|
   1: 鍋具的選用 電磁爐的鍋具選用，應(yīng)該嚴格按照廠家隨機原配的鍋具進行使用。廠家在設(shè)計電磁爐加熱功率電路時，首先根據(jù)鍋質(zhì)的“磁阻”大小而定的，不同的鍋具“磁阻”會決定電磁爐檢鍋脈沖個數(shù)也不同。如美的電磁爐鍋具不銹鋼（304）“磁阻”，比不銹鐵（430）“磁阻”要大，在同等2000 W 電磁爐上，若將不銹鐵（430）鍋具放上進行加熱是無法達到額定2000 W 功率；反之，將不銹鋼（304）鍋具放上進行加熱，就輕而易舉達到2500 W 甚至更高。所以說鍋具選用不當，會導(dǎo)致電磁爐出現(xiàn)爆損IGBT 管原因之一。 2：LC振蕩電路。 LC 振蕩電路實際上是把電能轉(zhuǎn)換成磁能，由IGBT管、加熱線圈盤L 及諧振電容C5 組成高頻LC 振蕩回路，并通過IGBT 管高頻開關(guān)導(dǎo)通、截止的作用，來實現(xiàn)控制電磁爐的加熱功率。 當LC 振蕩電路受損時，會致使電磁爐出現(xiàn)爆損IGBT 管、報警不加熱及不報警不加熱等故障。其維修步驟如下： 一臺美的2005 年標準通板MC-SH2111 型電磁爐，（取下加熱線圈盤）––將該電磁爐上電待機，用萬用表直流電壓（50 V）檔紅表筆（+）接在IGBT 管集電極c 上，黑表筆（-）接在整流橋負極上，將電磁爐上電,此時萬用表指針快速從0 V 開始上升至+45 V 后，又回降至+0.6 V 電壓，為正常。 ( 1）諧振電容容量與電壓峰值①當諧振電容C5 為（0.3 μF/1200 V）時，測IGBT管集電極c 峰值對地為+45 V 至+0.6 V 電壓，正常。 ② 當諧振電容C5 為0.27 μF/1200 V 時，測IGBT 管集電極c 峰值對地為+42 V 至+0.6 V 電壓，正常。 若測IGBT 管集電極c 峰值對地0 V 電壓時，為諧振電容C5 失效或開路損壞及同步電壓比較電路中比較器U2D（LM339）損壞，使13腳輸出高電平（正常為+0.1 V）。這時，若接上加熱線圈盤上電，會致使電磁爐上電時出現(xiàn)爆損IGBT 管故障。 (2）當測IGBT 管集電極c 峰值對地電壓始終持續(xù)在+225 V 或+45 V 時，為高壓供電電路中濾波電容C4（5 μF/275 V）失效或開路。這時，若接上加熱線圈盤上電，會致使電磁爐上電加熱時出現(xiàn)爆損IGBT 管、報警不加熱、不報警不加熱、不停地檢鍋及斷續(xù)加熱等故障。 （3）當測IGBT 管集電極c 峰值對地為+25 V 至+0.2 V 電壓時（正常為+45 V 至+0.6 V），為諧振電容C5 失效或開路。這時，若接上加熱線圈盤上電，會致使電磁爐上電加熱時出現(xiàn)爆損IGBT 管、報警不加熱及不報警不加熱等故障。 （4）將電磁爐上電，當測IGBT 管集電極c 對地為+0.6 V 電壓，正常，裝上加熱線圈盤測IGBT 管集電極c 對地為+305 V 電壓，正常。這時，若上電開機，放鍋加熱，會致使電磁爐出現(xiàn)爆損IGBT 管故障，為加熱線圈盤損壞所致。 （5）將電磁爐上電，當測IGBT 管集電極c 對地為+0.6 V 電壓，正常，裝上加熱線圈盤測IGBT 管集電極c 對地為+305 V 電壓，正常。這時，若上電開機，放鍋加熱，會致使電磁爐出現(xiàn)爆損IGBT 管故障，為IGBT 管控制極c 對地分壓貼片電阻R38 開路損壞所致。 （6）將電磁爐上電，當測IGBT 管集電極c 對地為+0.6 V 電壓，正常，裝上加熱線圈盤測IGBT 管集電極c 對地為+305 V 電壓，正常。這時，若上電開機，放鍋加熱，會致使電磁爐出現(xiàn)爆損IGBT 管故障，為IGBT管控制極G 限幅穩(wěn)壓二極管Z1 漏電所致。 同步電壓比較電路。 電磁爐加熱線圈L 與高頻諧振電容C3 是通過IGBT 管高頻開關(guān)快速導(dǎo)通、截止，形成LC 振蕩電路。 LC **振蕩的半周期時間出現(xiàn)峰值電壓，亦是IGBT管截止時間，這時開關(guān)脈沖沒有到達。這個時間關(guān)系不能錯位，如峰值脈沖還沒有消失，而開關(guān)脈沖已提前到來，就會出現(xiàn)很大的導(dǎo)通電流，導(dǎo)致IGBT 管燒壞。因此，必須保證開關(guān)脈沖前沿與峰值脈沖后沿相同步。 