SLC、 MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術接棒后，架構演進為1個存儲器儲存單元存放2位元。 

        2009年TLC架構正式問世，代表1個存儲器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。如同上一波SLC技術轉MLC技術趨勢般，這次也是由NAND Flash大廠東芝(Toshiba)引發(fā)戰(zhàn)火，之后三星電子(Samsung Electronics)也趕緊加入戰(zhàn)局，使得整個TLC技術大量被量產且應用在終端產品上。TLC芯片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。象是內嵌世紀液體應用、智能型手機(Smartphone)、固態(tài)硬碟 (SSD)等技術門檻高，對于NAND Flash效能講求高速且不出錯等應用產品，則一定要使用SLC或MLC芯片。

        2010年NAND Flash市場的主要成長驅動力是來自于智能型手機和平板計算機，都必須要使用SLC或MLC芯片，因此這兩種芯片都處于缺貨狀態(tài)，而TLC芯片卻是持續(xù) 供過于求，且將整個產業(yè)的平均價格往下拉，使得市調機構iSuppli在統(tǒng)計2010年第2季全球NAND Flash產值時，出現(xiàn)罕見的市場規(guī)?？s小情況發(fā)生，從2010年第1季43億美元下降至41億美元，減少6.5%。U盤MP3中使用的SLC、MLC、 TLC閃存芯片的區(qū)別：

        SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命 MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命 TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。