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常用電子元器件基本知識整理

 為學而樂 2019-01-12

1 電阻

它是導體的一種基本性質,與溫度、材質、尺寸、橫截面積相關……電阻的主要物理特征是把電能變?yōu)闊崮?,也可說它是一個耗能元件,電流經過它就產生內能,所以注意在選用電阻的時候要算一下電路的流過的電流,并選用合適功率的電阻,防止電阻由于過度發(fā)熱產生不必要的麻煩。

電阻的常見作用:

①上拉電阻:上拉電阻的作用也不盡相同。有些上拉電阻是給芯片的相關引腳提供初始‘高’狀態(tài);漏極開路的芯片引腳則通過上拉 從而提供“高”狀態(tài)的驅動電流(比如三極管的集電極上的電阻);也有些引腳的上拉電阻是根據(jù)芯片的設計要求為芯片的相關功能接口提供偏置設定等等。

②下拉電阻:下拉電阻多是為芯片的功能接口提供偏置設定或補償設定。比如信號的輸入端加一個下拉電阻,可以讓芯片上電初始呈現(xiàn)低電平狀態(tài)。

③分壓電阻:為了保證得到精確的所需電壓

④終端電阻:在高速信號設計中,有時候需要在信號的源端或終端加一些電阻進行阻抗匹配(阻抗匹配的概念請參考高速信號設計的 相關技術書籍)。主要目的進行阻抗匹配。

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⑤電流檢測電阻:用來檢測通過的電流大小的,如下圖中的 R2305 和 R2301。其工作原理是檢測電阻兩端的電 壓差,除以其電阻值,芯片就可計算出通過的電流大小。由于 希望該電阻上的壓降盡量小,從而不影響電源電壓的傳輸,所以一般這些電阻的阻值會選得很小。

2 電容

電容的定義:是由兩塊金屬電極之間夾一層絕緣電介質構成。

特點:① 它具有充放電特性和阻止直流電流通過,允許交流電流通過的能力。②在充電和放電過程中,兩極板上的電荷有積累過程,也即電壓有建立過程,因此,電容器上的電壓不能突變。 電容器的充電:兩板分別帶等量異種電荷,每個極板帶電量的絕對值叫電容器的帶電量。電容器的放電:電容器兩極正負電荷通過導線中和,在放電過程中導線上有 短暫的電流產生。③電容器的容抗與頻率、容量之間成反比。即分析容抗大小時就得聯(lián)系信號的頻率高低、容量大小。

電容的常見作用:

①退耦電容:滿足芯片內部晶體管導通時所需的瞬態(tài)電流。同時還起到濾波的作用。

②耦合電容:在現(xiàn)在的電腦設計中用的很多的 PCI Express 總線的差分信號中往往會串接電容,這種電容根據(jù)其功能,有個名稱叫交流耦合電容(AC coupling )。 1可以降低共模干擾,提高傳輸?shù)捷斎攵说男盘栙|量 。2該電容阻斷輸出和輸入的直流通道,便于有需要的電路。3在輸出端和輸入端設置不同的直流偏置

③旁路電容:是把輸入信號的一些干擾以及不需要的頻率分量給過濾掉,從而讓需要的頻率分量以及干凈的信號進入到輸入電路,確保輸入電路穩(wěn)定工作。

④濾波電容:是利用電容充放電原理,把交流的輸出波形處理成直流輸出波形。

⑤晶振起振電容

注意:有關電容的幾個公式①C=Q/U ②Q=I*T (C:電容容值。Q:電荷值 I:電流大小 T:時間)

3 電感

電感器(Inductor)是能夠把電能轉化為磁能而存儲起來的元件。主要特性:通直流阻交流。

電感器在電路中主要起到濾波、振蕩、延遲、陷波等作用,還有篩選信號、過濾噪聲、穩(wěn)定電流及抑制電磁波干擾等作用。

①電感在電路最常見的作用就是與電容一起,組成 LC 濾波電路。

注意:有關電感的公式:感抗=2*π*f*L w=2*π*f

3 二極管

二極管種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺二極管(Ge 管)和硅二極管(Si 管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管、隔離 二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。鍺二極管的導通電壓為0.2V-0.3V,硅二極管導通電壓為0.5V-0.8V.

①開關二極管:二極管的開關功能,利用其單向導電性。比如:

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②發(fā)光二極管:典型的發(fā)光二極管的應用電路。

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4 三極管

控制電流的半導體器件,利用其特性把微弱的信號的幅值進行放大。也用作無觸點開關。晶體三極管最大的特性是具有電流放大作用,其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。放大倍數(shù)為β,β=集電極電流的變化量除以基極電流的變化量。

三極管的工作狀態(tài):

①放大狀態(tài):發(fā)射極正偏,集電極反偏

②截止狀態(tài):發(fā)射極反偏,集電極反偏

③飽和狀態(tài):發(fā)射極正偏,集電極正偏

5 MOS管

定義:FET是把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化,其增益等于它的 transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

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MOS管的導通條件:

當 VGS 小于 MOS 的門限電壓時,MOS 管不導通,漏極和源極間(D-S 間)關斷;

當 VGS 大于 MOS 的門限電壓時,MOS 管導通,漏極和 源極間(D-S 間)直連,電壓幾乎相同。

MOS管和三極管的區(qū)別:

①場效應晶體管是電壓控制元件,而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用雙極晶體管。

②有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比雙極晶體管好。

③場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器 件,而雙極結型晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù) 載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。

④場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛 的應用。

半波整流與全波整流的區(qū)別

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