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在IGBT的柵極電路中,主要考慮的因素包括柵極電壓U的正、負(fù)及柵極電阻R的大小。它們對(duì)IGBT的導(dǎo)通電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力及等參數(shù)均有不同的程度的影響。
來(lái)自: ldjsld > 《電腦手機(jī)及電子技術(shù)》
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IGBT功率元件的應(yīng)用及保護(hù)技術(shù) -元器件資料 -電子電路圖網(wǎng)-電子工程師搖籃-專(zhuān)業(yè)電子電...
2 IGBT對(duì)控制驅(qū)動(dòng)電路的要求 功率IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)元件,具有一個(gè)(3~6)V的閾值電壓,有一個(gè)較大的容性輸入阻抗,對(duì)柵極電荷非常敏感,...
igbt驅(qū)動(dòng)電路,igbt驅(qū)動(dòng)電路圖,igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇
igbt驅(qū)動(dòng)電路,igbt驅(qū)動(dòng)電路圖,igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇。igbt驅(qū)動(dòng)電路,igbt驅(qū)動(dòng)電路圖,igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇上網(wǎng)時(shí)間 : 2011-05-04igbt驅(qū)動(dòng)...
光伏IGBT逆變器設(shè)計(jì)原理和電路圖
圖3:EXB843集成電路構(gòu)成IGBT的驅(qū)動(dòng)電路圖 具體實(shí)施如下:采用Rg2和VD1串聯(lián)再與Rg1并聯(lián),當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí),由驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)部EXB841的3腳輸出...
脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)電路
脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)電路如圖所示,V1~V4組成脈沖變壓器一次側(cè)驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)控制V1、V4和V2、V3的輪流導(dǎo)通,將驅(qū)動(dòng)脈沖加至變壓器的一次側(cè)...
基于三菱IPM模塊的外圍接口電路設(shè)計(jì)
基于三菱IPM模塊的外圍接口電路設(shè)計(jì)。1 TPM基本工作特性簡(jiǎn)介1.1 IPM的結(jié)構(gòu) IPM智能功率模塊將IGBT芯片、快速二極管,控制和驅(qū)動(dòng)電路...
電機(jī)控制器IGBT驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)
電機(jī)控制器IGBT驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)。為了解決這些問(wèn)題,設(shè)計(jì)一款基于推挽拓?fù)涞腎GBT驅(qū)動(dòng)電源,包含由UCC2808芯片生成推挽PWM信號(hào)、推挽變壓...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?
不同SiC MOSFET器件的柵極開(kāi)啟電壓參數(shù)列舉如圖1所示。雖然SiC MOSFET具有較小的柵極電容,所需要的驅(qū)動(dòng)功率相對(duì)于傳統(tǒng)IGBT顯著較小,但...
電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介2 ---認(rèn)識(shí)IGBT
電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介2 ---認(rèn)識(shí)IGBT.在電機(jī)控制器中IGBT應(yīng)用位置可以參見(jiàn)《電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介1》,其中主回路部分由6個(gè)IGBT組成...
變頻器的逆變器基本工作原理
變頻器的逆變器基本工作原理變頻器三相(u v w)交流輸出頻率波形質(zhì)量和電壓平衡的程度直接影響異步電動(dòng)機(jī)調(diào)速運(yùn)行的狀態(tài)與電機(jī)壽命,更重要是影響變頻器的壽命,一臺(tái)經(jīng)維修后的變頻器,U、V、W三相交流...
微信掃碼,在手機(jī)上查看選中內(nèi)容