作為測(cè)試工程師，測(cè)試方案(Test Plan 我們暫時(shí)將TP作為它的簡(jiǎn)稱(chēng))的建立是我們一項(xiàng)必不可少的工作，那么如何才能建立一個(gè)比較完美的TP呢，接下來(lái)我們將簡(jiǎn)單闡述一下TP的相關(guān)問(wèn)題，以幫助初學(xué)者掌握TP的建立過(guò)程。

　　首先，在建立TP之前，我們必須了解它的作用，也就是為什么需要建立一個(gè)TP，大家知道：在整個(gè)測(cè)試開(kāi)發(fā)中，無(wú)論是寫(xiě)測(cè)試程序已經(jīng)調(diào)試，乃至后期的測(cè)試維護(hù)，我們都會(huì)拿著一個(gè)TP作為參考，沒(méi)有了TP就感覺(jué)沒(méi)了方向，這也是TP最重要的作用，它類(lèi)似于一個(gè)向?qū)У淖饔?，?dāng)我們調(diào)試中出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，可以拿來(lái)參考，參考里面的測(cè)試原理圖，參考里面的測(cè)試規(guī)格（spec），參考里面的測(cè)試方法等等，這都是需要參考的內(nèi)容。另外，有了TP，在別人看到你的測(cè)試程序時(shí)就更容易理解，有了TP，設(shè)計(jì)工程師也能夠看出這些測(cè)試項(xiàng)目是否可以保證芯片的性能，甚至有時(shí)候，我們的客戶(hù)也能從中受益，所以TP的重要性不言而喻。

　　由此，我們可以簡(jiǎn)單的概括TP的作用：TP是作為測(cè)試開(kāi)發(fā)以及后期維護(hù)過(guò)程中的一種重要參考文件，能夠起到指導(dǎo)和幫助測(cè)試工程師順利開(kāi)展工作的作用，同時(shí)，也可以作為不同TE之間的一種重要溝通工具。

　　在了解了TP的作用之后，接下來(lái)我們了解一下TP的主要內(nèi)容，其中最主要的內(nèi)容莫過(guò)于測(cè)試原理圖、測(cè)試項(xiàng)目及方法描述、測(cè)試參數(shù)的規(guī)格(Test spec)，另外還可以包含芯片功能簡(jiǎn)單介紹，芯片極限工作條件，TP歷史修改記錄，版本等信息，以方便閱讀者理解。下面我們就每一項(xiàng)內(nèi)容分別說(shuō)明如下：

1、測(cè)試原理圖：也就是DUT板或者loadboard的原理圖，其中包括了芯片測(cè)試時(shí)所用到的外圍器件，繼電器，測(cè)試機(jī)資源以及測(cè)試時(shí)所需要的輔助電路等，從原理圖中我們可以可以清楚的看到使用的測(cè)試機(jī)型號(hào)，以及測(cè)試機(jī)配置等信息，關(guān)于原理圖的設(shè)計(jì)一般可參考芯片的應(yīng)用圖，再根據(jù)要測(cè)試的項(xiàng)目，以及選定的測(cè)試機(jī)來(lái)完成。具體實(shí)例可參考：音頻功放測(cè)試實(shí)例

2、測(cè)試項(xiàng)目及方法描述：測(cè)試項(xiàng)目一般包括open/short，功耗ICC或IDD、直流參數(shù)，交流參數(shù)以及功能測(cè)試，數(shù)字芯片一般還會(huì)包涵數(shù)字向量測(cè)試，大規(guī)模SOC芯片一般都會(huì)包括SCAN和JTAG向量，再加上一些功能向量，而測(cè)試方法描述可以理解為每項(xiàng)參數(shù)是如何測(cè)試實(shí)現(xiàn)的，如電源加多少電壓，多少電流，各引腳狀態(tài)，繼電器狀態(tài)等，比如測(cè)試open/short，VDD加0V，可以從每個(gè)引腳拉出100～200UA電流，然后測(cè)試引腳電壓，描述的時(shí)候一定要清楚，不要有歧義。

　　另外，測(cè)試項(xiàng)目的順序也是很有講究的，我們一般將open-short作為測(cè)試的第一項(xiàng)，為什么要這么做呢？其原因主要有以下兩條：A、測(cè)試之前，首先要保證測(cè)試機(jī)資源和DUT（被測(cè)芯片device under test）的硬件連接是否完好，由于基本上每個(gè)引腳都會(huì)測(cè)試O/S，所以通過(guò)此項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試，基本可以看出硬件連接是否有問(wèn)題，所以此項(xiàng)參數(shù)有時(shí)也稱(chēng)為通斷測(cè)試（continuity）測(cè)試O/S的原理可參見(jiàn)：open-short測(cè)試原理，

