因獲得電子而帶負(fù)電的情況。 簡并半導(dǎo)體：電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶中（n型）或價(jià)帶中（p型）的半導(dǎo)體。 施主原子：為了形成n型材料而加入半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)原子。 有效狀態(tài)密度：即在導(dǎo)帶能量范圍內(nèi)對(duì)量子態(tài)密度函數(shù)gc（E）與費(fèi)米函數(shù)fF(E)的乘積進(jìn)行積分得到的參數(shù)Nc；在價(jià)帶能量范圍內(nèi)對(duì)量子態(tài)密度函數(shù)gu(E)與[1-fF(E)]的乘積進(jìn)行積分得到的參數(shù)Nv。 非本征半導(dǎo)體：進(jìn)行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產(chǎn)生多數(shù)載流子電子（n型）或多數(shù)載流子空穴（p型）的半導(dǎo)體。 束縛態(tài)：低溫下半導(dǎo)體內(nèi)的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時(shí)，半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度與空穴濃度非常小。 本征載流子濃度ni：本征半導(dǎo)體內(nèi)導(dǎo)帶電子的濃度和價(jià)帶空穴的濃度（數(shù)值相等）。 本征費(fèi)米能級(jí)EFi：本征半導(dǎo)體內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)位置。 本征半導(dǎo)體：沒有雜質(zhì)原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體材料。 非簡并半導(dǎo)體：摻入相對(duì)少量的施主和（或）受主雜質(zhì)，使得施主和（或）受主能級(jí)分立、無相互作用的半導(dǎo)體。 允帶：在量子力學(xué)理論中，晶體中可以容納電子的一系列能級(jí)。 狀態(tài)密度函數(shù)：有效量子態(tài)的密度。它是能量的函數(shù)，表示為單位體積單位能量中的量子態(tài)數(shù)量。 電子的有效質(zhì)量：該參數(shù)將晶體導(dǎo)帶中電子的加速度與外加的作用力聯(lián)系起來，該參數(shù)包含了晶體中的內(nèi)力。 費(fèi)米-狄拉克慨率函數(shù)：該函數(shù)描述了電子在有效能級(jí)中的分布，代表了一個(gè)允許能量狀態(tài)被電子占據(jù)的慨率。 費(fèi)米能級(jí)：用最簡單的話說該能量在T=OK時(shí)高于所有被電子填充的狀態(tài)的能量，而低于所有空狀態(tài)能量。 禁帶：在量子力學(xué)理論中，晶體中不可以容納電子的一系列能級(jí)。 空穴：與價(jià)帶頂部的空狀態(tài)相關(guān)的帶正電“粒子”。 空穴的有效質(zhì)量：該參數(shù)同樣將晶體價(jià)帶中空穴的加速度與外加的作用力聯(lián)系起來，而且包含了晶體中的內(nèi)力。 K空間能帶圖：以k為坐標(biāo)的晶體能量曲線，其中k為與運(yùn)動(dòng)常量有關(guān)的動(dòng)量，該運(yùn)動(dòng)常量結(jié)合了晶體內(nèi)部的相互作用。 克龍尼龍-潘納模型：由一系列周期性階躍函數(shù)組成，是代表一維單晶晶格周期性勢(shì)函數(shù)的數(shù)學(xué)模型。 麥克斯韋-玻爾茲曼近似：為了用簡單的指數(shù)函數(shù)近似費(fèi)米-狄拉克函數(shù)，從而規(guī)定滿足費(fèi)米能級(jí)上下若干kT的約束條件。 泡利不相容原理：該原理指出任意兩個(gè)電子都不會(huì)出子處在同一量子態(tài)。 德布羅意波長：普朗克常數(shù)與粒子動(dòng)量的比值所得的波長。 海森堡不確定原理：該原理指出我們無法精確確定成組的共軛變量值，從而描述粒子的狀態(tài)，如動(dòng)量和坐標(biāo)。 光子：電磁能量的粒子形態(tài)。 量子化能量：束縛態(tài)粒子所處的分立能量級(jí)。 量子數(shù)：描述粒子狀態(tài)的一組數(shù)，例如原子中的電子。 量子態(tài)：可以通過量子數(shù)描述的粒子狀態(tài)。 隧道效應(yīng)：粒子穿透薄層勢(shì)壘的量子力學(xué)現(xiàn)象。 波粒二相形：電磁波有時(shí)表現(xiàn)為粒子狀態(tài)，而粒子有時(shí)表現(xiàn)為波動(dòng)狀態(tài)的特性。 二元半導(dǎo)體：兩元素化合物半導(dǎo)體，如GaAs。 共價(jià)鍵：共享價(jià)電子的原子間鍵合。 