我的前老板曾經(jīng)在臺(tái)灣TSMC不小心MO，結(jié)果跑死掉一批貨，結(jié)果導(dǎo)致一家Design House倒閉。題外話——Fab的小弟小妹看到動(dòng)感地帶的廣告都?xì)鈮牧?，什么“沒(méi)事MO一下”，這不找抽嗎？沒(méi)事MO（Miss Operation）一下，一批貨25片損失兩萬(wàn)多美元，獎(jiǎng)金扣光光，然后被fire。
下面分部門簡(jiǎn)單介紹一下Fab的工種。
先轉(zhuǎn)貼一些詞匯表，免得到時(shí)候冒些個(gè)專有名詞大家不好理解：
1 Active Area 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)） 主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥(niǎo)嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定義的區(qū)域小0.5UM。 2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2. 性質(zhì)為無(wú)色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。4. 對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過(guò)量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。5. 允許濃度1000PPM。 3 ADI 顯影后檢查 1.定義：After Developing Inspection 之縮寫(xiě)2.目的：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對(duì)準(zhǔn)→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護(hù)產(chǎn)品良率、品質(zhì)。3.方法：利用目檢、顯微鏡為之。 4 AEI 蝕刻后檢查 1. 定義：AEI即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施全檢或抽樣檢查。2.目的：2-1提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。2-2達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。2-3顯示制程能力之指針2-4阻止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本3.通常AEI檢查出來(lái)之不良品，非必要時(shí)很少作修改，因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加，生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點(diǎn)。 5 AIR SHOWER 空氣洗塵室 進(jìn)入潔凈室之前，需穿無(wú)塵衣，因在外面更衣室之故，無(wú)塵衣上沾著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉。 6 ALIGNMENT 對(duì)準(zhǔn) 1. 定義：利用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵，一般用十字鍵和光罩上的對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之。2. 目的：在IC的制造過(guò)程中，必須經(jīng)過(guò)6~10次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來(lái)定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3. 方法：A.人眼對(duì)準(zhǔn)B.用光、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。 7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使鋁與硅基(Silicon Substrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線性關(guān)系。Alloy也可降低接觸的阻值。 8 AL/SI 鋁/硅 靶 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一般使用之組成為Al/Si (1%)，將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線連接。 9 AL/SI/CU 鋁/硅 /銅 金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱，通常是稱為TARGET，其成分為0.5﹪銅，1﹪硅及98.5﹪鋁，一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪硅，后來(lái)為了金屬電荷遷移現(xiàn)象（ELEC TROMIGRATION）故滲加0.5﹪銅，以降低金屬電荷遷移。 10 ALUMINUN 鋁 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把Al的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，將此?dāng)作組件與外界導(dǎo)線之連接。 11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是為了測(cè)量Junction的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線干涉測(cè)量的方法就稱之Angle Lapping。公式為Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波長(zhǎng)的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準(zhǔn)確度及精密度都無(wú)法因應(yīng)。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是應(yīng)用Angle Lapping的方法作前處理，采用的方法是以表面植入濃度與阻值的對(duì)應(yīng)關(guān)系求出Junction的深度，精確度遠(yuǎn)超過(guò)入射光干涉法。 12 ANGSTRON 埃 是一個(gè)長(zhǎng)度單位，其大小為1公尺的百億分之一，約為人的頭發(fā)寬度之五十萬(wàn)分之一。此單位常用于IC制程上，表示其層（如SiO2，Poly，SiN….）厚度時(shí)用。 13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學(xué)氣相沉積 APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學(xué))，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫(xiě)，也就是說(shuō)，反應(yīng)氣體（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常壓下起化學(xué)反應(yīng)而生成一層固態(tài)的生成物（如BPSG）于芯片上。 14 AS75 砷 自然界元素之一；由33個(gè)質(zhì)子，42個(gè)中子即75個(gè)電子所組成。半導(dǎo)體工業(yè)用的砷離子（As＋）可由AsH3氣體分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-場(chǎng)區(qū)、空乏區(qū)及S/D植入。 15 ASHING，STRIPPING 電漿光阻去除 1. 電漿預(yù)處理，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除。2. 電漿光阻去除的原理，系利用氧氣在電漿中所產(chǎn)生只自由基（Radical）與光阻（高分子的有機(jī)物）發(fā)生作用，產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，再由幫浦抽走，達(dá)到光阻去除的目的。3. 電漿光組的產(chǎn)生速率通常較酸液光阻去除為慢，但是若產(chǎn)品經(jīng)過(guò)離子植入或電漿蝕刻后，表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學(xué)作用，整個(gè)表面之光阻均已變質(zhì)，若以硫酸吃光阻，無(wú)法將表面已變質(zhì)之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來(lái)做。 16 ASSEMBLY 晶粒封裝 以樹(shù)酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達(dá)到保護(hù)晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過(guò)程，即稱為晶粒封裝（Assembly）。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹(shù)酯材料作晶粒的封裝，制程包括：芯片切割→晶粒目檢→晶粒上「架」（導(dǎo)線架，即Lead frame）→焊線→模壓封裝→穩(wěn)定烘烤（使樹(shù)酯物性穩(wěn)定）→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完成。以樹(shù)酯為材料之IC，通常用于消費(fèi)性產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、計(jì)算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產(chǎn)品上。 17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨機(jī)將芯片背面磨薄以便測(cè)試包裝，著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。一般6吋芯片之厚度約20mil～30 mil左右，為了便于晶粒封裝打線，故需將芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。 18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，軟烤，預(yù)烤 烘烤（Bake）：在集成電路芯片上的制造過(guò)程中，將芯片至于稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區(qū)分微軟烤（Soft bake）與預(yù)烤（Hard bake）。軟烤（Soft bake）：其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預(yù)烤（Hard bake）：又稱為蝕刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wet etching）更為重要，預(yù)烤不全長(zhǎng)會(huì)造成過(guò)蝕刻。
