目錄
一、簡(jiǎn)介
1.1 電磁加熱原理
1.2 458系列簡(jiǎn)介
二、原理分析
2.1 特殊零件簡(jiǎn)介
2.1.1 LM339集成電路
2.1.2 IGBT
2.2 電路方框圖
2.3 主回路原理分析
2.4 振蕩電路
2.5 IGBT激勵(lì)電路
2.6 PWM脈寬調(diào)控電路
2.7 同步電路
2.8 加熱開(kāi)關(guān)控制
2.9 VAC檢測(cè)電路
2.10 電流檢測(cè)電路
2.11 VCE檢測(cè)電路
2.12 浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路
2.13 過(guò)零檢測(cè)
2.14 鍋底溫度監(jiān)測(cè)電路
2.15 IGBT溫度監(jiān)測(cè)電路
2.16 散熱系統(tǒng)
2.17 主電源
2.18輔助電源
2.19 報(bào)警電路
三、故障維修
3.1 故障代碼表
3.2 主板檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
3.2.1主板檢測(cè)表
3.2.2主板測(cè)試不合格對(duì)策
3.3 故障案例
3.3.1 故障現(xiàn)象1

一、簡(jiǎn)介
1.1 電磁加熱原理

電磁灶是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電器。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將50/60Hz的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過(guò)控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為20-40KHz的高頻電壓，高速變化的電流流過(guò)線圈會(huì)產(chǎn)生高速變化的磁場(chǎng)，當(dāng)磁場(chǎng)內(nèi)的磁力線通過(guò)金屬器皿(導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料)底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生無(wú)數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。

1.2 458系列筒介
458系列是由建安電子技術(shù)開(kāi)發(fā)制造廠設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的新一代電磁爐,介面有LED發(fā)光二極管顯示模式、LED數(shù)碼顯示模式、LCD液晶顯示模式、VFD瑩光顯示模式機(jī)種。操作功能有加熱火力調(diào)節(jié)、自動(dòng)恒溫設(shè)定、定時(shí)關(guān)機(jī)、預(yù)約開(kāi)/關(guān)機(jī)、預(yù)置操作模式、自動(dòng)泡茶、自動(dòng)煮飯、自動(dòng)煲粥、自動(dòng)煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機(jī)種。額定加熱功率有700~3000W的不同機(jī)種,功率調(diào)節(jié)范圍為額定功率的85%,并且在全電壓范圍內(nèi)功率自動(dòng)恒定。200~240V機(jī)種電壓使用范圍為160~260V, 100~120V機(jī)種電壓使用范圍為90~135V。全系列機(jī)種均適用于50、60Hz的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為-23℃~45℃。電控功能有鍋具超溫保護(hù)、鍋具干燒保護(hù)、鍋具傳感器開(kāi)/短路保護(hù)、2小時(shí)不按鍵(忘記關(guān)機(jī)) 保護(hù)、IGBT溫度限制、IGBT溫度過(guò)高保護(hù)、低溫環(huán)境工作模式、IGBT測(cè)溫傳感器開(kāi)/短路保護(hù)、高低電壓保護(hù)、浪涌電壓保護(hù)、VCE抑制、VCE過(guò)高保護(hù)、過(guò)零檢測(cè)、小物檢測(cè)、鍋具材質(zhì)檢測(cè)。
458系列須然機(jī)種較多,且功能復(fù)雜,但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及CPU程序不同而己。電路的各項(xiàng)測(cè)控主要由一塊8位4K內(nèi)存的單片機(jī)組成,外圍線路簡(jiǎn)單且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時(shí)根據(jù)故障報(bào)警指示,對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大部分均可輕易解決。
二、原理分析
2.1 特殊零件簡(jiǎn)介
2.1.1 LM339集成電路

