MOSFET簡介

它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G(柵極)、S(源極)及D(漏極)，通過G、S間加控制信號時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。

功率MOSFET是一種多子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻特性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、無二次擊穿問題等顯著優(yōu)點(diǎn)。

自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：

如高壓功率MOSFET其工作電壓可達(dá)1000V；低導(dǎo)通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ；工作頻率范圍從直流到達(dá)數(shù)兆赫；保護(hù)措施越來越完善。并開發(fā)出各種貼片式功率MOSFET，另外，價(jià)格也不斷降低，使應(yīng)用越來越廣泛，不少地方取代雙極型晶體管。

電壓控制元件

三極管基極與發(fā)射極間內(nèi)阻較小，并且基極電流與集電極電流有對應(yīng)關(guān)系，所以說三極管是電流控制元件。場效應(yīng)管在控制端與漏極源極間電阻很大，幾乎無電流，而靠控制極上施加的電壓大小引起漏源極間電流發(fā)生變化，所以說場效應(yīng)管是電壓控制元件。

功率MOSFET的特點(diǎn)

功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：

1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時(shí)無需推動級，電路較簡單；

2．輸入阻抗高，可達(dá)108Ω以上；

3．工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗??；

4．有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且MOSFET的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；

5．功率MOSFET可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。

型號介紹

MOSFET主要性能指標(biāo)：電流、電壓、內(nèi)阻

KIA設(shè)計(jì)生產(chǎn)的MOSFET以具有低內(nèi)阻、高耐壓、快速開關(guān)、雪崩能量高等特點(diǎn)，設(shè)計(jì)電流跨度1A~200A，電壓跨度30V~1200V。我們可以根據(jù)客戶的應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用方案的不同，對MOSFET本身的電性參數(shù)做出適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，提高客戶產(chǎn)品的可靠性、整體轉(zhuǎn)換效率和產(chǎn)品的價(jià)格競爭力.

應(yīng)用領(lǐng)域

開關(guān)電源、逆變器、安定器、電焊機(jī)

LED驅(qū)動電源、電動工具充電器、UPS

電動車控制板、手機(jī)充電器、汽車功放等