19 BF2 二氟化硼 ·一種供做離子植入用之離子?！F2 ＋是由BF3 ＋氣體晶燈絲加熱分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。經(jīng)Extract拉出及質(zhì)譜磁場(chǎng)分析后而得到?！な且环NP-type 離子，通常用作VT植入（閘層）及S/D植入。 20 BOAT 晶舟 Boat原意是單木舟，在半導(dǎo)體IC制造過(guò)程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英、另一是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高（大于300℃）的場(chǎng)合。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場(chǎng)合。 21 B.O.E 緩沖蝕刻液 BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會(huì)浸蝕玻璃及任何含硅石的物質(zhì)，對(duì)皮膚有強(qiáng)烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量水沖洗。 22 BONDING PAD 焊墊 焊墊－晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝（Assembly）的制程中，有一個(gè)步驟是作“焊線”，即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個(gè)接腳依焊線圖（Bonding Diagram）連接在一起，如此一來(lái)，晶粒的功能才能有效地應(yīng)用。由于晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小，（目前SIMC所致的產(chǎn)品約是微米左右的線寬或間隙），而用來(lái)連接用的金線或鋁線其線徑目前由于受到材料的延展性即對(duì)金屬接線強(qiáng)度要求的限制，祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情況下，要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會(huì)造成多條鋁線的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計(jì)成一個(gè)約4mil見(jiàn)方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用。焊墊通常分布再晶粒之四個(gè)外圍上（以粒封裝時(shí)的焊線作業(yè)），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點(diǎn)作成圓形，以資辨識(shí)。焊墊因?yàn)橐鹘泳€，其上得護(hù)層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到“開(kāi)窗線”。而晶粒上有時(shí)亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周，其上也看不到開(kāi)窗線，是為電容。 23 BORON 硼 自然元素之一。由五個(gè)質(zhì)子及六個(gè)中子所組成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五個(gè)質(zhì)子及五個(gè)中子所組成原子量是10（B10）。自然界中這兩種同位素之比例是4：1，可由磁場(chǎng)質(zhì)譜分析中看出，是一種P-type的離子（B 11＋），用來(lái)作場(chǎng)區(qū)、井區(qū)、VT及S/D植入。 24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做為上下兩層絕緣之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step較平緩，以防止Metal line濺鍍上去后，造成斷線。 25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩潰電壓 反向P-N接面組件所加之電壓為P接負(fù)而N接正，如為此種接法則當(dāng)所加電壓通在某個(gè)特定值以下時(shí)反向電流很小，而當(dāng)所加電壓值大于此特定值后，反向電流會(huì)急遽增加，此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定義反向P＋ - N接面之反向電流為1UA時(shí)之電壓為崩潰電壓，在P＋ - N或 N＋-P之接回組件中崩潰電壓，隨著N（或者P）之濃度之增加而減小。 26 BURN IN 預(yù)燒試驗(yàn) 「預(yù)燒」（Burn in）為可靠性測(cè)試的一種，旨在檢驗(yàn)出哪些在使用初期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。預(yù)燒試驗(yàn)的作法，乃是將組件（產(chǎn)品）至于高溫的環(huán)境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來(lái)雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式（Failure Mode）提早顯現(xiàn)出來(lái)，達(dá)到篩選、剔除「早期夭折」產(chǎn)品之目的。預(yù)燒試驗(yàn)分為「靜態(tài)預(yù)燒」（Static Burn in）與「動(dòng)態(tài)預(yù)燒」（Dynamic Burn in）兩種，前者在試驗(yàn)時(shí)，只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率，而后者除此外并有仿真實(shí)際工作情況的訊號(hào)輸入，故較接近實(shí)際狀況，也較嚴(yán)格。基本上，每一批產(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)，馾由于成本及交貨其等因素，有些產(chǎn)品舊祇作抽樣（部分）的預(yù)燒試驗(yàn)，通過(guò)后才出貨。另外對(duì)于一些我們認(rèn)為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準(zhǔn)的產(chǎn)品，亦可以抽樣的方式進(jìn)行，當(dāng)然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過(guò)百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)。 27 CAD 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì) CAD：Computer Aided Design計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，此名詞所包含的范圍很廣，可泛稱一切計(jì)算機(jī)為工具，所進(jìn)行之設(shè)計(jì)；因此不僅在IC設(shè)計(jì)上用得到，建筑上之設(shè)計(jì)，飛機(jī)、船體之設(shè)計(jì)，都可能用到。在以往計(jì)算機(jī)尚未廣泛應(yīng)用時(shí)，設(shè)計(jì)者必須以有限之記憶、經(jīng)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)，可是有了所謂CAD后，我們把一些常用之規(guī)則、經(jīng)驗(yàn)存入計(jì)算機(jī)后，后面的設(shè)計(jì)者，變可節(jié)省不少?gòu)念^摸索的工作，如此不僅大幅地提高了設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確度，使設(shè)計(jì)的領(lǐng)域進(jìn)入另一新天地。 28 CD MEASUREMENT 微距測(cè)試 CD: Critical Dimension之簡(jiǎn)稱。通常于某一個(gè)層次中，為了控制其最小線距，我們會(huì)制作一些代表性之量測(cè)圖形于晶方中，通常置于晶方之邊緣。簡(jiǎn)言之，微距測(cè)量長(zhǎng)當(dāng)作一個(gè)重要之制程指針，可代表黃光制程之控制好壞。量測(cè)CD之層次通常是對(duì)線距控制較重要之層次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前較常用于測(cè)量之圖形有品字型，L-BAR等。 29 CH3COOH 醋酸 ACETIC ACID 醋酸澄清、無(wú)色液體、有刺激性氣味、熔點(diǎn)16.63℃、沸點(diǎn)118℃。與水、酒精、乙醚互溶?？扇肌１姿崾?9.8﹪以上之純化物，有別于水容易的醋酸食入或吸入純醋酸有中等的毒性，對(duì)皮膚及組織有刺激性，危害性不大，被濺到用水沖洗。