當同步電壓比較電路受損時，會致使電磁爐在上電加熱時出現(xiàn)爆損IGBT 管、報警不加熱、不報警不加熱、不停地檢鍋及斷續(xù)加熱等故障。其維修步驟如下： 一臺美的MC-SF2012 型電磁爐，通常，筆者在維修電磁爐同步電壓比較電路時，為了避免IGBT 管爆管，先取下加熱線圈盤，因此，就造成比較電路IC2C（LM339）⑨腳（V+ 同相輸入端）對地為0 V 電壓（正常為+3.6 V），使比較電路IC2C輥輲訛?zāi)_（輸出端）為低電平（正常為+18 V）。針對該故障，在IC2C（LM339）⑨腳（V+ 端），用普通電阻1.5 kΩ 與整機+5 V 電壓端相聯(lián)構(gòu)成同步電壓比較電路（V+ 取樣電壓），提供維修檢測同步電壓比較電路時使用，并將電磁爐上電待測。 用萬用表直流電壓（10 V）檔測同步電壓比較電路中IC2C（LM339）⑧腳（V- 反相輸入端）對地為+3.4 V電壓，正常，若該工作點電壓異常，多為取樣電阻R18（330 kΩ/2 W）變值或開路損壞，電容C13（2000 pF）漏電或擊穿及IC2C（LM339）損壞，會致使電磁爐上電加熱時出現(xiàn)報警不加熱、不報警不加熱等故障。 測IC2C（LM339）⑨ 腳（V+ 同相輸入端）對地為+3.6 V 電壓，正常。若該工作點電壓異常，多為取樣電阻R19（240 kΩ/2 W）、R20（240 kΩ/2 W）變值或開路，電容C10（470 pF）漏電或擊穿及IC2C（LM339）損壞，會致使電磁爐上電加熱時出現(xiàn)爆損IGBT 管、報警不加熱、不報警不加熱、不停地檢鍋及斷續(xù)加熱等故障。 測IC2C（LM339）輥輲訛?zāi)_（輸出端/OUT）對地為+18 V電壓，正常。若該工作點電壓異常，多為貼片電阻R39（2 kΩ）變值或開路，貼片二極管D20（1N4148）漏電或擊穿，會使電磁爐上電加熱時，出現(xiàn)報警不加熱的故障。 另外，當同步電壓比較電路中IC2C（LM339）V- 取樣電壓與V+ 取樣電壓相近時（正常為V-、V+ 取樣電壓應(yīng)相差+0.2～+0.35 V），否則，會使電磁爐在上電加熱時出現(xiàn)不定期爆損IGBT 管及斷續(xù)加熱等故障。 當電磁爐出現(xiàn)“屢損IGBT管”故障，維修時：建議將電磁爐主電路板、及控制顯示燈板，用“天那水”進行去油污清洗、吹干后再修。 1、先將受損元器件更新如：保險管（12A）、整流橋（RS2006）、IGBT管（IH20T120）。 2、在電磁爐主電路板電源線L端串聯(lián)接入220V/40W燈泡后，上電待機，用500型萬能表相應(yīng)直流電壓檔測高壓供電電源對地為+305V電壓，正常，測低壓供電電源對地為+18V電壓、及AN7805輸出端對地為+5V電壓，正常（在確保整機“三” 電壓正常后再修）。 3、取下加熱線圈盤，用500型萬能表直流電壓50V檔，紅表筆接在IGBT管集電極C上、黑表筆接在整流扁橋的負極上，測電磁爐上電時浪涌峰壓值以鑒定電磁爐是否為正常。如以下例舉： 1）美的MC-SH208型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+45V后降至+0.7V電壓，為正常。 2）美的MC-SF2012型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+32V后降至+0.5V電壓，為正常。 3）美的MC-SY191C型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+32V后降至+1.2V電壓，為正常。 4）美的MC-CF202型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+75V后降至+1.4V電壓，為正常。 5）美的MC-SY183B型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+33V后降至+0.6V電壓，為正常。 6）美的MC-PSY18A型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+20V后降至+1.4V電壓，為正常。若以上工作點異常，多為濾波電容器（5μF/275V）、及諧振電容器（0.27μF/1200V至0.3μF/1200V）、漏電或失效。 