微訪談：漢磊科技總經理莊淵棋

據(jù)麥姆斯咨詢報道，隨著技術進步和市場普及，碳化硅（SiC）功率器件前景被廣泛看好。根據(jù)Yole于2018年發(fā)布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應用-2018版》報告預測，到2023年SiC功率市場總值將超過14億美元，2017年至2023年的復合年增長率（CAGR）將達到29%。SiC市場非常活躍，吸引了業(yè)界很多公司的關注。SiC相關的專利申請顯著增加也有力的證明了當前這一趨勢，具體可以參見由Yole旗下全資子公司Knowmade最新發(fā)布的專利態(tài)勢報告：《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》。

當前的問題更集中在未來五年的市場增長以及相關的供應鏈上。SiC供應鏈是否已為支持市場加速發(fā)展做好了準備？為了支持市場的需求，領先的集成器件制造商（IDM）正在提升他們的產能，晶圓代工模式也在迅速發(fā)展中。

漢磊科技股份有限公司（Episil Technologies）總部位于臺灣，是最早提供SiC功率器件代工服務的晶圓廠之一。Yole專注于化合物半導體和新興材料方面的高級技術和市場分析師Hong Lin博士，有幸采訪到漢磊科技總經理莊淵棋（Andy Chuang），兩位專家一同討論了這個市場的技術發(fā)展和創(chuàng)新。以下為精彩的訪談內容。

Hong Lin（以下簡稱HL）：請您先簡單介紹一下漢磊科技，以及公司的服務、歷史和當前的業(yè)務？

莊淵棋：漢磊科技是漢磊先進投資控股股份有限公司（Episil Holdings）下屬全資子公司，是一家在1985年成立的臺灣晶圓代工廠。在20世紀90年代，公司開始為硅基功率器件提供代工服務。隨后，公司不斷擴大產能，到現(xiàn)在已擁有三座晶圓廠，可同時提供硅和寬禁帶（WBG）半導體代工服務，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

HL：漢磊科技是什么時候開始介入WBG市場？是什么原因讓漢磊科技決定進軍WBG業(yè)務？

莊淵棋：大約十年前，硅市場的競爭越來越激烈。集團決定采用“藍海”戰(zhàn)略，挖掘當時競爭比較小的市場作為未來發(fā)展的業(yè)務。公司具有遠見卓識，看到了WBG業(yè)務的市場潛力。從那時起，漢磊科技得到了股東和漢磊集團的全力支持。

HL：漢磊科技的SiC產品組合有哪些？公司未來五年相關的規(guī)劃路線圖是什么？

莊淵棋：漢磊科技自2015年開始WBG的生產。我們現(xiàn)在為600V-1200V肖特基勢壘二極管（SBD）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）提供4英寸SiC代工服務，并正在建立一條6英寸SiC生產線，可在2019年下半年為客戶試生產做好準備。

2017~2023年SiC功率器件市場規(guī)模 來源：《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應用-2018版

HL：您能介紹一下漢磊科技在GaN方面的業(yè)務發(fā)展么？也請您詳細介紹一下未來五年GaN相關的規(guī)劃路線圖？

莊淵棋：漢磊科技開發(fā)的GaN工藝，在美國市場已處于領先地位，我們也為其他公司提供GaN代工服務。目前漢磊科技主要專注于功率產品。

HL：漢磊科技在SiC代工方面的服務特色主要是什么？

莊淵棋：漢磊科技在客戶數(shù)量和產品數(shù)量方面都有口皆碑。我們的SBD/平面結勢壘肖特基（JBS）平臺可以為客戶提供高品質的制造，良率超過95%。另外，漢磊科技承諾為客戶提供SiC SBD和SiC MOSFET的制造周期分別為一個月和兩個月，在交付時間上非常具有競爭力。此外，漢磊科技為所有客戶提供一站式服務，包括：SiC外延、器件制造、背面減薄、背面金屬化（激光退火）以及芯片探針測試。漢磊科技同時提供4英寸和6英寸SiC代工服務，客戶可以根據(jù)自身需求選擇最適合的產品。

HL：您認為漢磊科技開發(fā)的SiC和GaN技術的附加值是什么？

莊淵棋：在漢磊科技，我們的合作伙伴可以獲得一站式服務。我們提供從前端外延到后端測試全產業(yè)鏈的服務，這點一直受到我們合作伙伴的高度贊賞。此外，我們的服務質量很高，例如我們的背面減薄技術，可以將SiC晶圓減薄到只有4 mil（100 μm）。

HL：Knowmade最新發(fā)布了一份關于SiC器件的專利態(tài)勢分析報告（《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》）。但在這份新報告中，Knowmade分析師沒有發(fā)現(xiàn)漢磊科技相關的專利申請。您對此結果有何評論？您能否向大家介紹一下漢磊科技在知識產權方面的戰(zhàn)略？漢磊科技是否會受到專利許可的影響？

莊淵棋：作為代工服務的提供商，我們專注于工藝的開發(fā)。我們?yōu)槲覀兊暮献骰锇樘峁V泛通用的工藝，這不會存在專利問題。當所設計的器件結構獲得專利時，我們的合作伙伴會帶來他們的專利，讓我們?yōu)樗麄冮_發(fā)工藝。

SiC MOSFET、SBD和功率模塊專利主要申請人 來源：《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SB

HL：您如何看待WBG市場未來的發(fā)展趨勢，特別是SiC和GaN市場？

莊淵棋：從2017至2018年間，我們看到了市場明顯的變化。我們現(xiàn)在擁有一長串的SiC業(yè)務相關的客戶名單，其中超過45家客戶參與，涉及300多款產品。毫不懷疑這個市場正在起飛。

HL：漢磊科技通過了車規(guī)認證。所有三個晶圓廠都獲得了TS16949汽車業(yè)品質管理系統(tǒng)認證。汽車是驅動功率電子市場最重要的因素之一。WBG技術在這個市場中扮演什么樣的角色？商業(yè)化成熟的上市時間點會在什么時候，特別是SiC和GaN解決方案？

莊淵棋：我們看到SiC在電動汽車（EV）中發(fā)揮著重要作用。特別是，中國的汽車廠商非常活躍，而且他們都將在電動車中使用SiC。

HL：您們接下來在WBG方面的業(yè)務發(fā)展計劃有哪些？

莊淵棋：我們正在開發(fā)1700V的SiC SBD，并且還在開發(fā)SiC溝槽MOSFET工藝。我們現(xiàn)在正在建設6英寸SiC生產線，它將在2019年下半年為客戶試生產做好準備。在GaN方面，我們繼續(xù)為GaN產品升級新一代工藝。除了GaN分立器件，我們還與客戶共同開發(fā)了GaN集成電路（IC）平臺，并正在向下一代更具競爭力的技術遷移。

延伸閱讀：

《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》

《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應用-2018版》

《英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組：DF11MR12W1M1_B11》

《羅姆1700V碳化硅MOSFET分立器件：SCT2H12NZGC11》

《Wolfspeed碳化硅功率MOSFET：C2M0025120D》

《Littelfuse增強模式碳化硅MOSFET：LSIC1MO120E0080》

《UnitedSiC的1200V碳化硅JFET：UJN1205K》

原文鏈接：http://www./mems/micro-interview_201901/7653.html