30 CHAMBER 真空室,反應(yīng)室 專指一密閉的空間，常有特殊的用途：諸如抽真空、氣體反應(yīng)或金屬濺度等。針對(duì)此特殊空間之種種外在或內(nèi)在環(huán)境：例如外在粒子數(shù)（particle）、濕度及內(nèi)在溫度、壓力、氣體流量、粒子數(shù)等加以控制。達(dá)到芯片最佳反應(yīng)條件。 31 CHANNEL 信道 當(dāng)在MOS晶體管的閘極上加上電壓（PMOS為負(fù)，NMOS為正），則閘極下的電子或電洞會(huì)被其電場(chǎng)所吸引或排斥而使閘極下之區(qū)域形成一反轉(zhuǎn)層（Inversion Layer），也就是其下之半導(dǎo)體P-type變成N-type Si，N-type變成P-type Si，而與源極和汲極，我們舊稱此反轉(zhuǎn)層為“信道”。信道的長(zhǎng)度“Channel Length”對(duì)MOS組件的參數(shù)有著極重要的影響，故我們對(duì)POLY CD的控制需要非常謹(jǐn)慎。 32 CHIP ,DIE 晶粒 一片芯片（OR晶圓，即Wafer）上有許多相同的方形小單位，這些小單位及稱為晶粒。同一芯片上每個(gè)晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個(gè)晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ钪谐Ｒ?jiàn)的IC，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的，從幾百個(gè)到幾千個(gè)不等。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點(diǎn)，往往就會(huì)波及成百成千個(gè)產(chǎn)品。 33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 截子生命周期 一、 定義少數(shù)戴子再溫度平均時(shí)電子被束縛在原子格內(nèi)，當(dāng)外加能量時(shí)，電子獲得能量，脫離原子格束縛，形成自由狀態(tài)而參與電流島通的的工作，但能量消失后，這些電子/電洞將因在結(jié)合因素回復(fù)至平衡狀態(tài)，因子當(dāng)這些載子由被激發(fā)后回復(fù)平衡期間，稱之為少數(shù)載子“LIFE TIME“二、 應(yīng)用范圍1.評(píng)估盧管和清洗槽的干凈度2.針對(duì)芯片之清潔度及損傷程度對(duì)CLT值有影響為A.芯片中離子污染濃度及污染之金屬種類B.芯片中結(jié)晶缺陷濃度 34 CMOS 互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體 金屬氧化膜半導(dǎo)體（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在單晶硅上形成絕緣氧化膜，再沉積一層復(fù)晶硅（或金屬）作為閘極，利用家到閘極的電場(chǎng)來(lái)控制MOS組件的開(kāi)關(guān)（導(dǎo)電或不導(dǎo)電）。按照導(dǎo)電載子的種類，MOS，又可分成兩種類型：NMOS（由電子導(dǎo)電）和PMOS（由電洞導(dǎo)電）。而互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）則是由NMOS及PMOS組合而成，具有省電、抗噪聲能力強(qiáng)、α-PARTICLE免疫力好等許多優(yōu)點(diǎn)，是超大規(guī)模集成電路（VLSI）的主流。 35 COATING 光阻覆蓋 將光阻劑以浸泡、噴霧、刷怖、或滾壓等方法加于芯片上，稱為光阻覆蓋。目前效果最佳的方法為旋轉(zhuǎn)法；旋轉(zhuǎn)法乃是將芯片以真空吸附于一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的芯片支持器上，適量的光阻劑加在芯片中央，然后芯片開(kāi)始轉(zhuǎn)動(dòng)，芯片上的光阻劑向外流開(kāi)，很均勻的散在芯片上。要得到均勻的光阻膜，旋轉(zhuǎn)速度必須適中穩(wěn)定。而旋轉(zhuǎn)速度和光阻劑黏滯性絕應(yīng)所鍍光阻劑的厚度。光阻劑加上后，必須經(jīng)過(guò)軟烤的步驟，以除去光阻劑中過(guò)多的溶劑，進(jìn)而使光阻膜較為堅(jiān)硬，同時(shí)增加光阻膜與芯片的接合能力的主要方法就是在于適當(dāng)調(diào)整軟烤溫度與時(shí)間。經(jīng)過(guò)了以上的鍍光阻膜即軟烤過(guò)程，也就是完成了整個(gè)光阻覆蓋的步驟。 36 CROSS SECTION 橫截面 IC的制造基本上是由一層一層的圖案堆積上去，而為了了解堆積圖案的構(gòu)造，以改善制程或解決制程問(wèn)題，經(jīng)常會(huì)利用破壞性切割方式以電子顯微鏡（SEM）來(lái)觀察，而切割橫截面、觀察橫截面的方式是其中較為普遍之一種。 37 C-V PLOT 電容,電壓圓 譯意為電容、電壓圖：也就是說(shuō)當(dāng)組件在不同狀況下，在閘極上施以某一電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同之電容值（此電壓可為正或負(fù)），如此組件為理想的組件；也就是閘極和汲極間幾乎沒(méi)有雜質(zhì)在里面（COMTAMINATION）。當(dāng)外界環(huán)境改變時(shí)（溫度或壓力），并不太會(huì)影響它的電容值，利用此可MONITOR MOS 組件之好壞，一般△V＜0.2為正常。 38 CWQC 全公司品質(zhì)管制 以往有些經(jīng)營(yíng)者或老板，一直都認(rèn)為品質(zhì)管制是品管部門或品管主管的責(zé)任，遇到品質(zhì)管制做不好時(shí)，即立即指責(zé)品質(zhì)主管，這是不對(duì)的。品質(zhì)管制不是品質(zhì)部門或某一單位就可以做好的，而是全公司每一部門全體人員都參與才能做好。固品質(zhì)管制為達(dá)到經(jīng)營(yíng)的目的，必須結(jié)合公司內(nèi)所有部門全體人員協(xié)力合作，構(gòu)成一個(gè)能共同認(rèn)識(shí)，亦于實(shí)施的體系，并使工作標(biāo)準(zhǔn)化，且使所定的各種事項(xiàng)確實(shí)實(shí)行，使自市場(chǎng)調(diào)查、研究、開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、采購(gòu)、制造、檢查、試驗(yàn)、出貨、銷售、服務(wù)為止的每一階段的品質(zhì)都能有效的管理，這就是所謂的全公司品質(zhì)管制（Company Wide Quality Control）。實(shí)施CWQC的目的最主要的就是要改善企業(yè)體質(zhì)；即發(fā)覺(jué)問(wèn)題的體質(zhì)、重視計(jì)劃的體質(zhì)、重點(diǎn)指向的體質(zhì)、重視過(guò)程的體質(zhì)，以及全員有體系導(dǎo)向的體質(zhì)。 39 CYCLE TIME 生產(chǎn)周期時(shí)間 指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)生所需之生產(chǎn)/制造時(shí)間。在TI-ACER，生產(chǎn)周期有兩種解釋：一為“芯片產(chǎn)出周期時(shí)間”（WAFER-OUT CYCLE TIME?。?，一為“制程周期時(shí)間”（PROCESS CYCLE TIME）“芯片產(chǎn)出周期時(shí)間”乃指單一批號(hào)之芯片由投入到產(chǎn)出所需之生產(chǎn)/制造時(shí)間?！爸瞥讨芷跁r(shí)間”則指所有芯片于單一工站平均生產(chǎn)/制造時(shí)間，而各工站（從頭至尾）平均生產(chǎn)/制造之加總極為該制程之制程周期時(shí)間。目前TI-ACER LINE REPORT 之生產(chǎn)周期時(shí)間乃采用“制程周期時(shí)間”。一般而言，生產(chǎn)周期時(shí)間可以下列公式概略推算之：生產(chǎn)周期時(shí)間=在制品（WIP）/產(chǎn)能（THROUGHOUT） 40 CYCLE TIME 生產(chǎn)周期 IC制造流程復(fù)雜，且其程序很長(zhǎng)，自芯片投入至晶圓測(cè)試完成，謂之Cycle Time。由于IC生命周期很短，自開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)至銷售，需要迅速且能掌握時(shí)效，故Cycle Time越短，競(jìng)爭(zhēng)能力就越高，能掌握產(chǎn)品上市契機(jī)，就能獲取最大的利潤(rùn)。由于Cycle Time 長(zhǎng)，不容許生產(chǎn)中的芯片因故報(bào)廢或重做，故各項(xiàng)操作過(guò)程都要依照規(guī)范進(jìn)行，且要做好故障排除讓產(chǎn)品流程順利，早日出FIB上市銷售。 41 DEFECT DENSITY 缺點(diǎn)密度 〝缺點(diǎn)密度〞系指芯片單位面積上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少〝缺點(diǎn)數(shù)〞之意，此缺點(diǎn)數(shù)一般可分為兩大類：A.可視性缺點(diǎn)B.不可視性缺點(diǎn)。前者可藉由一般光學(xué)顯微鏡檢查出來(lái)（如橋接、斷線），由于芯片制造過(guò)程甚為復(fù)雜漫長(zhǎng)，芯片上缺點(diǎn)數(shù)越少，產(chǎn)品量率品質(zhì)必然越佳，故〝缺點(diǎn)密度〞常備用來(lái)當(dāng)作一個(gè)工廠制造的產(chǎn)品品質(zhì)好壞的指針。 42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分，增加光阻附著力。以免芯片表面曝光顯影后光阻掀起。方法：在光阻覆蓋之前，利用高溫（120℃或150℃）加熱方式為之。
