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今天我們介紹一種新的存儲器類型--可編程存儲器。不同于之前介紹的靜態(tài)存儲器（SRAM）科普｜一文看懂緩存（值得轉(zhuǎn)發(fā)收藏）和動態(tài)存儲器（DRAM）你真的了解內(nèi)存嗎？一文看懂內(nèi)存?。ㄖ档檬詹兀?/a>，可編程存儲器programmable memory）可以將程序存儲在存儲器中。 可編程存儲器介紹按照分類，可以將可編程存儲器分為一次可編程存儲器和多次可編程存儲器。兩者的區(qū)別在于可以進(jìn)行編程燒錄的次數(shù)。只能一次性燒錄程序后不可更改或刪除的就是一次可編程存儲器了，同理推之多次可編程。 早在1956年受美國空軍所托，美國科學(xué)家周文俊發(fā)明了可編程只讀存儲器（programmable read only memory，PROM）。此時的PROM還都是一次可編程存儲器。當(dāng)時有兩種方法實現(xiàn)一次可編程只讀存儲器，一種是通過大電流熔斷熔絲，只是這種熔絲一旦斷了是不可復(fù)原的。還有另外一種則是通過肖特基二極管進(jìn)行永久擊穿，實現(xiàn)一次性燒錄。 后來發(fā)現(xiàn)上面的燒錄方式太浪費(fèi)芯片了，而且在使用單片機(jī)中，需要不斷改寫程序。如果只有一次可編程只讀存儲器，也不是很方便，而且還很浪費(fèi)。所以后來就有Intel公司的工程師發(fā)明了EPROM，用于單片機(jī)代碼的存儲。而EPROM相比之前存儲器的進(jìn)步之處在于，其有專門的EPROM擦除器，利用紫外線進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除，從而實現(xiàn)多次可編程的效果。  單片機(jī)芯片內(nèi)含EEPROM 而后來人們發(fā)現(xiàn)用紫外線擦除數(shù)據(jù)也不方便，就發(fā)明了電可擦除存儲器（Electrically erasable programmable read only memory , EEPROM ），采用電而不再是用紫外線進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除。 EEPROM的發(fā)明者我們有必要銘記，因為EEPROM為后來的閃存（Flash）的出現(xiàn)提供了理論基礎(chǔ)。EEPROM的發(fā)明人有兩位。一位是當(dāng)年貝爾實驗室肖克利的助理施敏，現(xiàn)任臺灣交大教授。還有另外一位是美籍韓國同事姜大元。如果沒有記錯，姜大元后來回去韓國創(chuàng)業(yè)的公司被三星收購，三星也就是以那個公司為起點，開啟了三星半導(dǎo)體帝國的偉大征程。 下面簡單介紹下EEPROM的基本原理，EEPROM通過將電子鎖在floating gate（浮柵）中，來實現(xiàn)0或1的存儲，通常有電子代表1，無電子代表0。即使沒有電的時候也能數(shù)據(jù)也能保存，因此EEPROM屬于我們之前介紹的非易失性存儲器類型。通過控制Control gate的電壓實現(xiàn)浮柵中的電子，當(dāng)控制端施加正的大電壓時可將電子吸入浮柵中，困住電子。當(dāng)控制端施加負(fù)的大電壓時電子便可以通過遂穿效應(yīng)逃出浮柵。所以EEPROM相比紫外線擦除，用電壓擦除數(shù)據(jù)方便多了。  EEPROM原理圖 關(guān)于EEPROM和閃存Flash的區(qū)別主要是在擦除的范圍，EEPROM是單個字節(jié)現(xiàn)在也能多個字節(jié)進(jìn)行擦除，而Flash則是一個字區(qū)（block）進(jìn)行擦除，因此flash的擦除速度更快。 新型存儲技術(shù)對應(yīng)類型現(xiàn)在出現(xiàn)了很多新型存儲器，各自對應(yīng)到可編程存儲器中不太一樣。電阻性存儲器則是屬于一次可編程存儲器。而鐵電隨機(jī)存取存儲器和磁性隨機(jī)存取存儲器則可以實現(xiàn)多次可編程操作。 總結(jié)可編程存儲器可以分為一次可編程和多次可編程存儲器。現(xiàn)在可編程存儲器已經(jīng)成為存儲器的重要分支。隨著人類需求的提升，新型存儲器有望迎來新一輪發(fā)展。
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來自： q1338 > 《半導(dǎo)體》
