二、高級(jí)設(shè)置菜單
高級(jí)設(shè)置菜單是設(shè)置主板功能的，有
ACPI Setting（高級(jí)配置和電源接口設(shè)置） CPU Configuration（CPU配置）
Intel IGD SWSCI OPREGION（集成顯卡設(shè)置） USB Configuration（USB配置）
Super IO Configuration（超級(jí)IO配置）
H/W Monitor（硬件監(jiān)控）
Wake Up Event Setup（喚醒事件設(shè)置）
2-6、H/W Monitor（硬件監(jiān)控）
硬件監(jiān)控界面上半部顯示PC健康狀態(tài)，包括有主板（System）溫度，CPU溫度，CPU和系統(tǒng)風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，以及主要的電壓。+12V是電源提供給主板的12V電壓，PCH1.05V是南橋供電電壓，Memory Voltage是內(nèi)存供電電壓，Vcc是5V供電電壓，Vtt是時(shí)鐘電壓，CPU Voltage是CPU電壓，VAXG是集顯供電電壓，VBAT是CMOS供電電池電壓。
2-6-1、CPU Fan Speed Control（CPU風(fēng)扇調(diào)速）
這里是設(shè)置風(fēng)扇調(diào)速模式，有三種：Full Speed（全速）、On/Off（開/關(guān)）、Smart Guardian（智能）。默認(rèn)是Smart Guardian（智能）。
智能模式的設(shè)置項(xiàng)說明如下。
2-6-2、Fan off Temperature（風(fēng)扇關(guān)閉溫度）
這是設(shè)置風(fēng)扇關(guān)閉的溫度，就是說CPU的溫度低于這個(gè)溫度風(fēng)扇就降到最低轉(zhuǎn)速。
2-6-3、Fan Full Speed Temperature（風(fēng)扇全速溫度）
這是設(shè)置風(fēng)扇全速的溫度，就是說CPU溫度達(dá)到這個(gè)溫度風(fēng)扇就開始高轉(zhuǎn)速。
2-6-4、Smart Guardian Start Temperature（智能調(diào)速開始溫度）
這是設(shè)置智能調(diào)速開始的溫度，就是說CPU溫度達(dá)到這個(gè)溫度就開始智能調(diào)速。
2-6-5、Smart Guardian Start PWM（智能調(diào)速開始PWM）
這是設(shè)置智能調(diào)速開始PWM值。
2-6-6、Slope of PWM（ PWM斜率）
這是設(shè)置PWM的斜率，就是PWM調(diào)速的變化速率。
2-7、Wake Up Event Setup（喚醒事件設(shè)置）
2-7-1、Restore AC Power Loss（AC掉電后再來電）
這是設(shè)置AC掉電后再來電，PC的狀態(tài)，有三種狀態(tài)：Power off（關(guān)機(jī)）、Power On（開機(jī)）、Last State（掉電時(shí)的狀態(tài)）。默認(rèn)是Power off（關(guān)機(jī)）。
2-7-2、PS2KB Wake Up（PS2鍵盤喚醒）
開啟/關(guān)閉PS2鍵盤喚醒。設(shè)置項(xiàng)有Disabled（關(guān)閉）、Any Key（任意鍵）、Special String（密碼）。默認(rèn)是Disabled（關(guān)閉）。如果設(shè)定Special String（密碼）喚醒，就要在下面設(shè)置密碼。
2-7-3、PS2MS Wake Up（PS2鼠標(biāo)喚醒）
開啟/關(guān)閉PS2鼠標(biāo)喚醒。設(shè)置項(xiàng)有Disabled（關(guān)閉）、Mouse Move（移動(dòng)鼠標(biāo)）、Mouse Click（點(diǎn)擊鼠標(biāo)）。默認(rèn)是Disabled（關(guān)閉）。
2-7-4、On Board LAN Wake Up（板載網(wǎng)卡喚醒）
開啟/關(guān)閉板載網(wǎng)卡喚醒。設(shè)置項(xiàng)有Disabled（關(guān)閉）、Enabled（允許）。默認(rèn)是Disabled（關(guān)閉）。
2-7-5、RTC Wake Settings（實(shí)時(shí)時(shí)鐘喚醒設(shè)置）
實(shí)時(shí)時(shí)鐘喚醒設(shè)置有2種，一個(gè)是固定時(shí)間（Fixed Time），一個(gè)是動(dòng)態(tài)時(shí)間（Dynamic Time）。
固定時(shí)間喚醒需要設(shè)置日、時(shí)、分、秒。
動(dòng)態(tài)時(shí)間喚醒需要設(shè)置時(shí)間長度。也就是以分計(jì)算，多少分鐘后喚醒。
