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 【編者有話說】 
 本次分享主要內(nèi)容有: 
 芯片封裝形式 BGA 封裝(Ball Grid Array :球形柵格陣列封裝) QFP 封裝(Quad Flat Package:四周扁平封裝) QFN (Quad Flat No lead Package:四周偏平無引腳封裝) QFJ 封裝(Quad Flat J Leaded Package:四周扁平J 形封裝 ) SOJ 封裝(Small Outline J leaded Package:單列小外J形引腳封裝) SOP(SOIC)封裝(Small Outline Package :小外形引腳封裝) TSOP 封裝(Thin Small Outline Package:薄型外形引腳封裝) DIP 封裝(Dual Inline Package :雙列直插式封裝) SIP 封裝(Single Inline Package: 單列直插式封裝) SOT (Small Outline Transistor:小外型晶體管) 晶振(有源晶振&無源晶振) 芯片引腳方向識別 通用規(guī)則(BGA 除外): 片型號末尾無方向標(biāo)志“R”:首引腳標(biāo)示位置+逆時(shí)針方向+正面方向 芯片型號末尾有方向標(biāo)志“R”: 首引腳標(biāo)示位置+順時(shí)針方向+正面方向 例如HAXXXXA,HAXXXXAR,其電氣性能一樣,只是引腳互相相反 首引腳位置識別類型 凹口或斜面切角:在芯片一端有半圓形、方形缺口或切角 首引腳位置識別類型 小圓點(diǎn)和凹坑:在芯片一角有凹坑 首引腳位置識別類型 色點(diǎn)(BGA):在芯片底面的顏色標(biāo)志 
 無引腳標(biāo)示 無方向區(qū)分 
 圓形金屬封裝,從識別標(biāo)記開始+順時(shí)針方向 
 晶體管識別方法 二極管識別方法 - 肉眼識別法(色環(huán)、金屬探針等) 
 - 電性識別法(正向?qū)ㄌ匦?導(dǎo)通電壓) 
 晶體管識別方法 三極管及場效應(yīng)管識別方法     -   不同廠家引腳方向表示方法不一樣,需依據(jù)規(guī)格判斷 
 晶體管識別方法 三極管識別方法 電性判定方法(等效為二極管量測) 判定原理:導(dǎo)通電壓(Ube >0,Ubc>0),Uce/Uec/Ueb/Ucb 不導(dǎo)通,且Ube>Ubc 判定方法: 將萬用表調(diào)制二極管檔,利用其紅色表筆(+),黑色表筆(-)分別量測不同兩引腳,利用判定原理確認(rèn)各引腳 順序 
 有源晶振識別方法 外觀識別法 有個(gè)點(diǎn)標(biāo)記的為1腳,按逆時(shí)針(管腳向下)分別為2、3、4腳 
 芯片結(jié)構(gòu)和分析方法 芯片內(nèi)部等效結(jié)構(gòu)(BGA) 
 芯片內(nèi)部等效結(jié)構(gòu)(SOP) 
 芯片分析方法---X-Ray 利用X射線的特殊穿透能力來檢測基板內(nèi)部例如漏焊、連焊、焊點(diǎn)空洞、PCB內(nèi)層線路斷裂等缺陷 。 
 芯片分析方法---C-SAM C-SAM:利用超聲波在不同聲阻材料界面的反射波強(qiáng)度和相位的不同, 來發(fā)現(xiàn)塑封器件分層、裂縫和芯片粘接空洞等不良 
 芯片分析方法---Decap Decap: 利用濃硫酸/硝酸的強(qiáng)腐蝕性,將IC外部的塑封層腐蝕掉,然后在顯微鏡下放大觀察其內(nèi)部Die(晶片)表面的缺陷 (Bonding點(diǎn)異常、EOS損傷痕跡等) 
 芯片封裝與焊接方法 不同封裝對應(yīng)的焊接方法如下表 
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