43 DENSIFY 密化 CVD沉積后，由于所沈積之薄膜（THIN FILM之密度很低），故以高溫步驟使薄膜中之分子重新結(jié)合，以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在快速升降溫機(jī)臺(tái)（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。 44 DESCUM 電漿預(yù)處理 1.電漿預(yù)處理，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的時(shí)間，較一般電漿光阻去除（Stripping）為短。其目的只是在于將芯片表面之光阻因顯影預(yù)烤等制程所造成之光阻毛邊或細(xì)屑（Scum）加以去除，以使圖形不失真，蝕刻出來(lái)之圖案不會(huì)有殘余。2. 有關(guān)電漿去除光阻之原理，請(qǐng)參閱「電漿光阻去除」（Ashing）。3. 通常作電漿預(yù)處理，均以較低之力，及小之功率為之，也就是使光阻之蝕刻率降低得很低，使得均勻度能提高，以保持完整的圖形，達(dá)到電漿預(yù)處理的目的。 45 DESIGN RULE 設(shè)計(jì)規(guī)范 由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一們專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法（RECIPE）的影響，故在考慮各項(xiàng)產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善，成功地制造出來(lái)時(shí)，需有一套規(guī)范來(lái)做有關(guān)技術(shù)上之規(guī)定，此即“DESIGN RULE”，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力、各項(xiàng)相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等之考慮，訂正了如：1. 各制程層次、線路之間距離、線寬等之規(guī)格。2. 各制程層次厚度、深度等之規(guī)格。3. 各項(xiàng)電性參數(shù)等之規(guī)格。以供產(chǎn)品設(shè)計(jì)者及制程技術(shù)工程師等人之遵循、參考。 46 EDSIGN RULE 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則EDSIGN RULE：反應(yīng)制程能力及制程組件參數(shù)，以供IC設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)IC時(shí)的參考準(zhǔn)則。一份完整的Design Rule包括有下列各部分：A.制程參數(shù)：如氧化層厚度、復(fù)晶、金屬層厚度等，其它如流程、ADI、AEI 參數(shù)。主要為擴(kuò)散與黃光兩方面的參數(shù)。B.電氣參數(shù)：提供給設(shè)計(jì)者做仿真電路時(shí)之參考。C.布局參數(shù)：及一般所謂的3μm、2μm、1.5μm…等等之Rules，提供布局原布局之依據(jù)。D.光罩制作資料：提供給光罩公司做光罩時(shí)之計(jì)算機(jī)資料，如CD BAR、測(cè)試鍵之?dāng)[放位置，各層次之相對(duì)位置之?dāng)[放等。 47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均對(duì)準(zhǔn) 每個(gè)Field再曝光前均針對(duì)此單一Field對(duì)準(zhǔn)之方法稱之；也就是說(shuō)每個(gè)Field均要對(duì)準(zhǔn)。 48 DIFFUSION 擴(kuò)散 在一杯很純的水上點(diǎn)一滴墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是越來(lái)越淡，這即是擴(kuò)散的一例。在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子布植的方式作擴(kuò)散源（即紅墨水）。因固態(tài)擴(kuò)散比液體擴(kuò)散慢很多（約數(shù)億年），故以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成。 49 DI WATER 去離子水 IC制造過(guò)程中，常需要用鹽酸容易來(lái)蝕刻、清洗芯片。這些步驟之后又需利用水把芯片表面殘留的鹽酸清除，故水的用量相當(dāng)大。然而IC。工業(yè)用水，并不是一般的自來(lái)水或地下水，而是自來(lái)水或地下水經(jīng)過(guò)一系列的純化而成。原來(lái)自來(lái)水或地下水中含有大量的細(xì)菌、金屬離子級(jí)PARTICLE，經(jīng)廠務(wù)的設(shè)備將之殺菌、過(guò)濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為〝去離子水〞，專供IC制造之用。 50 DOPING 參入雜質(zhì) 為使組件運(yùn)作，芯片必須參以雜質(zhì)，一般常用的有：1.預(yù)置：在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層，然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入擴(kuò)散；或利用沉積時(shí)同時(shí)進(jìn)行預(yù)置。2.離子植入：先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。 51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），在一段時(shí)間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會(huì)消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(xiě)（refresh），此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transistor（晶體管）加一個(gè)Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫(xiě)、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類：A.需要六個(gè)Transistor（晶體管），B.四個(gè)Transistor（晶體管）加兩個(gè)Load resistor（負(fù)載電阻）。由于上述之優(yōu)缺點(diǎn)，DRAM一般皆用在PC（個(gè)人計(jì)算機(jī)）或其它不需高速且記憶容量大之記憶器，而SRAM則用于高速之中大型計(jì)算機(jī)或其它只需小記憶容量。如監(jiān)視器（Monitor）、打印機(jī)（Printer）等外圍控制或工業(yè)控制上。 52 DRIVE IN 驅(qū)入 離子植入（ion implantation）雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無(wú)法將雜質(zhì)打入芯片較深（um級(jí)）的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴(kuò)散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進(jìn)行，一方面將雜質(zhì)擴(kuò)散道教深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時(shí)產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱之驅(qū)入。在驅(qū)入時(shí)，常通入一些氧氣，因?yàn)楣柩趸瘯r(shí)，會(huì)產(chǎn)生一些缺陷，如空洞（Vacancy），這些缺陷會(huì)有助于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散速度。另外，由于驅(qū)入世界原子的擴(kuò)散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出（out-diffusion），這是需要注意的地方。 53 E-BEAM LITHOGRAPHY 電子束微影技術(shù) 目前芯片制作中所使用之對(duì)準(zhǔn)機(jī)，其曝光光源波長(zhǎng)約為（365nm～436nm），其可制作線寬約1μ之IC圖形。但當(dāng)需制作更細(xì)之圖形時(shí)，則目前之對(duì)準(zhǔn)機(jī)，受曝光光源波長(zhǎng)之限制，而無(wú)法達(dá)成，因此在次微米之微影技術(shù)中，及有用以電子數(shù)為曝光光源者，由于電子束波長(zhǎng)甚短（～0.1A），故可得甚佳之分辨率，作出更細(xì)之IC圖型，此種技術(shù)即稱之電子束微影技術(shù)。電子束微影技術(shù)，目前已應(yīng)用于光罩制作上，至于應(yīng)用于光芯片制作中，則仍在發(fā)展中。
54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 Early Failure Rate是產(chǎn)品可靠度指針，意謂IC到客戶手中使用其可能發(fā)生故障的機(jī)率。當(dāng)DRAM生產(chǎn)測(cè)試流程中經(jīng)過(guò)BURN-IN高溫高壓測(cè)試后，體質(zhì)不佳的產(chǎn)品便被淘汰。為了確定好的產(chǎn)品其考靠度達(dá)到要求，所以從母批中取樣本做可靠度測(cè)試，試驗(yàn)中對(duì)產(chǎn)品加高壓高溫，催使不耐久的產(chǎn)品故障，因而得知產(chǎn)品的可靠度。故障機(jī)率與產(chǎn)品生命周期之關(guān)系類似浴缸，稱為Bathtub Curve. 55 ELECTROMIGRATION 電子遷移 所謂電子遷移，乃指在電流作用下金屬的質(zhì)量會(huì)搬動(dòng)，此系電子的動(dòng)量傳給帶正電之金屬離子所造成的。當(dāng)組件尺寸越縮小時(shí)，相對(duì)地電流密度則越來(lái)越大；當(dāng)此大電流經(jīng)過(guò)集成電路中之薄金屬層時(shí)，某些地方之金屬離子會(huì)堆積起來(lái)，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來(lái)，堆積金屬會(huì)使鄰近之導(dǎo)體短路，而金屬空缺則會(huì)引起斷路。材料搬動(dòng)主要原動(dòng)力為晶界擴(kuò)散。有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對(duì)電遷移之抗力，例如：與銅形成合金，沉積時(shí)加氧等方式。 56 ELECTRON/HOLE 電子/ 電洞 電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負(fù)電荷，環(huán)繞在原子核四周形成原子。墊洞是晶體中在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開(kāi)原有的位置所遺留下來(lái)的“空缺”因缺少一個(gè)電子，無(wú)法維持電中性，可視為帶有一單位的正電荷。 