LM339內(nèi)置四個(gè)翻轉(zhuǎn)電壓為6mV的電壓比較器,當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(shí)(+輸入端電壓高于-入輸端電壓), 置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管截止, 此時(shí)輸出端相當(dāng)于開(kāi)路; 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí)(-輸入端電壓高于+輸入端電壓), 置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通, 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時(shí)輸出端為0V。

2.1.2 IGBT


絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工藝制作的IGBT, 但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
IGBT有三個(gè)電極(見(jiàn)上圖), 分別稱(chēng)為柵極G(也叫控制極或門(mén)極) 、集電極C(亦稱(chēng)漏極) 及發(fā)射極E(也稱(chēng)源極) 。
    從IGBT的下述特點(diǎn)中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時(shí), 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴(yán)重, 輸出效率下降。
IGBT的特點(diǎn):
1.電流密度大, 是MOSFET的數(shù)十倍。
2.輸入阻抗高, 柵驅(qū)動(dòng)功率極小, 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。
3.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下, 其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。
5.開(kāi)關(guān)速度快, 關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級(jí)的約0.2us, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開(kāi)關(guān)頻率直達(dá)100KHz, 開(kāi)關(guān)損耗僅為GTR的30%。
     IGBT將場(chǎng)控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的                     高速高壓半導(dǎo)體功率器件。
目前458系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下:
(1) SGW25N120----西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SKW25N120。
(2) SKW25N120----西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內(nèi)部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時(shí)將原配套SGW25N120的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。
(3) GT40Q321----東芝公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)42A,100℃時(shí)23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。
(4) GT40T101----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時(shí)80A,100℃時(shí)40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用GT40T301。
(5) GT40T301----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時(shí)80A,100℃時(shí)40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。
(6) GT60M303 ----東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時(shí)120A,100℃時(shí)60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。

2.2 電路方框圖

2.3 主回路原理分析


時(shí)間t1~t2時(shí)當(dāng)開(kāi)關(guān)脈沖加至Q1的G極時(shí),Q1飽和導(dǎo)通,電流i1從電源流過(guò)L1,由于線圈感抗不允許電流突變.所以在t1~t2時(shí)間i1隨線性上升,在t2時(shí)脈沖結(jié)束,Q1截止,同樣由于感抗作用,i1不能立即變0,于是向C3充電,產(chǎn)生充電電流i2,在t3時(shí)間,C3電荷充滿(mǎn),電流變0,這時(shí)L1的磁場(chǎng)能量全部轉(zhuǎn)為C3的電場(chǎng)能量,在電容兩端出現(xiàn)左負(fù)右正,幅度達(dá)到峰值電壓,在Q1的CE極間出現(xiàn)的電壓實(shí)際為逆程脈沖峰壓+電源電壓,在t3~t4時(shí)間,C3通過(guò)L1放電完畢,i3達(dá)到最大值,電容兩端電壓消失,這時(shí)電容中的電能又全部轉(zhuǎn)為L(zhǎng)1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即變0,于是L1兩端電動(dòng)勢(shì)反向,即L1兩端電位左正右負(fù),由于阻尼管D11的存在,C3不能繼續(xù)反向充電,而是經(jīng)過(guò)C2、D11回流,形成電流i4,在t4時(shí)間,第二個(gè)脈沖開(kāi)始到來(lái),但這時(shí)Q1的UE為正,UC為負(fù),處于反偏狀態(tài),所以Q1不能導(dǎo)通,待i4減小到0,L1中的磁能放完,即到t5時(shí)Q1才開(kāi)始第二次導(dǎo)通,產(chǎn)生i5以后又重復(fù)i1~i4過(guò)程,因此在L1上就產(chǎn)生了和開(kāi)關(guān)脈沖f(20KHz~30KHz)相同的交流電流。t4~t5的i4是阻尼管D11的導(dǎo)通電流,
在高頻電流一個(gè)電流周期里,t2~t3的i2是線盤(pán)磁能對(duì)電容C3的充電電流,t3~t4的i3是逆程脈沖峰壓通過(guò)L1放電的電流,t4~t5的i4是L1兩端電動(dòng)勢(shì)反向時(shí), 因D11的存在令C3不能繼續(xù)反向充電, 而經(jīng)過(guò)C2、D11回流所形成的阻尼電流,Q1的導(dǎo)通電流實(shí)際上是i1。
Q1的VCE電壓變化:在靜態(tài)時(shí),UC為輸入電源經(jīng)過(guò)整流后的直流電源,t1~t2,Q1飽和導(dǎo)通,UC接近地電位,t4~t5,阻尼管D11導(dǎo)通,UC為負(fù)壓(電壓為阻尼二極管的順向壓降),t2~t4,也就是LC自由振蕩的半個(gè)周期,UC上出現(xiàn)峰值電壓,在t3時(shí)UC達(dá)到最大值。
以上分析證實(shí)兩個(gè)問(wèn)題:一是在高頻電流的一個(gè)周期里,只有i1是電源供給L的能量,所以i1的大小就決定加熱功率的大小,同時(shí)脈沖寬度越大,t1~t2的時(shí)間就越長(zhǎng),i1就越大,反之亦然,所以要調(diào)節(jié)加熱功率,只需要調(diào)節(jié)脈沖的寬度;二是LC自由振蕩的半周期時(shí)間是出現(xiàn)峰值電壓的時(shí)間,亦是Q1的截止時(shí)間,也是開(kāi)關(guān)脈沖沒(méi)有到達(dá)的時(shí)間,這個(gè)時(shí)間關(guān)系是不能錯(cuò)位的,如峰值脈沖還沒(méi)有消失,而開(kāi)關(guān)脈沖己提前到來(lái),就會(huì)出現(xiàn)很大的導(dǎo)通電流使Q1燒壞,因此必須使開(kāi)關(guān)脈沖的前沿與峰值脈沖后沿相同步。

