四、數(shù)據(jù)存放的穩(wěn)定性和擦寫次數(shù)是沒(méi)有關(guān)系的。大家都知道NOR FLASH比NAND FLASH要穩(wěn)定的多，但NOR的擦寫次數(shù)卻不到NAND的十分之一！

五、關(guān)于bootloader的擦寫，我們根本不用擔(dān)心多次擦寫會(huì)帶來(lái)芯片損毀，飛凌的研發(fā)工程師，每天都要去擦寫系統(tǒng)修改軟件，從來(lái)沒(méi)有出現(xiàn)因此而導(dǎo)致NAND報(bào)廢的情況。從用戶反饋來(lái)看也同樣如此。

六、SLC會(huì)消亡嗎？不會(huì)的，他至少要和MLC共存很長(zhǎng)一段時(shí)間，就像NOR FLASH一樣，仍在被大多數(shù)單片機(jī)所使用；目前絕大多數(shù)的ARM7、ARM9系統(tǒng)，并不能很好支持MLC；從ARM11開始最新的處理器，對(duì)MLC的支持就非常成熟了。這里另外澄清一個(gè)概念，S3C2440也是可以支持MLC的！但是從技術(shù)上還不成熟，尤其沒(méi)有4位以上的硬件糾錯(cuò)。

七、另外告訴大家一個(gè)事實(shí)，我們提供了4位的糾錯(cuò)算法，但是從實(shí)踐上來(lái)看，MLC NAND極少出現(xiàn)超過(guò)1位錯(cuò)誤的情況，這雖然并不能說(shuō)明不需要4位糾錯(cuò)，但無(wú)疑這樣做系統(tǒng)具有更強(qiáng)的抗風(fēng)險(xiǎn)能力。

八、對(duì)一款國(guó)產(chǎn)手機(jī)產(chǎn)品‘魅族M8’曾經(jīng)‘?dāng)?shù)據(jù)丟失’的真正原因我們并不清楚，但可以肯定的是，這款手機(jī)仍然在用MLC。

飛凌提供了兩種類型的6410開發(fā)板，分別支持256M的SLC以及2G的MLC，在成本上來(lái)講，后者還是要高于前者，但是性價(jià)比更優(yōu)秀，更能代表將來(lái)的趨勢(shì)，開發(fā)學(xué)習(xí)會(huì)更方便。具體如何選擇，用戶可以參照我們提供的各型號(hào)開發(fā)板的資源對(duì)比，并根據(jù)自己的需要來(lái)選擇。

補(bǔ)充說(shuō)明：

隨著MLC的逐步普及，使用MLC的6410開發(fā)板也逐漸多了起來(lái)。

目前，市場(chǎng)上的2G MLC NAND主要有兩種：一種是K9GAG08U0E，另一種是飛凌使用的K9GAG08U0D。這兩種芯片在讀寫時(shí)序和驅(qū)動(dòng)程序方面完全相同，不同的是前者的頁(yè)大小為8K，后者的頁(yè)大小為4K。這里需要說(shuō)明的是，更大的頁(yè)需要更好的糾錯(cuò)能力，也就是說(shuō)在K9GAG08U0E上進(jìn)行8位糾錯(cuò)和在K9GAG08U0D上進(jìn)行4位糾錯(cuò)，前者的數(shù)據(jù)安全性會(huì)更差，而且8位糾錯(cuò)算法的軟件要占用更多的處理器時(shí)間。  

另外，實(shí)際測(cè)試結(jié)果表明，K9GAG08U0E的讀寫速度要遠(yuǎn)低于K9GAG08U0D，除了軟件算法本身的原因以外，硬件方面存在著固有的差距，這點(diǎn)從兩種芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)中可以看出來(lái)：

K9GAG08U0E的數(shù)據(jù)手冊(cè)中是這樣描述的：

而對(duì)于K9GAG08U0D，手冊(cè)中查到的實(shí)際參數(shù)如下：

就是說(shuō)前者讀一頁(yè)需要400us（微秒），而后者需要60us（微秒），差距是不言而喻的。