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國產閃存之路

 cxag 2017-09-29

       每年,中國在一種體積很小的產品上花掉的錢遠遠超過那些大宗商品,那就是芯片。2016年,中國在進口芯片上一共花費了1.5萬億人民幣之多,是花費在原油進口上的兩倍。2017年中國芯片市場規(guī)模達到千億美元,占全球芯片市場50%以上。其中存儲芯片市場規(guī)模達到2465.5億元,占國內市場比重23.7%,其比重超過CPU、手機基帶芯片。
       雖然PC持續(xù)萎靡多年,但SSD和智能手機的閃存芯片需求的強勢增長已經彌補了其他硬件市場需求冷淡的情況。加上今年智能手機的容量進一步增大,將消耗大量閃存芯片,預計42%的閃存芯片產能將用于智能手機,但我國存儲芯片產業(yè)基本空白,幾乎100%依賴進口,近期因韓國薩德部署而號召的“抵制韓貨”,在懂電子行業(yè)的人眼里完全就是一個笑話,姑且不說其它方面,光是閃存顆粒,國內眾多手機制造商幾乎就離不開三星電子。
       在固態(tài)硬盤市場方面,因閃存顆粒不足問題所導致的問題就更為嚴重了。過去三年是固態(tài)硬盤發(fā)展的黃金時期,國產SSD品牌因為技術壁壘、品牌熟知度等問題無法和一線品牌抗衡。但今年各大Flash原廠由于發(fā)力轉型研發(fā)3D Flash技術,導致閃存顆粒嚴重缺貨,廉價、非原廠品牌的SSD銷量開始逐步上升,而原廠顆粒受影響銷量下滑。價格自然也水漲船高,所以消費者受價格因素影響不得不選擇此類不良固態(tài)硬盤。
       目前,3D Flash產能仍然嚴峻,良品率低,因此產生的原料非常多。這些原料對于一線品牌是廢品,但到了不良廠商手中卻成了“寶藏”。這些廉價SSD很多采用了黑片,也就是Downgrade顆粒,還有拆機片,這些采用劣質顆粒的SSD,趁著漲價之風,打折低價的優(yōu)勢推銷自己的品牌。這樣沒有自主產權,僅靠貼片、造假的國產SSD品牌進一步的降低了消費者對“國產SSD”的信任。
       2016年是閃存芯片轉型的一年,各大閃存芯片廠商正在加緊量產3D NAND,這也是全球閃存芯片廠商必爭的制高點。美光、東芝/西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)、SK海力士,英特爾都加入到3D NAND中。預計2017年SSD存儲密度將進一步持續(xù)增加至690億GB當量,較2016年增長57%,有機會取代嵌入式產品成為NAND Flash最大的應用市場,也是Flash原廠和主要模組廠商、OEM廠商等必爭之地,市場競爭也將再次升級。 伴隨著Flash原廠擴大3D NAND量產規(guī)模,大數(shù)據(jù)和核心應用繼續(xù)快速增長,相信2017年是存儲產業(yè)整體快速增長的一年。
       不過大部分原廠在2D NAND到3D NAND的切換階段都經歷了產能和成本的陣痛期,三星最早投入3D NAND,到2016年底生產比重才突破35%,東芝、美光、SK海力士幾家占比更是不到10%,從而導致3D NAND上市延后。
大廠規(guī)劃
       三星       64層V-NAND產品 三星已經開始了樣品的測試和小規(guī)模試產,預計在2017年Q1開始放大試產規(guī)模,預計V-NAND產能的占比在2017年Q1將達到45%。
       東芝/西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)        2016下半年宣布3D技術向64層提升,年底已小量生產。2017年會把生產主力切換到64層3D NAND量產。
       SK海力士       2017年計劃提升至72層3D NAND量產,將在Q1推出樣品,Q2開始小批量生產。
美光 64層3D NAND已于2016年12月送樣,2017年將逐步進入量產階段。
三星西安廠/Fab 17/Fab 18、東芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都在2017年全面進入3D NAND量產階段,原廠3D NAND產能競賽正在有序開展。
國產閃存芯片布局
       長江存儲       2016年7月,紫光集團收購了武漢新芯,并建立了一個叫長江存儲的合資公司。這個12寸晶圓廠將聚焦在3D NAND Flash的生產,他們現(xiàn)在用的半導體設備和三星在西安工廠所使用的是一樣的(三星的西安工廠只制造32層的NAND Flash,64層的NAND Flash只是在韓國本土制造)。至于具體的量產時間,還沒有披露。
       合肥SKT項目       2017年底建造一個DRMA FAB(不過目前已經停止運營)。
       福建晉華項目       準備打造DRAM Fab,預估在2018年第三季度量產。
       其中,目前看來最可行的是長江存儲,他們面臨的最大問題是缺少有經驗的人去操作這些設備。同時還存在另外一種風險,根據(jù)目前的計劃布局,3D NAND產能也許將在2018年緩解。而長江存儲近技術成熟開始生產時,很可能會遇上產能過剩,或者產品一推出來就面臨激烈的市場競爭。
       因此,有人指出,借存儲涉足半導體產業(yè)鏈是一個很大的風險。一是投資的金額實在太大了,每一代技術的投資成本都數(shù)十億美元。二是這塊蛋糕雖說市場吸引力很大,但不要忘了現(xiàn)在只是技術轉型的空檔期,才有這么誘人的價格優(yōu)勢,一旦技術成熟,各家廠家都開始大量出貨時,競爭會變得相當激烈,3、4年前的內存條白菜價就是很好的例子。
◇四川 王建銀

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