2.4 振蕩電路
(1) 當(dāng)G點(diǎn)有Vi輸入時(shí)、V7 OFF時(shí)(V7=0V), V5等于D12與D13的順向壓降, 而當(dāng)V6<V5之后,V7由OFF轉(zhuǎn)態(tài)為ON,V5亦上升至Vi, 而V6則由R56、R54向C5充電。
(2) 當(dāng)V6>V5時(shí),V7轉(zhuǎn)態(tài)為OFF,V5亦降至D12與D13的順向壓降, 而V6則由C5經(jīng)R54、D29放電。
(3) V6放電至小于V5時(shí), 又重復(fù)(1) 形成振蕩。
“G點(diǎn)輸入的電壓越高, V7處于ON的時(shí)間越長(zhǎng), 電磁爐的加熱功率越大,反之越小”。






2.5 IGBT激勵(lì)電路

振蕩電路輸出幅度約4.1V的脈沖信號(hào),此電壓不能直接控制IGBT(Q1)的飽和導(dǎo)通及截止,所以必須通過(guò)激勵(lì)電路將信號(hào)放大才行,該電路工作過(guò)程如下:
(1) V8 OFF時(shí)(V8=0V),V8<V9,V10為高,Q8和Q3   導(dǎo)通、Q9和Q10截止,Q1的G極為0V,Q1截止。
(2) V8 ON時(shí)(V8=4.1V),V8>V9,V10為低,Q8和Q3截止、Q9和Q10導(dǎo)通,+22V通過(guò)R71、Q10加至Q1的G極,Q1導(dǎo)通。


2.6 PWM脈寬調(diào)控電路
   CPU輸出PWM脈沖到由R6、C33、R16組成的積分電路, PWM脈沖寬度越寬,C33的電壓越高,C20的電壓也跟著升高,送到振蕩電路(G點(diǎn))的控制電壓隨著C20的升高而升高, 而G點(diǎn)輸入的電壓越高, V7處于ON的時(shí)間越長(zhǎng), 電磁爐的加熱功率越大,反之越小。
“CPU通過(guò)控制PWM脈沖的寬與窄, 控制送至振蕩電路G的加熱功率控制電壓，控制了IGBT導(dǎo)通時(shí)間的長(zhǎng)短,結(jié)果控制了加熱功率的大小”。