金剛石晶格：硅的原子晶體結(jié)構(gòu)，亦即每個(gè)原子有四個(gè)緊鄰原子，形成一個(gè)四面體組態(tài)。 摻雜：為了有效地改變電學(xué)特性，往半導(dǎo)體中加入特定類型的原子的工藝。 元素半導(dǎo)體：單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，比如硅、鍺。 外延層：在襯底表面形成的一薄層單晶材料。 離子注入：一種半導(dǎo)體摻雜工藝。 晶格：晶體中原子的周期性排列。 密勒指數(shù)：用以描述晶面的一組整數(shù)。 原胞：可復(fù)制得到整個(gè)晶格的最小單元。 襯底：用于更多半導(dǎo)體工藝，比如外延或擴(kuò)散的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體硅片或其他材料。 三元半導(dǎo)體：三元素化合物半導(dǎo)體，如AlGaAs. 晶胞：可以重構(gòu)出整個(gè)晶體的一小部分晶體。 鉛鋅礦晶格：與金剛石晶格相同的一種晶格，但它有兩種類型的原子而非一種。 突變結(jié)近似：認(rèn)為從中性半導(dǎo)體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個(gè)突然的不連續(xù)。 內(nèi)建電勢(shì)差：熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電點(diǎn)勢(shì)差。 耗盡層電容：勢(shì)壘電容的另一種表達(dá)。 耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達(dá)。 超突變結(jié)：一種為了實(shí)現(xiàn)特殊電容-電壓特性而進(jìn)行冶金結(jié)處高摻雜的pn結(jié)，其特點(diǎn)為pn結(jié)一側(cè)的摻雜有冶金結(jié)處開始下降。 勢(shì)壘電容（結(jié)電容）：反向偏置下pn結(jié)的電容。 線性緩變結(jié)：冶金結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結(jié)。 冶金結(jié)：pn結(jié)內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面。 單邊突變結(jié)：冶金結(jié)一側(cè)的摻雜濃度大于另一側(cè)的摻雜濃度的pn結(jié)。 反偏：pn結(jié)的n區(qū)相對(duì)于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢(shì)壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時(shí)勢(shì)壘的大小。 空間電荷區(qū)：冶金結(jié)兩側(cè)由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負(fù)電的區(qū)域。 空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數(shù)。 變?nèi)荻O管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。 雪崩擊穿：電子和（或）空穴穿越空間電荷區(qū)時(shí)，與空間電荷區(qū)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在pn結(jié)內(nèi)形成一股很大的反偏電流，這個(gè)過程就稱為雪崩擊穿。 載流子注入：外加偏壓時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)載流子穿過空間電荷區(qū)進(jìn)入p區(qū)或n區(qū)的過程。 臨界電場：發(fā)生擊穿時(shí)pn結(jié)空間電荷區(qū)的最大電場強(qiáng)度。 擴(kuò)散電容：正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容。 擴(kuò)散電導(dǎo)：正偏pn結(jié)的低頻小信號(hào)正弦電流于電壓的比值。 擴(kuò)散電阻：擴(kuò)散電導(dǎo)的倒數(shù)。 正偏：p區(qū)相對(duì)于n區(qū)加正電壓，此時(shí)結(jié)兩側(cè)的電勢(shì)差要低于熱平衡時(shí)的值。 產(chǎn)生電流：pn結(jié)空間電荷區(qū)內(nèi)由于電子-空穴對(duì)熱產(chǎn)生效應(yīng)形成的反偏電流。 長二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)的長度大于少子擴(kuò)散長度的二極管。 