不同品牌和不同型號的電磁爐浪涌峰壓值各不相同，如九陽JYC-21GS08浪涌峰壓值為升至+120V后降至+0.3V電壓正常。 4、裝上加熱線圈盤，用500型萬能表直流電壓10V檔，測同步比較電路取樣電壓V-，應(yīng)小等于取樣電壓V+的+0.2V至+0.35V電壓，為正常。 5、焊下IGBT管控制極G上的限幅穩(wěn)壓二極管（18V），用500型萬能表10KΩ檔測試是否漏電，建議更新它，否則將造成屢損、爆損IGBT管！ 6、當電磁爐的+18V低壓供電電源與排風電扇電源共用一起時，必須確保排風電扇正常，否則將造成屢損、爆損IGBT管！ 7、將待修電磁爐裝好，準備上電試機； 1）當上電開機放鍋加熱時，若燈泡一閃亮后即滅為整機已修復(fù)，方可取下燈泡直接試機！ 2）當上電開機放鍋加熱時，若燈泡“全亮”為“故障存在”為此，切不可取下燈泡直接試機！否則將再次出現(xiàn)“爆損IGBT管”故障發(fā)生，應(yīng)繼續(xù)查找潛在故障，可按以上維修方法繼續(xù)進行。 損壞IGBT管大多因素： 電磁爐線盤是完成LC振蕩的重要器件之一，它是將電能進行儲存.及釋放。有電場能.轉(zhuǎn)換為磁場能的關(guān)鍵器件。電磁爐.輸出功率的大小.效率的高低和線盤有較大的關(guān)聯(lián)。線盤的參數(shù)主要是兩個方面:（1）是電感量,（2）是Q值. 而決定這兩個參數(shù)的是銅線的外徑大小、股數(shù).和繞在線盤上的圈數(shù)的多少,還有就是線盤上附加的磁條的磁通量.和磁條數(shù)量的多少。線盤無磁條時， 要想提高線盤的電感量必須增加線圈的匝數(shù)，(股數(shù)，和圈數(shù))這樣做它不僅浪費了資源和成本的提高，而且導(dǎo)線增長直流電阻增大也不利于輸出較大的功率。為此要附加磁條來提高它的電感量。（相同匝數(shù)的線盤磁條數(shù)量越多電感量越高）查資料得知，當今家用電磁爐線盤磁條有6條，8條兩種類型，繞線圈數(shù),28,30,32，圈。最為常見的為28圈的較多?，F(xiàn)在的電磁爐線盤有兩種類型.參數(shù)為（1）電感量PSD系列為157uH。（2）PD系列為140uH 新型電磁爐線盤 包括線盤支架、線圈、磁條，線圈包括固定在線盤支架上的外環(huán)線圈和內(nèi)環(huán)線圈，磁條包括與線圈對應(yīng)設(shè)置的外圈磁條和內(nèi)圈磁條，外圈磁條和內(nèi)圈磁條分別呈放射狀分布，其特征在于所述內(nèi)圈磁條與外圈磁條在放射狀分布，這樣做使加熱更均勻。提高加熱效率，降低磁場的外泄，減小了電磁爐工作時對周圍環(huán)境的影響。 關(guān)于Q值；是衡量電感器件的主要參數(shù)。是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。 再，磁條是分體的，不是整體的其原因，電磁爐工作時磁條不至于形成渦流，而使磁條產(chǎn)生磁飽和現(xiàn)象，要知道磁條磁飽和后線盤電感量會大大降低，這樣會損IGBT管的。 有以上所談可知，電磁爐線盤上的磁條的重要性了，也可以解釋我們維修員所提到的不知為什么屢爆IGBT管，但通過換線盤而排除故障的原因所在了。（是有磁條斷裂，或磁條老化引起的電感量減小所致）。再就是線盤上的線圈和磁條擊穿短路。其實我們在維修電磁爐當中，換爐盤的故障率很低，由于當今家用電磁爐的線盤的參數(shù)差別相差不大，為此應(yīng)急維修互換還是可以的。只不過是電磁爐功率輸出略有差異，當然還是換相同參數(shù)的為好！。 絕緣柵雙極型晶體管，是由BIT（雙極型三極管）和MOSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件）。IGBT 管有三個電極：柵極（或稱控制極）G、集電極C 和發(fā)射極E。 提醒各位同行：IGBT 25N120與HT20R120 不一樣 否則爆IGBT IGBT 有帶阻尼二極管的，請把電磁爐上單個的阻尼管拆下不用。 簡解IGBT : 絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT，是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優(yōu)點于一體的高壓、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工藝制作的IGBT,，但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) 。 