2.7 同步電路

R78、R51分壓產(chǎn)生V3,R74+R75、R52分壓產(chǎn)生V4, 在高頻電流的一個(gè)周期里,在t2~t4時(shí)間 (圖1),由于C3兩端電壓為左負(fù)右正,所以V3<V4,V5OFF(V5=0V) 振蕩電路V6>V5,V7 OFF(V7=0V),振蕩沒(méi)有輸出,也就沒(méi)有開(kāi)關(guān)脈沖加至Q1的G極,保證了Q1在t2~t4時(shí)間不會(huì)導(dǎo)通, 在t4~t6時(shí)間,C3電容兩端電壓消失, V3>V4, V5上升,振蕩有輸出,有開(kāi)關(guān)脈沖加至Q1的G極。以上動(dòng)作過(guò)程,保證了加到Q1 G極上的開(kāi)關(guān)脈沖前沿與Q1上產(chǎn)生的VCE脈沖后沿相同步。

2.8 加熱開(kāi)關(guān)控制
(1)當(dāng)不加熱時(shí),CPU 19腳輸出低電平(同時(shí)13腳也停止PWM輸出), D18導(dǎo)通,將V8拉低,另V9>V8,使IGBT激勵(lì)電路停止輸出,IGBT截止,則加熱停止。
(2)開(kāi)始加熱時(shí), CPU 19腳輸出高電平,D18截止,同時(shí)13腳開(kāi)始間隔輸出PWM試探信號(hào),同時(shí)CPU通過(guò)分析電流檢測(cè)電路和VAC檢測(cè)電路反饋的電壓信息、VCE檢測(cè)電路反饋的電壓波形變化情況,判斷是否己放入適合的鍋具,如果判斷己放入適合的鍋具,CPU13腳轉(zhuǎn)為輸出正常的PWM信號(hào),電磁爐進(jìn)入正常加熱狀態(tài),如果電流檢測(cè)電路、VAC及VCE電路反饋的信息,不符合條件,CPU會(huì)判定為所放入的鍋具不符或無(wú)鍋,則繼續(xù)輸出PWM試探信號(hào),同時(shí)發(fā)出指示無(wú)鍋的報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表),如1分鐘內(nèi)仍不符合條件,則關(guān)機(jī)。

2.9 VAC檢測(cè)電路
AC220V由D1、D2整流的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)R79、R55分壓、C32平滑后的直流電壓送入CPU,根據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,CPU會(huì)自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令:

(1) 判別輸入的電源電壓是否在充許范圍內(nèi),否則停止加熱,并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。
(2) 配合電流檢測(cè)電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(祥見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)控制及試探過(guò)程一節(jié))。
(3) 配合電流檢測(cè)電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息,調(diào)控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定。
“電源輸入標(biāo)準(zhǔn)220V±1V電壓,不接線盤(pán)(L1)測(cè)試CPU第7腳電壓,標(biāo)準(zhǔn)為1.95V±0.06V”。

2.10 電流檢測(cè)電路
電流互感器CT二次測(cè)得的AC電壓,經(jīng)D20~D23組成的橋式整流電路整流、C31平滑,所獲得的直流電壓送至CPU,該電壓越高,表示電源輸入的電流越大, CPU根據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令:

(1) 配合VAC檢測(cè)電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(祥見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)控制及試探過(guò)程一節(jié))。
(2) 配合VAC檢測(cè)電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息,調(diào)控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定。