57 ELLIPSOMETER 橢圓測(cè)厚儀 將已知波長(zhǎng)之射入光分成線性偏極或圓偏極，照射在待射芯片，利用所得之不同橢圓偏極光之強(qiáng)度訊號(hào)，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待測(cè)芯片模厚度 58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 電子遷移可靠度測(cè)試 當(dāng)電流經(jīng)過(guò)金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界（GRAIN Bounderies）擴(kuò)散（Diffusion），使金屬線產(chǎn)生空洞（Void），甚至斷裂，形成失效。其對(duì)可靠度評(píng)估可用電流密度線性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n×exp【Ea/Kb （1/T（op）- 1/T（stress））】TF=AF×T（stress） 59 END POINT DETECTOR 終點(diǎn)偵測(cè)器 在電漿蝕刻中，利用其反應(yīng)特性，特別設(shè)計(jì)用以偵測(cè)反應(yīng)何時(shí)完成的一種裝置。一般終點(diǎn)偵測(cè)可分為下列三種：A.雷射終點(diǎn)偵測(cè)器（Laser Endpoint Detector）： 利用雷射光入射反應(yīng)物（即芯片）表 面，當(dāng)時(shí)顆發(fā)生時(shí)，反應(yīng)層之厚度會(huì)逐漸減少，因而反射光會(huì)有干擾訊號(hào)產(chǎn)生，當(dāng)蝕刻完成時(shí)，所接收之訊號(hào)亦已停止變化，即可測(cè)得終點(diǎn)。B.激發(fā)光終點(diǎn)偵測(cè)器（Optical Emission End Point Detector） 用一光譜接受器，接受蝕刻反應(yīng)中某一反應(yīng)副產(chǎn)物（Byproduct）所激發(fā)之光譜，當(dāng)蝕刻反應(yīng)逐漸完成，此副產(chǎn)物減少，光譜也漸漸變?nèi)?，即可偵測(cè)得其終點(diǎn)。C.時(shí)間偵測(cè)器：直接設(shè)定反應(yīng)時(shí)間，當(dāng)時(shí)間終了，即結(jié)束其反應(yīng)。 60 ENERGY 能量 能量是物理學(xué)之專有名詞。例如：B比A之電壓正100伏，若在A板上有一電子受B版正電吸引而加速跑到B版，這時(shí)電子在B版就比在A版多了100電子伏特的能量。
61 EPI WAFER 磊晶芯片 磊晶系在晶體表面成長(zhǎng)一層晶體。 62 EPROM（ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM） 電子可程序只讀存儲(chǔ)器 MASK ROM內(nèi)所存的資料，是在 FAB 內(nèi)制造過(guò)程中便已設(shè)定好，制造完后便無(wú)法改變，就像任天堂游戲卡內(nèi)的MASK ROM，存的是金牌瑪麗就無(wú)法變成雙截龍。而EPROM是在ROM內(nèi)加一個(gè)特殊結(jié)構(gòu)叫A FAMDS，它可使ROM內(nèi)的資料保存，但當(dāng)紫外光照到它時(shí)，它會(huì)使 ROM內(nèi)的資料消失。每一個(gè)晶憶單位都?xì)w口。然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30瓦左右的電壓將0101….資料灌入每一個(gè)記憶單位。如此就可灌電壓、紫外光重復(fù)使用，存入不同的資料。也就是說(shuō)如果任天堂卡內(nèi)使用的是EPROM，那么你打膩了金牌瑪麗，然后灌雙截龍的程序進(jìn)去，卡匣就變成雙截龍卡，不用去交換店交換了。 63 ESDELECTROSTATIC DAMAGEELECTROSTATIC DISCHARGE 靜電破壞靜電放電 1自然界之物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成。在正常狀態(tài)下，物質(zhì)成中性，而在日?；顒?dòng)中，會(huì)使物質(zhì)失去電子，或得到電子，此即產(chǎn)生一靜電，得到電子之物質(zhì)為帶負(fù)靜電，失去電子即帶正靜電。靜電大小會(huì)隨著日常的工作環(huán)境而有所不同。如下表所示。活動(dòng)情形 靜 電 強(qiáng) 度 （Volt） 10－20﹪相對(duì)濕度 65-95﹪相對(duì)濕度 走過(guò)地毯走過(guò)塑料地板在以子上工作拿起塑料活頁(yè)夾，袋拿起塑料帶工作椅墊摩擦 35,00012,0006,0007,00020,00018,000 1,5002501006001,00015,000 表1 日常工作所產(chǎn)生的靜電強(qiáng)度表2.當(dāng)物質(zhì)產(chǎn)生靜電后，隨時(shí)會(huì)放電，弱放到子組件上，例如IC，則會(huì)將組件破壞而使不能正常工作，此即為靜電破壞或靜電放電。3.防止靜電破壞方法有二：A.在組件設(shè)計(jì)上加上靜電保護(hù)電路。B.在工作環(huán)境上減少靜電，例如工作桌之接地線，測(cè)試員之靜電環(huán)。載運(yùn)送上使用防靜電膠套及海綿等等。 64 ETCH 蝕刻 在集成電路的制程中，常需要將整個(gè)電路圖案定義出來(lái)，其制造程序通常是先長(zhǎng)出或蓋上一層所需要之薄膜，在利用微影技術(shù)在這層薄膜上，以光阻定義出所欲制造之電路圖案，再利用化學(xué)或物理方式將不需要之部分去除，此種去除步驟便稱為蝕刻（ETCH）一般蝕刻可分為濕性蝕刻（WET ETCH）及干性蝕刻（DRY ETCH）兩種。所謂干性蝕刻乃是利用化學(xué)品（通常是鹽酸）與所欲蝕刻之薄膜起化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生氣體或可溶性生成物，達(dá)到圖案定義之目的。而所謂干蝕刻，則是利用干蝕刻機(jī)臺(tái)產(chǎn)生電漿，將所欲蝕刻之薄膜反映產(chǎn)生氣體由PUMP抽走，達(dá)到圖案定義之目的。 65 EXPOSURE 曝光 其意義略同于照相機(jī)底片之感光在集成電路之制造過(guò)程中，定義出精細(xì)之光組圖形為其中重要的步驟，以運(yùn)用最廣之5X STEPPER為例，其方式為以對(duì)紫外線敏感之光阻膜作為類似照相機(jī)底片，光罩上則有我們所設(shè)計(jì)之各種圖形，以特殊波長(zhǎng)之光線（G-LINE 436NM）照射光罩后，經(jīng)過(guò)縮小鏡片（REDUCTION LENS）光罩上之圖形則成5倍縮小，精確地定義在底片上（芯片上之光阻膜）經(jīng)過(guò)顯影后，即可將照到光（正光阻）之光阻顯掉，而得到我們想要之各種精細(xì)圖形，以作為蝕刻或離子植入用。因光阻對(duì)于某特定波長(zhǎng)之光線特別敏感，故在黃光室中早將一切照明用光元過(guò)濾成黃色，以避免泛白光源中含有對(duì)光阻有感光能力之波長(zhǎng)成分在，這一點(diǎn)各相關(guān)人員應(yīng)特別注意，否則會(huì)發(fā)生光線污染現(xiàn)象，而擾亂精細(xì)之光阻圖。 66 FABRICATION（FAB） 制造 Fabrication為“裝配”或“制造”之意，與Manufacture意思一樣，半導(dǎo)體制造程序，其步驟繁多，且制程復(fù)雜，需要有非常精密的設(shè)備和細(xì)心的作業(yè)，才能達(dá)到吳缺點(diǎn)的品質(zhì)。FAB系Fabrication之縮寫(xiě)，指的是“工廠”之意。我們常稱FIB為“晶圓區(qū)”，例如：進(jìn)去“FAB”之前需穿上防塵衣。 67 FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP） 全功能芯片 由于產(chǎn)品上會(huì)有缺陷，所以有些芯片無(wú)法全功能工作。因此須要雷射修補(bǔ)前測(cè)試，以便找到缺陷位置及多寡，接著就能利用雷射修補(bǔ)，將有缺陷的芯片修補(bǔ)成全功能的芯片?！懂?dāng)缺陷超過(guò)一定限度時(shí)，無(wú)法修補(bǔ)成全功能芯片》
68 FIELD/MOAT 場(chǎng)區(qū) FIELD直譯的意思是〝場(chǎng)〞，足球場(chǎng)和武道場(chǎng)等的場(chǎng)都叫做FIELD。它的含意就是一個(gè)有專門用途的區(qū)域。在IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，有一區(qū)域是隔離電場(chǎng)的地方，通常介于兩個(gè)MOS晶體管之間，稱為場(chǎng)區(qū)。場(chǎng)區(qū)之上大部分會(huì)長(zhǎng)一層厚的氧化層。 69 FILTRATION 過(guò)濾 用過(guò)濾器（FILTER，為一半透膜折疊而成）將液體或氣體中的雜質(zhì)給過(guò)濾掉，此稱為FILTRATION【過(guò)濾】因IC制造業(yè)對(duì)潔凈式的要求是非常嚴(yán)格的，故各種使用的液體或氣體，必須借著一個(gè)PUMP制造壓差來(lái)完成，如何炫則一組恰當(dāng)?shù)倪^(guò)濾器及PUMP是首要的課題。 70 FIT（FAILURE IN TIME） FIT適用以表示產(chǎn)品可靠度的單位FIT=1Eailure in 10 9 Device-Hours例如1000 Device 工作1000Hours后1 Device故障，則該產(chǎn)品的可靠度為：（1Failure）/（1000 Devices*1000 Hours）=1000 FITs 71 FOUNDRY 客戶委托加工 客戶委托加工主要是接受客戶委托，生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由SMIC來(lái)生產(chǎn)制造，在將成品出售給客戶，指收取代工過(guò)程費(fèi)用，這種純粹代工，不涉及銷售的方式在國(guó)際間較通常的稱呼就是硅代工（Silicon Foundry）。 72 FOUR POINT PROBE 四點(diǎn)偵測(cè) ·是量測(cè)芯片片阻值（Sheet Resistance）RS的儀器。·原理如下：有ABCD四針，A、D間通以電流I，B、C兩針量取電壓差（△V），則RS=K. △V/I K是常數(shù)比例和機(jī)臺(tái)及針尖距離有關(guān) 73 F/S（FINESONIC CLEAN） 超音波清洗 超音波清洗的主要目的是用來(lái)去除附著在芯片表面的灰塵，其反應(yīng)機(jī)構(gòu)有二：1. 