從IGBT的下述特點中可看出，它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷，就是于高壓大電流工作時，導(dǎo)通電阻大，器件發(fā)熱嚴重，輸出效率下降。 IGBT的特點： 1.電流密度大，是MOSFET的數(shù)十倍。 2.輸入阻抗高，柵驅(qū)動功率極小， 驅(qū)動電路簡單。 3.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下，其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。 4.擊穿電壓高，安全工作區(qū)大，在瞬態(tài)功率較高時不會受損壞。 5.開關(guān)速度快，關(guān)斷時間短，耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us，約為GTR的10%，接近于功率MOSFET，開關(guān)頻率直達100KHz，開關(guān)損耗僅為GTR的30%。 IGBT將場控型器件的優(yōu)點與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體。是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。 目前458系列因應(yīng)不同機種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下： (1) SGW25N120----西門子公司出品，耐壓1200V，電流容量25℃時46A,100℃時25A，內(nèi)部不帶阻尼二極管，所以應(yīng)用時須配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用，該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SKW25N120。 (2) SKW25N120----西門子公司出品，耐壓1200V,電流容量25℃時46A，100℃時25A,內(nèi)部帶阻尼二極管，該IGBT可代用SGW25N120，代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (3) GT40Q321----東芝公司出品，耐壓1200V,電流容量25℃時42A，100℃時23A，內(nèi)部帶阻尼二極管，該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120，代用SGW25N120時請將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (4) GT40T101----東芝公司出品，耐壓1500V，電流容量25℃時80A，100℃時40A，內(nèi)部不帶阻尼二極管，所以應(yīng)用時須配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用，該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321，配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用GT40T301。 (5) GT40T301----東芝公司出品，耐壓1500V,電流容量25℃時80A，100℃時40A，內(nèi)部帶阻尼二極管，該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101，代用SGW25N120和GT40T101時請將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (6) GT60M303 ----東芝公司出品，耐壓900V，電流容量25℃時120A，100℃時60A， 內(nèi)部帶阻尼二極管。 |
|
|