2.11 VCE檢測(cè)電路 將IGBT(Q1)集電極上的脈沖電壓通過(guò)R76+R77、R53分壓送至Q6基極,在發(fā)射極上獲得其取樣電壓,此反影了Q1 VCE電壓變化的信息送入CPU, CPU根據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令:   (1) 配合VAC檢測(cè)電路、電流檢測(cè)電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(祥見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)控制及試探過(guò)程一節(jié))。 (2) 根據(jù)VCE取樣電壓值,自動(dòng)調(diào)整PWM脈寬,抑制VCE脈沖幅度不高于1100V(此值適用于耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT抑制值為1300V)。 (3) 當(dāng)測(cè)得其它原因?qū)е罺CE脈沖高于1150V時(shí)((此值適用于耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT此值為1400V),CPU立即發(fā)出停止加熱指令(祥見(jiàn)故障代碼表)。 2.12 浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路 電源電壓正常時(shí),V14>V15,V16 ON(V16約4.7V),D17截止,振蕩電路可以輸出振蕩脈沖信號(hào),當(dāng)電源突然有浪涌電壓輸入時(shí),此電壓通過(guò)C4耦合,再經(jīng)過(guò)R72、R57分壓取樣,該取樣電壓通過(guò)D28另V15升高,結(jié)果V15>V14另 IC2C比較器翻轉(zhuǎn),V16 OFF(V16=0V),D17瞬間導(dǎo)通,將振蕩電路輸出的振蕩脈沖電壓V7拉低,電磁爐暫停加熱,同時(shí),CPU監(jiān)測(cè)到V16 OFF信息,立即發(fā)出暫止加熱指令,待浪涌電壓過(guò)后、V16由OFF轉(zhuǎn)為ON時(shí),CPU再重新發(fā)出加熱指令。 2.13 過(guò)零檢測(cè) 當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時(shí), 由D1、D2和整流橋DB內(nèi)部交流兩輸入端對(duì)地的兩個(gè)二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)R73、R14分壓的電壓維持Q11導(dǎo)通,Q11集電極電壓變0, 當(dāng)正弦波電源電壓處于過(guò)零點(diǎn)時(shí),Q11因基極電壓消失而截止,集電極電壓隨即升高,在集電極則形成了與電源過(guò)零點(diǎn)相同步的方波信號(hào),CPU通過(guò)監(jiān)測(cè)該信號(hào)的變化,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令。 2.14 鍋底溫度監(jiān)測(cè)電路 加熱鍋具底部的溫度透過(guò)微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,該電阻阻值的變化間接反影了加熱鍋具的溫度變化(溫度/阻值祥見(jiàn)熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R58分壓點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻值的變化,即加熱鍋具的溫度變化, CPU通過(guò)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令: (1) 定溫功能時(shí),控制加熱指令,另被加熱物體溫度恒定在指定范圍內(nèi)。 (2) 當(dāng)鍋具溫度高于220℃時(shí),加熱立即停止, 并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 (3) 當(dāng)鍋具空燒時(shí), 加熱立即停止, 并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 (4) 當(dāng)熱敏電阻開(kāi)路或短路時(shí), 發(fā)出不啟動(dòng)指令,并報(bào)知相關(guān)的信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 2.15 IGBT溫度監(jiān)測(cè)電路 IGBT產(chǎn)生的溫度透過(guò)散熱片傳至緊貼其上的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻TH,該電阻阻值的變化間接反影了IGBT的溫度變化(溫度/阻值祥見(jiàn)熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R59分壓點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻值的變化,即IGBT的溫度變化, CPU通過(guò)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令: (1) IGBT結(jié)溫高于85℃時(shí),調(diào)整PWM的輸出,令IGBT結(jié)溫≤85℃。 (2) 當(dāng)IGBT結(jié)溫由于某原因(例如散熱系統(tǒng)故障)而高于95℃時(shí), 加熱立即停止, 并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 (3) 當(dāng)熱敏電阻TH開(kāi)路或短路時(shí), 發(fā)出不啟動(dòng)指令,并報(bào)知相關(guān)的信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 (4) 關(guān)機(jī)時(shí)如IGBT溫度>50℃,CPU發(fā)出風(fēng)扇繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)指令,直至溫度<50℃(繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)超過(guò)4分鐘如溫度仍>50℃, 風(fēng)扇停轉(zhuǎn);風(fēng)扇延時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)期間,按1次關(guān)機(jī)鍵,可關(guān)閉風(fēng)扇)。 (5) 電磁爐剛啟動(dòng)時(shí),當(dāng)測(cè)得環(huán)境溫度<0℃,CPU調(diào)用低溫監(jiān)測(cè)模式加熱1分鐘, 1分鐘后再轉(zhuǎn)用正常監(jiān)測(cè)模式,防止電路零件因低溫偏離標(biāo)準(zhǔn)值造成電路參數(shù)改變而損壞電磁爐。 2.16 散熱系統(tǒng) 將IGBT及整流器DB緊貼于散熱片上,利用風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)通過(guò)電磁爐進(jìn)、出風(fēng)口形成的氣流將散熱片上的熱及線盤(pán)L1等零件工作時(shí)產(chǎn)生的熱、加熱鍋具輻射進(jìn)電磁爐內(nèi)的熱排出電磁爐外。 CPU發(fā)出風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)指令時(shí),15腳輸出高電平,電壓通過(guò)R5送至Q5基極,Q5飽和導(dǎo)通,VCC電流流過(guò)風(fēng)扇、Q5至地,風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn); CPU發(fā)出風(fēng)扇停轉(zhuǎn)指令時(shí),15腳輸出低電平,Q5截止,風(fēng)扇因沒(méi)有電流流過(guò)而停轉(zhuǎn)。 2.17 主電源 AC220V 50/60Hz電源經(jīng)保險(xiǎn)絲FUSE,再通過(guò)由CY1、CY2、C1、共模線圈L1組成的濾波電路(針對(duì)EMC傳導(dǎo)問(wèn)題而設(shè)置,祥見(jiàn)注解),再通過(guò)電流互感器至橋式整流器DB,產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)扼流線圈提供給主回路使用;AC1、AC2兩端電壓除送至輔助電源使用外,另外還通過(guò)印于PCB板上的保險(xiǎn)線P.F.送至D1、D2整流得到脈動(dòng)直流電壓作檢測(cè)用途。       注解 : 由于中國(guó)大陸目前并未提出電磁爐須作強(qiáng)制性電磁兼容(EMC)認(rèn)證,基于成本原因,內(nèi)銷(xiāo)產(chǎn)品大部分沒(méi)有將CY1、CY2裝上,L1用跳線取代,但基本上不影響電磁爐使用性能。 2.18輔助電源 AC220V 50/60Hz電壓接入變壓器初級(jí)線圈,次級(jí)兩繞組分別產(chǎn)生13.5V和23V交流電壓。 13.5V交流電壓由D3~D6組成的橋式整流電路整流、C37濾波,在C37上獲得的直流電壓VCC除供給散熱風(fēng)扇使用外,還經(jīng)由IC1三端穩(wěn)壓IC穩(wěn)壓、C38濾波,產(chǎn)生+5V電壓供控制電路使用。 23V交流電壓由D7~D10組成的橋式整流電路整流、 C34濾波后, 再通過(guò)由Q4、R7、ZD1、C35、C36組成的串聯(lián)型穩(wěn)壓濾波電路,產(chǎn)生+22V電壓供IC2和IGBT激勵(lì)電路使用。 2.19 報(bào)警電路 電磁爐發(fā)出報(bào)知響聲時(shí),CPU14腳輸出幅度為5V、頻率3.8KHz的脈沖信號(hào)電壓至蜂鳴器ZD,令ZD發(fā)出報(bào)知響聲。