B、可以迅速檢驗(yàn)出IC是否失效，而不必浪費(fèi)大量的測(cè)試時(shí)間在其他測(cè)試項(xiàng)上，一般情況下O/S失效，有兩種情況，其一為測(cè)試機(jī)資源和IC引腳接觸不良，可使用萬(wàn)用表檢查連接情況解決，其二，為IC本身失效，如果是FT測(cè)試，特別是經(jīng)過(guò)CP測(cè)試后的FT測(cè)試，大部分都是封裝的問(wèn)題，可以直接做FA以確定問(wèn)題所在，如果是CP測(cè)試，在排除了探針接觸問(wèn)題后，基本上可以定位在wafer的問(wèn)題上。在測(cè)試完O/S后，我們一般會(huì)安排ICC作為第二項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試，以檢驗(yàn)IC的靜態(tài)電流或工作電流是否正常，如果IC有關(guān)斷功能的，可以考慮在ICC之前進(jìn)行測(cè)試。后面可以再安排一些直流參數(shù)的測(cè)試，再次為功能測(cè)試，最后為關(guān)鍵性能測(cè)試，這樣安排測(cè)試順序的好處在于可以節(jié)省大量的測(cè)試時(shí)間，因?yàn)樵贗C的量產(chǎn)測(cè)試中，測(cè)試機(jī)一般會(huì)設(shè)置成fail stop的模式，也就是其中一項(xiàng)參數(shù)失效后就不在繼續(xù)測(cè)試后面的參數(shù)，而前面的測(cè)試參數(shù)比較簡(jiǎn)單，測(cè)試時(shí)間也比較少，后面的參數(shù)復(fù)雜，而且時(shí)間長(zhǎng)，所以會(huì)節(jié)省很多時(shí)間，在出貨量很大的時(shí)候，這點(diǎn)尤其重要！望初學(xué)者予以重視！

 

3、測(cè)試參數(shù)的規(guī)格：也叫test spec，就是定義每項(xiàng)參數(shù)測(cè)試值的上下限，比如ICC < 6mA，有時(shí)測(cè)試規(guī)格可以無(wú)上限或者無(wú)下限，或者都可以有，但不能都沒(méi)有，測(cè)試規(guī)格我們可以從芯片的手冊(cè)上得到，一般要比手冊(cè)上的規(guī)格要嚴(yán)一些，以保證芯片測(cè)試后的質(zhì)量，比如手冊(cè)上VOS在+-50mv之間，我們?cè)诙xFT的測(cè)試spec時(shí)可以在+-45MV之間，正規(guī)的TP里面還應(yīng)該包含QA的測(cè)試規(guī)格，QA規(guī)格是為了檢驗(yàn)FT測(cè)試后是否有誤測(cè)，漏測(cè)的IC，其規(guī)格可以在FT的spec基礎(chǔ)上適當(dāng)放寬即可，可能的情況下，可以在spec中加上各參數(shù)的一個(gè)典型值，以更容易知道調(diào)試時(shí)得到的測(cè)試值是否正確，也有利于日后的測(cè)試維護(hù)工作。

4、測(cè)試bin的定義：BIN定義其實(shí)也是非常重要的一項(xiàng)內(nèi)容，可以分為硬件BIN可軟件BIN，硬件BIN主要在handler（機(jī)械手）在分選不同失效項(xiàng)時(shí)起到作用，而軟件BIN最大的作用在于TE對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的分析，我們必須對(duì)每一項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行分BIN，也可以將一大類(lèi)的參數(shù)分為一個(gè)BIN，總之是為了我們TE日后的分析服務(wù)，當(dāng)我們拿到datalog或者summary之后，從其中的各BIN的失效情況，就能夠知道那些參數(shù)失效，從失效參數(shù)中，我們可以推測(cè)出是IC的問(wèn)題，還是測(cè)試機(jī)的問(wèn)題，還是loadboard的原因等，這當(dāng)然需要大量的經(jīng)驗(yàn)積累，已經(jīng)對(duì)IC的理解，才能準(zhǔn)確的推測(cè)出原因，在此奉勸各位初學(xué)者要養(yǎng)成不斷總結(jié)的習(xí)慣，對(duì)于同一顆IC出現(xiàn)的各種問(wèn)題要予以不斷的總結(jié)，分析，找出其內(nèi)在的原因，這樣才能夠運(yùn)籌帷幄，決勝千里！