復(fù)合電流：穿越空間電荷區(qū)時(shí)發(fā)生復(fù)合的電子與空穴所產(chǎn)生的正偏pn結(jié)電流。 反向飽和電流：pn結(jié)體內(nèi)的理想反向電流。 短二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)中至少有一個(gè)區(qū)的長度小于少子擴(kuò)散長度的pn結(jié)二極管。 存儲(chǔ)時(shí)間：當(dāng)pn結(jié)二極管由正偏變?yōu)榉雌珪r(shí)，空間電荷區(qū)邊緣的過剩少子濃度有穩(wěn)態(tài)值變成零所用的時(shí)間。 反型異質(zhì)結(jié)：摻雜劑在冶金結(jié)處變化的異質(zhì)結(jié)。 電子親合規(guī)則：這個(gè)規(guī)則是指，在一個(gè)理想的異質(zhì)結(jié)中，導(dǎo)帶處的不連續(xù)性是由于兩種半導(dǎo)體材料的電子親合能不同引起的。 異質(zhì)結(jié)：兩種不同半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。 鏡像力降低效應(yīng)：由于電場引起的金屬-半導(dǎo)體接觸處勢(shì)壘值降低的現(xiàn)象。 同型異質(zhì)結(jié)：摻雜劑在冶金結(jié)處不變的異質(zhì)結(jié)。 歐姆接觸：金屬半導(dǎo)體接觸電阻很低，且在結(jié)兩邊都能形成電流的接觸。 理查德森常數(shù)：肖特基二極管的I-V關(guān)系中的一個(gè)參數(shù)A*。 肖特基勢(shì)壘高度：金屬-半導(dǎo)體結(jié)中從金屬到半導(dǎo)體的勢(shì)壘φBn。 肖特基效應(yīng)：鏡像力降低效應(yīng)的另一種形式。 單位接觸電阻：金屬半導(dǎo)體接觸的J-V曲線在V=0時(shí)的斜率的倒數(shù)。 熱電子發(fā)射效應(yīng)：載流子具有足夠的熱能時(shí)，電荷流過勢(shì)壘的過程。 隧道勢(shì)壘：一個(gè)薄勢(shì)壘，在薄勢(shì)壘中，起主要作用的電流是隧道電流。 二維電子氣（2-DEG）：電子堆積在異質(zhì)結(jié)表面的勢(shì)阱中，但可以沿著其他兩個(gè)方向自由流動(dòng)。 截止頻率：共基極電流增益幅值變?yōu)槠漕l率值的1 時(shí)的頻率，就是截止頻率。 禁帶變窄：隨著發(fā)燒區(qū)摻雜，禁帶的寬度減小。 基區(qū)渡越時(shí)間：少子通過中性基區(qū)所用的時(shí)間。 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)：共基極電流增益中的一個(gè)系數(shù)，體現(xiàn)了中性基區(qū)中載流子的復(fù)合。 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：隨C-E結(jié)電壓或C-B結(jié)電壓的變化，中性基區(qū)寬度的變化。 β截止頻率：共發(fā)射極電流增益幅值下降到其頻率值的1 時(shí)的頻率。 集電結(jié)電容充電時(shí)間：隨發(fā)射極電流變化，B-C結(jié)空間電荷區(qū)和集電區(qū)-襯底結(jié)空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時(shí)間常數(shù)。 集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間：載流子被掃過B-C結(jié)空間電荷區(qū)所需的時(shí)間。 共基極電流增益：集電極電流與發(fā)射極電流之比。 共發(fā)射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。 電流集邊：基極串聯(lián)電阻的橫向壓降使得發(fā)射極電流為非均勻值。 截止：晶體管兩個(gè)結(jié)均為加零偏或反偏時(shí)，晶體管電流為零的工作狀態(tài)。 截止頻率：共發(fā)射極電流增益的幅值為1時(shí)的頻率。 厄爾利電壓：反向延長晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點(diǎn)的電壓的絕對(duì)值。 E-B結(jié)電容充電時(shí)間：發(fā)射極電流的變化引起B(yǎng)-E結(jié)空間電荷區(qū)寬度變化所需的時(shí)間。 發(fā)射極注入效率系數(shù)：共基極電流增益的一個(gè)系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。 正向有源：B-E結(jié)正偏、B-C結(jié)反偏時(shí)的工作模式。 反向有源：B-E結(jié)反偏、B-C結(jié)正偏時(shí)的工作模式。 