化學(xué)作用：利用SC-1中的NH4OH，H2O2與Silicon表面反應(yīng)，將灰塵剝除。2. 2.物理作用：利用頻率800KHz，功率450W×2的超音波震蕩去除灰塵。 74 FTIR 傅氏轉(zhuǎn)換紅外線光譜分析儀 FTIR乃利用紅外線光譜經(jīng)傅利葉轉(zhuǎn)換進(jìn)而分析雜質(zhì)濃度的光譜分析儀器。目的：·已發(fā)展成熟，可Routine應(yīng)用者，計(jì) 有： A.BPSG/PSG之含磷、含硼量預(yù)測(cè)。 B.芯片之含氧、含碳量預(yù)測(cè)。 C.磊晶之厚度量測(cè)。·發(fā)展中需進(jìn)一步Setup者有： A.氮化硅中氫含量預(yù)測(cè)。 B.復(fù)晶硅中含氧量預(yù)測(cè)。 C.光阻特性分析。FTIR為一極便利之分析儀器，STD的建立為整個(gè)量測(cè)之重點(diǎn)，由于其中多利用光學(xué)原理、芯片狀況（i.e.晶背處理狀況）對(duì)量測(cè)結(jié)果影響至鉅。 75 FTY（FINAL TEST YIELD） 在晶圓出廠后，必須經(jīng)過(guò)包裝及T1（斷/短路測(cè)試），Burn -in（燒結(jié)），T3（高溫功能測(cè)試），T4（低溫功能測(cè)試），QA測(cè)試，方能銷售、出貨至客戶手中。在這段漫長(zhǎng)而繁雜的測(cè)試過(guò)程中，吾人定義Final Test Yield 為：T1 Yield* Burn –in Yield*T3 Yield*T4 Yield 76 FUKE DEFECT 成因?yàn)楣杌镏趸?，尤其是以水蒸氣去致密化PBSG時(shí)會(huì)發(fā)生，造成閘極（Poly Gate）與金屬間的短路。硅化物之氧化可分為二類型：（以TiSi2）1. 熱力學(xué)觀點(diǎn)SiO2是最穩(wěn)定，故Si 擴(kuò)散至TiSi2之表面時(shí)會(huì)與水反應(yīng)成SiO2而非TiO2。2. 動(dòng)力學(xué)觀點(diǎn)而言，當(dāng)Si不足時(shí)則會(huì)形成TiO2而將TiSi2分解。 77 GATE OXIDE 閘極氧化層 GATE OXIDE是MOSFET（金氧半場(chǎng)效晶體管）中相當(dāng)重要的閘極之下的氧化層。此氧化層厚度較薄，且品質(zhì)要求也較嚴(yán)格。 78 GATE VALVE 閘閥 用來(lái)控制氣體壓力之控制裝置。通常閘閥開(kāi)啟越大，氣體于反應(yīng)室內(nèi)呈現(xiàn)之壓力較低；反之，開(kāi)啟越小，壓力較高。 79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP） 優(yōu)良電器特性芯片 能夠合于規(guī)格書(shū)（Data Book）上所定義電器特性的芯片。這些芯片才能被送往芯片包裝工廠制成成品銷售給客戶。 80 GETTERING 吸附 “Gettering”系于半導(dǎo)體制程中，由于可能受到晶格缺陷（Crystal Defect）或金屬類雜質(zhì)污染等之影響，造成組件接口之間可能有漏電流（Junction Leakage）存在，而影響組件特性；如何將這些晶格缺陷、金屬雜質(zhì)摒除解決的種種技術(shù)上作法，就叫做 ”Gettering”吸附。吸附一般又可分 “內(nèi)部的吸附”---Intrinsic Gettering 及 “外部的吸附”---Extrinsic Gettering。前者系在下線制造之前先利用特殊高溫步驟讓晶圓表面的「晶格缺陷或含氧量」盡量降低。后者系利用外在方法如：晶背傷言、磷化物（POCl3）預(yù)置ETC將晶圓表面的缺陷及雜質(zhì)等盡量吸附到晶圓背面。兩者均可有效改善上述問(wèn)題。 81 G-LINE G-光線 G-line系指一種光波的波長(zhǎng)，多系水銀燈所發(fā)出之光波波長(zhǎng)之一，其波長(zhǎng)為436nm。G-line之光源，最常作為Stepper所用之水銀燈，本來(lái)系由許多不同之波長(zhǎng)的光組成，利用一些Mirror和Filter反射、過(guò)濾的結(jié)果，會(huì)將其它波長(zhǎng)之光過(guò)濾掉，僅余G-line作為曝光用。使用單一波長(zhǎng)作為曝光光源可以得到較佳的能量控制和解吸力，但由于其為單色波故產(chǎn)生之駐波效應(yīng)（Standing Wave）對(duì)光阻圖案產(chǎn)生很大的影響。在選擇最佳光阻厚度，以府合駐波效應(yīng)，成為G-line Standing最要的工作之一。
82 GLOBAL ALIGNMENT 整片性對(duì)準(zhǔn)與計(jì)算 Global Alignment系指整片芯片在曝光前，先作整片性之對(duì)準(zhǔn)與計(jì)算，然后接著可做整片芯片之曝光?！LOBAL ALIGNMENT分為兩種：1普通的Global Alignment：每片芯片共對(duì)準(zhǔn)左右兩點(diǎn)。2 Advance Global Alignment：每片芯片對(duì)準(zhǔn)預(yù)先設(shè)定好之指定數(shù)個(gè)Field的對(duì)準(zhǔn)鍵，連續(xù)對(duì)準(zhǔn)完畢并晶計(jì)算機(jī)計(jì)算后，才整片曝光。 83 GOI（GATE OXIDE INTEGRITY） 閘極氧化層完整性 半導(dǎo)體組件中，閘極氧化層的完整與否關(guān)系著電容上電荷的存放能力，故需設(shè)計(jì)一適當(dāng)流程，其主要目的在側(cè)閘極氧化層之崩潰電壓（breakdown voltage）、有效氧化層厚度等，以仿真閘極氧化層的品質(zhì)及可信賴度，通常即以此崩潰電壓值表示GOI的優(yōu)劣程度。 84 GRAIN SIZE 顆粒大小 一種晶體材料形成后，從微觀的角度來(lái)看，材料都是一大堆顆粒壘疊在一起而成。這些顆粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也會(huì)因?yàn)轭w粒大小而變化，故常要注意其大小變化。 85 GRR STUDY（GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY） 測(cè)量?jī)x器重復(fù)性與再現(xiàn)性之研究 將良策儀器的重復(fù)性—一其本身的變異，再現(xiàn)性—操作人本身的變異，用統(tǒng)計(jì)的方法算出，以判斷量測(cè)儀器是否符合制程參數(shù)控制之需要。 86 H2SO4 硫酸 Suifuric Acid硫酸，為目前最廣泛使用的工業(yè)化學(xué)品。強(qiáng)力腐蝕性、濃稠、油狀液體，依純度不同，由無(wú)色至暗棕色，與水以各種不同比例互溶，甚具活性。溶解大部分的金屬。濃硫酸具氧化、脫水、磺化大部分的有機(jī)化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸點(diǎn)315℃。與水混合時(shí)需格外小心，由于放熱引起爆炸性的濺潑，永遠(yuǎn)是將酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被濺到，用大量水沖洗。目前在線上，主要用于SO清洗及光阻去除。 87 H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸無(wú)色無(wú)謂起泡液體或透明晶形固體。依溫度、濃度而定。在20℃50﹪及75﹪強(qiáng)度為易流動(dòng)液體，85﹪為似糖漿，100﹪酸為晶體。比重1.834，熔點(diǎn)42.35℃。在213℃失去Y2 H2O，形成焦磷酸。溶于水、乙醚，能腐蝕鐵及合金。對(duì)皮膚、眼睛有刺激性，不小心濺到，可用水沖洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，濃度是85﹪，沸點(diǎn)156℃，SI3N4與SIO2的蝕刻比約為30：1。 88 HCL 氯化氫（鹽酸） Hydrochloric Acid鹽酸，為無(wú)色或淡黃色，發(fā)煙，刺激性液體。氯化氫的水溶液。鹽酸是一種強(qiáng)烈酸性及高腐蝕性酸。市面出售之”濃”或發(fā)煙酸含有氯化氫38%，比重1.19。氯化氫溶解在水中有各種不同的濃度?？扇苡谒?、酒精、苯、不可燃。用途廣泛?？捎糜谑称芳庸?、金屬之酸洗與清潔、工業(yè)酸化、一般之清洗、實(shí)驗(yàn)試藥。不小心被濺到，用大量水沖洗。目前線上，主要用于RCA清洗。 89 HEPA 高效率過(guò)濾器 HEPA（High Efficiency Particulate Air Filter）為潔凈室內(nèi)用以濾去微粒之裝置，一般以玻璃纖維制成，可將0.1μm 或0.3μm以上之微粒濾去99.97﹪， 壓力損失約12.5㎜H2O。層流臺(tái)能保持Class100以下之潔凈度，即靠HEPA達(dá)成。目前除層流臺(tái)使用HEPA外，其它如烤箱、旋轉(zhuǎn)機(jī)，為了達(dá)到控制Particle的效果，也都裝有HEPA之設(shè)計(jì)。 90 HILLOCK 凸起物 金屬濺鍍后為使金屬與硅基（Si-Substrate）有良好的歐姆式接觸需先經(jīng)融合過(guò)程，在融合過(guò)程中因鋁與硅的熱膨脹系數(shù)不同（鋁將會(huì)膨脹較快），而造成部分的鋁無(wú)法向外擴(kuò)張只得向上膨脹造成小山丘狀的 ”凸起物”--Hillock。 91 HMDS HMDS蒸鍍 HMD原為化學(xué)藥品HexaMethylDiSilazane的縮寫(xiě)，在此則是指芯片在上光阻前的一個(gè)預(yù)先處理步驟。HMDS蒸鍍就是利用惰性氣體（例如氮?dú)猓е鳫MDS的蒸汽通過(guò)芯片表面，而在芯片表面形成一層薄膜。其目的在于：A.消除芯片表面的微量水分。B.防止空氣中的水汽再次吸附于晶面C.增加光阻劑（尤其是正光阻）對(duì)于晶 面的附著能力，進(jìn)而減少在爾后之顯 影過(guò)程中產(chǎn)生掀起，或是在蝕刻時(shí)產(chǎn) 生了”Undercutting”的現(xiàn)象。目前在規(guī)范中規(guī)定于HMDS蒸鍍完4小時(shí)內(nèi)需上光阻以確保其功能。 92 HNO3 硝酸 NITRIC ACID硝酸透明、無(wú)色或微黃色、發(fā)煙、易吸濕之腐蝕性液體，能腐蝕大部分金屬。歧黃色是由于曝光所產(chǎn)生之二氧化氮，為強(qiáng)氧化劑，可與水混合，沸點(diǎn)78℃，比重1.504。IC產(chǎn)業(yè)中硝酸用于清洗爐管，但對(duì)皮膚有腐蝕性，為強(qiáng)氧化劑，與有機(jī)物接觸有起火危險(xiǎn)。清洗爐管用。 93 HOT ELECTRON EFFECT 熱電子效應(yīng) 在VLST的時(shí)代，Short Channel Devices勢(shì)在必行，而目前一般Circuit 應(yīng)用上又未打算更改Supply Voltage；如此一來(lái)，VG=VD S=5V情況下，將造成Impact Ionization（撞擊游離化）現(xiàn)象發(fā)生于Drain鄰近區(qū)域。伴隨而生之Electron-Hole pairs（電子電洞對(duì)），絕大部分經(jīng)由Drain（Electrons）or Sub.（Holes）導(dǎo)流掉。但基于統(tǒng)計(jì)觀點(diǎn)，總會(huì)有少部分Electrons（i.e. Hot-Electrons）所具Energy，足以克服Si-SiO2之Barrier Height（能障），而射入SiO2且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入過(guò)程中打斷Si-H鍵結(jié)，而形成Interface Trap 于Si-SiO2接口。不論遵循上述二者之任一，均將導(dǎo)致NMOS Performance的退化（Degradation）現(xiàn)象。