CAS Latency（CL）：列地址選通潛伏時(shí)間，指的是在當(dāng)前行訪問和讀一特定列的時(shí)鐘周期。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存單元是按矩陣排列的，讀寫內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)，首先是根據(jù)矩陣的“行”和“列”地址尋址的。當(dāng)內(nèi)存讀寫請求觸發(fā)后，最初是tRP（Active to Precharge Delay：預(yù)充電延遲），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS（內(nèi)存行地址選通）。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址選通 ）開始對需要的數(shù)據(jù)進(jìn)行尋址。首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延遲），接著通過CAS（列地址選通）訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大， 是JEDEC規(guī)范中排在第一的參數(shù)，CAS值越低，內(nèi)存讀寫操作越快，但穩(wěn)定性下降，相反數(shù)值越高，讀寫速度降低，穩(wěn)定性越高。參數(shù)范圍3-15。
tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延遲時(shí)間，這是激活行地址選通和開始讀列地址選通之間的時(shí)鐘周期延遲。JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能，如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-15。
tRAS(Row active Strobe)：行地址選通。這是預(yù)充電和行數(shù)據(jù)存取之間的預(yù)充電延遲時(shí)間。也就是“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。參數(shù)范圍9-63。
tWTR（Write to Read Delay）：寫到讀延時(shí)。這個(gè)參數(shù)設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊的同一個(gè)單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。tWTR值偏高，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。偏低則提高讀寫性能，但系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-31。
tRRD（Row to Row Delay）：行到行延遲。也稱為RAS to RAS delay ，表示“行單元到行單元的延時(shí)”。該值也表示向相同的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRRD值越小越好。延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。如果出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況，需將此值設(shè)定較高的時(shí)鐘參數(shù)。參數(shù)范圍4-15。
tRTP（DRAM READ to PRE Time）：內(nèi)部讀取到預(yù)充電命令時(shí)間，這個(gè)參數(shù)實(shí)際上就是讀命令和預(yù)充電明令之間的時(shí)間間隔。如果參數(shù)值過小，系統(tǒng)運(yùn)行很快，但不穩(wěn)定。參數(shù)范圍4-15。
tFAW（DRAM FOUR ACT WIN Time）：內(nèi)存四項(xiàng)動(dòng)作成功時(shí)間。該選項(xiàng)通常設(shè)置為Auto即可，對性能以及穩(wěn)定性影響不大。參數(shù)范圍4-63。
6-3-2-3、集顯配置
Graphics Core Ratio Limit（GPU核心`倍率限制）
這里是設(shè)置GPU的核心倍率，GPU核心頻率=（倍率 x 100）/2。
Graphics Voltage（1/10000V）（GPU電壓）
這里是設(shè)置GPU的電壓，單位是毫伏（1/10000V）。
6-4、Over Voltage Settings（超電壓設(shè)置）
為了超更高的頻率，或者更穩(wěn)定超頻成功率，一般會(huì)提高有關(guān)的電壓。這里就是設(shè)置電壓的。
CPU Over Voltage（超CPU電壓）
超CPU核心電壓，在此處回車，從彈出菜單中選擇增加的電壓，增壓范圍0.00-0.63V。
Memory Over Voltage（超內(nèi)存電壓）
超內(nèi)存電壓，在此處回車，從彈出菜單中選擇增加的電壓。增壓范圍0.00-0.63V。
VTT Over Voltage（超VTT電壓）
超VTT電壓，在此處回車，從彈出菜單中選擇增加的電壓。增壓范圍0.00-0.63V。
VSA Over Voltage（超VSA電壓）
超VSA電壓，在此處回車，從彈出菜單中選擇增加的電壓。增壓范圍0.00-0.63V。
VAXG Over Voltage（超VAXG電壓）
超VAXG電壓，在此處回車，從彈出菜單中選擇增加的電壓。增壓范圍0.00-0.63V。
V18 Over Voltage（超V18電壓）
超V18電壓，在此處回車，從彈出菜單中選擇電壓，1.80-2.43V。
PCH 1.05V Over Voltage（超PCH1.05V電壓）
超PCH 1.05V電壓，在此處回車，從彈出菜單中選擇增加的電壓。增壓范圍0.00-0.10V。
七、保存和退出
Discard Changes and Exit（放棄更改并退出）
Save Changes and Rest（保存更改并重啟）
Restore Defaults（恢復(fù)默認(rèn)值）
Boot Override（更改啟動(dòng)設(shè)備）