輸出電導(dǎo)：集電極電流對(duì)C-E兩端電壓的微分之比。 堆積層電荷：由于熱平衡載流子濃度過剩而在氧化層下面產(chǎn)生的電荷。 體電荷效應(yīng)：由于漏源電壓該變而引起的沿溝道長度方向上的空間電荷寬度改變所導(dǎo)致的漏電流偏離理想情況。 溝道電導(dǎo)：當(dāng)VDS→0時(shí)漏電流與漏電壓之比。 溝道電導(dǎo)調(diào)制：溝道電導(dǎo)隨柵源電壓改變的過程。 CMOS：互補(bǔ)MOS；將P溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝。 截止頻率：輸入交流柵電流等于輸出交流漏電流時(shí)的信號(hào)頻率。 耗盡型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荜P(guān)閉的一類MOSFET。 增強(qiáng)性MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荛_啟的一類MOSFET。 等價(jià)固定氧化層電荷：與氧化層—半導(dǎo)體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Q′M表示。 平帶電壓：平帶條件發(fā)生時(shí)所加的柵壓，此時(shí)在氧化層下面的半導(dǎo)體中沒有空間電荷區(qū)。 柵電容充電時(shí)間：由于柵極信號(hào)變化引起的輸入柵電容的充電或放電時(shí)間。 界面態(tài)：氧化層—半導(dǎo)體界面處禁帶寬度中允許的電子能態(tài)。 反型層電荷：氧化層下面產(chǎn)生的電荷，它們與半導(dǎo)體摻雜的類型是相反的。 反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率。 閂鎖：如在CMOS電路中那樣，可能發(fā)生在四層pnpn結(jié)構(gòu)中的高電流、低電壓現(xiàn)象。 最大空間電荷區(qū)寬度：閾值反型時(shí)氧化層下面的空間電荷區(qū)寬度。 金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差：金屬功函數(shù)和電子親合能之差的函數(shù)，用φms表示。 臨界反型：當(dāng)柵壓接近或等于閾值電壓時(shí)空間電荷寬度的微弱改變，并且反型電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形。 柵氧化層電容：氧化層介電常數(shù)與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox。 飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數(shù)的情形。 強(qiáng)反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時(shí)的情形。 閾值反型點(diǎn)：反型電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形。 閾值電壓：達(dá)到閾值反型點(diǎn)所需的柵壓。 跨異：漏電流的改變量與其對(duì)應(yīng)的柵壓改變量之比。 弱反型：反型電荷密度小于摻雜濃度時(shí)的情形。 溝道長度調(diào)制：當(dāng)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)有效溝道長度隨漏-源電壓的改變。 熱電子：由于在高場強(qiáng)中被加速，能量遠(yuǎn)大于熱平衡時(shí)的值的電子。 輕摻雜漏（LDD）：為了減小電壓擊穿效應(yīng)，在緊鄰溝道處制造-輕摻雜漏的MOSFET。 窄溝道效應(yīng)：溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。 漏源穿通：由于漏-源電壓引起的源極和襯低之間的勢(shì)壘高度降低，從而導(dǎo)致漏電流的迅速增大。 短溝道效應(yīng)：溝道長度變短引起的閾值電壓的偏移。 寄生晶體管擊穿：寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSFET擊穿過程中出現(xiàn)的負(fù)阻效應(yīng)。 壓閾值導(dǎo)電：當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時(shí)，MOSFET中的導(dǎo)電過程。 表面散射：當(dāng)載流子在源極和漏極漂移時(shí)，氧化層—半導(dǎo)體界面處載流子的電場吸引作用和庫侖排斥作用。 閾值調(diào)整：通過離子注入改變半導(dǎo)體摻雜濃度，從而改變閾值電壓的過程。 電容電荷存儲(chǔ)時(shí)間：柵極輸入信號(hào)改變使柵極輸入電容存儲(chǔ)或釋放電荷的時(shí)間。 