94 I-LINE STEPPER I-LINE步進(jìn)對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī) 當(dāng)光罩與芯片對(duì)準(zhǔn)后，利用365nm之波長(zhǎng)為光源，將預(yù)坐在光罩上圖形以M：1之比例，一步一步的重復(fù)曝光至芯片上之機(jī)器。 95 IMPURITY 雜質(zhì) 純粹的硅市金剛石結(jié)構(gòu)，在室溫下不易導(dǎo)電。這時(shí)如加一些B11或As 7 5取代硅的位置，就會(huì)產(chǎn)生“電洞”或“載子”，加以偏壓后就可輕易導(dǎo)電。加入的東西即稱為雜質(zhì)。 96 INTEGRATED CIRCUIT（IC） 集成電路 集成電路是一九五八年由美國(guó)德州儀器公司所發(fā)明的。他是將一個(gè)完整的電子電路處理在一塊小小的硅芯片上，然后再以金屬聯(lián)機(jī)與外在引線相接，外加陶瓷或塑料包裝的裝置，由于它能將原本需要許多零件的電子電路集中縮小，因此被稱為集成電路。它具備優(yōu)于傳統(tǒng)電子電路的三個(gè)特性：體積小、廉價(jià)、可靠。依照其集積化的程度可區(qū)分為小型（SSI）、中型（MSI）、大型（LSI）、超大型（VLSI）集成電路。 97 ION IMPLANTER 離子植入機(jī) 在IC制程中有時(shí)需要精確地控制雜質(zhì)的濃度及深度，此時(shí)即不宜由擴(kuò)散之方式為之，故以”離子植入機(jī)”解離特定氣體后調(diào)整離子束電流（Beam Current），計(jì)算電流X時(shí)間得到所植入雜質(zhì)的濃度并利用加速電壓控制植入的深度。 98 ION IMPLANTATION 離子植入 1. 由于加速器集真空技術(shù)的發(fā)展，離子布植機(jī)成為本世紀(jì)高科技產(chǎn)品之一，取代了早先的預(yù)置制程。2. 其好處有：2-1可精確控制劑量。2-2在真空下操作，可免除雜質(zhì)污染。2-3可精確控制植入的深度。2-4是一種低溫的制程。2-5 只要能游離，任何離子皆可植入 99 ISOTROPIC ETCHING 等向性蝕刻 在蝕刻反應(yīng)中，除了縱向反應(yīng)發(fā)生外，橫向反應(yīng)亦同時(shí)發(fā)生，此總蝕刻即稱之為等向性蝕刻。一般化學(xué)濕蝕刻多發(fā)生此種現(xiàn)象。干式蝕刻，其實(shí)刻后的橫截面具有異向性蝕刻特性（Anisotropic），即可得到較陡的圖形。 100 ITY（INTEGRATED TEST YIELD） 為界定產(chǎn)品從wafer fab至組裝、測(cè)試所有流程的良率，其定義為：INTEGRATED TEST YIELD=Wafer Yield*MPY*ATYNote：MPY:Multi-Probe Yield ATY:Assembly Test Yield 101 LATCH UP 栓鎖效應(yīng) 當(dāng)VLSI線路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中將愈來(lái)愈嚴(yán)重，且僅發(fā)生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問(wèn)題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內(nèi)CMOS中形成兩個(gè)雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個(gè)垂直的P+-N-P與一個(gè)水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過(guò)大或受到外界電壓、電流或光的觸發(fā)時(shí)，將造成兩個(gè)晶體管互相導(dǎo)過(guò)而短路，嚴(yán)重的話將使IC燒毀，故設(shè)計(jì)CMOS路防止LATCH-UP的發(fā)生是當(dāng)前IC界最重要的課題。 102 LAYOUT 布局 此名詞用在IC設(shè)計(jì)時(shí)，是指將設(shè)計(jì)者根據(jù)客戶需求所設(shè)計(jì)之線路，經(jīng)由CAD（計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)），轉(zhuǎn)換成實(shí)際制作IC時(shí)，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，關(guān)系到光罩制作出后是和原設(shè)計(jì)者之要求符何，因此必須根據(jù)一定之規(guī)則，好比一場(chǎng)游戲一樣，必須循一定之規(guī)則，才能順利完成，而布局完成后之圖形便是IC工廠制作時(shí)所看到的光罩圖形。 103 LOAD LOCK 傳送室 用來(lái)隔絕反應(yīng)室與外界大器直接接觸，以確保反應(yīng)室內(nèi)之潔凈，降低反應(yīng)是受污染之程度。一般用于電漿蝕刻及金屬濺度等具有真空反應(yīng)室之設(shè)備。 104 LOT NUMBER 批號(hào) 批號(hào)乃是為線上所有材料之身份證，KEY IN批號(hào)如同申報(bào)流動(dòng)戶口，經(jīng)由COMAX系統(tǒng)藉以管制追蹤每批材料之所在站別，并得以查出每批材料之詳細(xì)相關(guān)資料，固為生產(chǎn)過(guò)程中之重要步驟。批號(hào)為7，其編排方法如下： X X X X X 年碼 流水序號(hào)92 0000193 0000294 00003以下類推※批號(hào)之產(chǎn)生乃于最投片時(shí)由SMS系統(tǒng)自動(dòng)產(chǎn)生。 105 LPCVD（LOW PRESSURE） 低壓化學(xué)氣相沉積 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低壓化學(xué)氣相沉積。這是一種沉積方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、復(fù)晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。 106 LP SINTER 低壓燒結(jié) 低壓燒結(jié)（Low Pressure Sinter, LP Sinter），指在低于大氣壓力下（一般為50 Pa或更地），加熱組件。目地在使金屬膜內(nèi)之原子，籍由熱運(yùn)動(dòng)重新排列，以減少原有之晶格缺陷，形成較佳之金屬結(jié)晶顆粒以增加膜之品質(zhì)。由于在低壓下熱傳導(dǎo)之途徑主要為輻射（Radiation）而非對(duì)流（Convection）或傳導(dǎo)（Conduction），因此控溫之方式須選以加熱線圈為監(jiān)控溫度（Spike Control）而非實(shí)際芯片或管內(nèi)之溫度（Profile Control），以避免過(guò)熱（Over-Shooting）之現(xiàn)象。 107 LPY（LASER PROBE YIELD） 雷射修補(bǔ)前測(cè)試良率 針測(cè)出能夠被雷射修補(bǔ)后，產(chǎn)生出全功能的芯片，比便送入雷射修補(bǔ)機(jī)，完成雷射修補(bǔ)的動(dòng)作。此測(cè)試時(shí)由全功能芯片一開(kāi)始就是全功能芯片，須要經(jīng)過(guò)雷射修補(bǔ)前測(cè)試，計(jì)算出缺陷多寡及位置，以便進(jìn)行雷射修補(bǔ)，將缺陷較少的芯片修補(bǔ)成全功能芯片。（缺陷超過(guò)一定限度時(shí)無(wú)法修補(bǔ)成全功能芯片） 108 MASK 光罩 MASK原意為面具，而事實(shí)上光罩在整個(gè)IC制作流程上，所扮演之角色藝有幾分神似。光ˋ照主要之用途在于利用光阻制程，將我們所需要之圖形一直復(fù)印在芯片上，制作很多之IC晶方。而光罩所用只對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)，也分為1X，5X，10X,MASK（即1:1,5:1,10:1）等，而根據(jù)其制作之材質(zhì)又可分為石英光罩（QUARTY），綠玻璃光罩等。 109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微，微米 1.定義：Micro為10-6 1 Micro=10-61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我們說(shuō)1μ即為10-6 m又因?yàn)??=10-8㎝=10-10m（原子大?。┕?μ=10，000?約唯一萬(wàn)個(gè)原子堆積而成的厚度或長(zhǎng)度。 110 MISALIGN 對(duì)準(zhǔn)不良 1.定義：這層光阻圖案和上層【即留在芯片上者】圖案疊對(duì)不好，超出規(guī)格?？梢勒詹煌瑢哟蔚囊?guī)格決定要不要修改。原因：人為、機(jī)臺(tái)、芯片彎曲、光罩 111 MOS 金氧半導(dǎo)體 1.定義：構(gòu)成IC的晶體管結(jié)構(gòu)可分為兩型－雙載子型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。