溝道電導(dǎo)：當(dāng)漏源電壓趨近于極限值零時(shí)，漏電流隨著漏源電壓的變化率。 溝道電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)：溝道電導(dǎo)隨柵極電壓的變化過程。 溝道長度調(diào)制效應(yīng)：JFET處于飽和區(qū)時(shí)，有效溝道長度隨漏源電壓而變化。 電導(dǎo)參數(shù)：增強(qiáng)型MESFET的漏電流與柵源電壓的表達(dá)式中的倍數(shù)因kn。 截止頻率：小信號(hào)柵極輸入電流值與小信號(hào)漏極電流值一致時(shí)的頻率。 耗盡型JFET：必須加以柵源電壓才能形成溝道夾斷使器件截止的JFET。 增強(qiáng)型JFET：柵極電壓為零時(shí)已經(jīng)夾斷，必須加以柵源電壓以形成溝道，以使器件開啟的JFET。 內(nèi)建夾斷電壓：溝道夾斷時(shí)柵結(jié)上的總電壓降。 輸出電阻：柵源電壓隨漏極電流的變化率。 夾斷：柵結(jié)空間電荷區(qū)完全擴(kuò)展進(jìn)溝道，以至于溝道被耗盡的自由載流子充滿的現(xiàn)象。 吸收系數(shù)：再半導(dǎo)體材料中，單位距離吸收的相對(duì)光子數(shù)，用α表示。 俄歇復(fù)合：電子和空穴的復(fù)合伴隨著吸收其他粒子所釋放的能量，是一個(gè)非輻射復(fù)合過程。 轉(zhuǎn)換系數(shù)：在太陽能電池中，輸出的電功率和入射的光功率之比。 延長光電流：半導(dǎo)體器件中由于擴(kuò)散電流引起的光功率之比。 外量子效應(yīng)：在半導(dǎo)體器件中，發(fā)射的光子數(shù)和總光子數(shù)的比率。 填充系數(shù)：ImVm與IscVoc的比率，是太陽能電池有效輸出能量的度量。Im和Vm是在最大功率點(diǎn)的電流和電壓值。Isc和Voc是短路電流和開路電壓。 菲涅耳損耗：由于折射系數(shù)的變化，在界面處入射光子被反射的部分。 內(nèi)量子效率：能夠產(chǎn)生發(fā)光的二極管電流部分。 發(fā)光二極管（LED）：在正偏pn結(jié)中，由于電子-空穴復(fù)合而產(chǎn)生的自發(fā)光子發(fā)射。 發(fā)光：光發(fā)射的總性質(zhì)。 菲輻射復(fù)合：不產(chǎn)生光子的電子和空穴的復(fù)合過程，例如硅中在導(dǎo)帶和價(jià)帶間的間接躍遷。 開路電壓：太陽能電池的外電路開路時(shí)的電壓。 光電流：由于吸收光子而在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生過剩載流子，從而形成的電流。 分布反轉(zhuǎn)：處于高能級(jí)的電子濃度比處于低能級(jí)的電子濃度大的情況，是一個(gè)非平衡狀態(tài)。 瞬時(shí)光電流：半導(dǎo)體器件的空間電荷區(qū)產(chǎn)生的光電流成分。 輻射復(fù)合：電子和空穴的復(fù)合過程能夠產(chǎn)生光子，例如砷化鎵中的帶與帶之間的直接復(fù)合。 肖克萊-里德-霍耳復(fù)合：通過深能級(jí)陷阱而進(jìn)行的電子-空穴對(duì)的復(fù)合，是非輻射復(fù)合過程。 短路電流：太陽能電池兩端直接相連時(shí)的電流。 受激發(fā)射：有個(gè)電子被入射光子激發(fā)，躍遷到低能級(jí)，同時(shí)發(fā)射第二個(gè)光子的過程。 雙擴(kuò)散MOSFET（DMOS）：一種功率MOSFET，其源區(qū)與溝道區(qū)是通過雙擴(kuò)散工藝形成的。 HEXFET：一種功率MOSFET的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)是由許多的MOSFET并行放置而形成的六角形組態(tài)。 最大額定電流：使得功率晶體管保持正常工作的最大允許電流。 最大額定功率：功率晶體管不出現(xiàn)永久損壞時(shí)的最大允許功耗。 最大額定電壓：擊穿沒有發(fā)生時(shí)功率晶體管的最大允許適用電壓。 導(dǎo)通電阻：功率MOSFET的漏源之間的有效電阻。 安全工作區(qū)：功率晶體管的一種擊穿效應(yīng)，是由高溫產(chǎn)生的一種熱漂移現(xiàn)象。 SCR（半導(dǎo)體可控整流器）：三極半導(dǎo)體閘流管的通用名稱。 半導(dǎo)體閘流管：一系列半導(dǎo)體pnpn開關(guān)型器件的名稱，這些器件有著雙穩(wěn)態(tài)正反饋開關(guān)特性。 三端雙向可控硅開關(guān)元件：雙邊三極半導(dǎo)體閘流管的名稱。 V槽MOSFET（VMOS）：一種功率MOSFET，其中溝道區(qū)是沿半導(dǎo)體表面形成的V形槽而形成的。
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