雙載子型IC的運(yùn)算速度較快但電力消耗較大，制造工程也復(fù)雜，并不是VLSI的主流，而MOS型是由電廠效應(yīng)晶體管（FET）集積化而成。先在硅上形成絕緣氧化膜之后，再由它上面的外加電極（金屬或復(fù)晶硅）加入電場(chǎng)來(lái)控制其動(dòng)作，制程上比較簡(jiǎn)單，，。也較不耗電，最早成為實(shí)用化的是P-MOS，但其動(dòng)作速度較慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦進(jìn)入VLSI的領(lǐng)域之后，NMOS的功率消耗還是太大了于是由P-MOS及 N_MOS組合而成速度更高，電力消耗更少的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS，Complementary MOS）遂成為主流。 112 MPY（MULTI PROBE YIELD） 多功能偵測(cè)良率 針測(cè)出符合電路特性要求的芯片，以便送刀封包工廠制成內(nèi)存成品；此測(cè)試時(shí)得到的良品率稱之。每片晶圓上并不是每一個(gè)芯片都能符合電路特性的要求，因此須要多功能針測(cè)以找出符合要求的芯片。 113 MTBF（MEAN TIME BETWEEN FAILURE） MTBF為設(shè)備可靠度的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一，其意指設(shè)備前后發(fā)生故障的平均時(shí)間。MTBF時(shí)間愈短表示設(shè)備的可靠度愈佳，另外MTTR為Mean Time to Repair為評(píng)估設(shè)備修復(fù)的能力。 114 N2,NITROGEN 氮?dú)?nbsp;定義：空氣中約4/5是氮?dú)狻５獨(dú)鈩?shì)一安定之惰性氣體，由于取得不難且安定，故Fib內(nèi)常用以當(dāng)作Purge管路，除去臟污、保護(hù)氣氛、傳送氣體（Carrier Gas）、及稀釋（Dilute）用途。另外，氮?dú)庠诹阆?96℃（77F）以下即以液態(tài)存在，故常被用作真空冷卻源。現(xiàn)在Fab內(nèi)Clean House用之氮?dú)鉃閺S務(wù)提供99.999﹪純度者，生產(chǎn)線路所用之氮?dú)鉃槠垦b更高純度者。因氮?dú)庵昧靠删植糠磻?yīng)生產(chǎn)成本，故應(yīng)節(jié)約使用以降低成本。 115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半導(dǎo)體 1. 定義：一般金屬由于阻值相當(dāng)?shù)停?0-2Ω－㎝以下），因此稱之為良導(dǎo)體，而氧化物阻值高至105Ω－㎝以上，稱之非導(dǎo)體或絕緣體。若阻值在10-2～105Ω－㎝之間，則名為半導(dǎo)體。IC工業(yè)使用的硅芯片，阻值就是在半導(dǎo)體的范圍，但由于Si（硅）是四價(jià)鍵結(jié)（共價(jià)鍵）的結(jié)構(gòu)，若參雜有如砷（As）磷（P）等五價(jià)元素，且占據(jù)硅原子的地位（Substitutional Sites），則多出一個(gè)電子，可用來(lái)導(dǎo)電，使導(dǎo)電性增加，稱之為N型半導(dǎo)體。若參雜硼（B）等三價(jià)元素，且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結(jié)少了一個(gè)電子，因此其它鍵結(jié)電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過(guò)來(lái)填補(bǔ)，如此連續(xù)的電子填補(bǔ)，稱之為電洞傳導(dǎo)，亦使硅之導(dǎo)電性增加，稱之為P型半導(dǎo)體。因此N型半導(dǎo)體中，其主要帶電粒子為帶負(fù)電的電子，而在P型半導(dǎo)體中，則為帶正電的電洞。在平衡狀況下（室溫）不管N型或P型半導(dǎo)體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對(duì)減少。 116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS） 無(wú)參入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃 NSG為半導(dǎo)體集成電路中之絕緣層材料，通常以化學(xué)氣相沉積的方式聲稱，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質(zhì)。主要應(yīng)用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產(chǎn)生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后績(jī)平坦化制程薄膜的生成。 117 NUMERICAL APERTURE（N.A.） 數(shù)值孔徑 1. 定義：NA是投影式對(duì)準(zhǔn)機(jī)，其光學(xué)系統(tǒng)之解析力（Resolution）好壞的一項(xiàng)指針。NA值越大，則其解析力也越佳。依照定義，數(shù)值孔徑 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f換算成照相機(jī)光圈值f-number（f/#）可得f/#=f/d=1/2NA（D：鏡面直徑。f：鏡頭焦距。n：鏡頭折射率。f/#即我們?cè)谡障鄼C(jī)鏡頭之光圈值上常見(jiàn)的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是）亦即，鏡片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但鏡片的制作也就越困難，因?yàn)橐桩a(chǎn)生色差（Chromatic Aberration）及像畸變（Distorsion），以CANON Stepper為例，其NA=0.42，換算成照相機(jī)光圈,Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。
118 OEB（OXIDE ETCH BACK ） 氧化層平坦化蝕刻 將Poly-1上之多余氧化層（Filling OX）除去，以達(dá)到平坦化之目的。 119 OHMIC CONTACT 歐姆接觸 1. 定義：歐姆接觸試紙金屬與半導(dǎo)體之接觸，而其接觸面之電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身之電阻，使得組件操作時(shí)，大部分的電壓降在于活動(dòng)區(qū)（Active region）而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有兩個(gè)先決條件：A.金屬與半導(dǎo)體間有低的接口能障（Barrier Height）B.半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)滲入（ND>=1018 ㎝-3）前者可使接口電流中熱激發(fā)部分（Thermionic Emission）增加；后者則使接口空乏區(qū)變窄，電子有更多的機(jī)會(huì)直接穿透（Tunneling），而同時(shí)Rc阻值降低。若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙（Energy Gap）較大的半導(dǎo)體（如GaAs），則較難形成歐姆接觸（無(wú)適當(dāng)?shù)慕饘倏捎茫?，必須于半?dǎo)體表面參雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等結(jié)構(gòu)。 120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE） 氧化層-氮化層-氧化層 半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì)（類似電容器），以儲(chǔ)存電荷，使得資料得以在此存取。在此氧化層 - 氮化層 – 氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶的結(jié)合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷（如pinhole）的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補(bǔ)所缺。 121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST） 使用期限（壽命） 任何對(duì)象從開(kāi)始使用到失效所花時(shí)間為失敗時(shí)間（Time of Failure: TF），對(duì)產(chǎn)品而言，針對(duì)其工作使用環(huán)境（Operation），所找出的TF，即為其使用期限（Operation Life Time）。其方法為：AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours 122 OXYGEN 氧氣 OXYGEN氧氣無(wú)色,無(wú)氣味,無(wú)味道雙原子氣體。在－183℃液化成淺藍(lán)色的液體，在218℃固化。在海平面上，空氣中約占20﹪體積的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在電漿光阻去除中，氧氣主要用來(lái)去除光阻用。在電漿干蝕刻中，氧混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前氧氣主要用途在于電漿光阻去除；利用氧氣在電漿中產(chǎn)生氧的自由基（RADICAL）與光阻中的有機(jī)物反應(yīng)，產(chǎn)生二氧化碳和水氣體蒸發(fā)，達(dá)到去除光阻的效果。 123 P31 磷 ·自然界元素之一。由15個(gè)質(zhì)子及16個(gè)中子所組成?！るx子植入的磷離子，是由氣體PH3經(jīng)燈絲加熱分解得到的3 L P+離子，借著Extraction 抽出氣源室經(jīng)加速管加速后，布植在芯片上?！な且环NN-type離子，用做磷植入，S/D植入等。 124 PARTICLE CONTAMINATION 塵粒污染 塵粒污染：由于芯片制造過(guò)程甚為漫長(zhǎng)，經(jīng)過(guò)的機(jī)器、人為處理操作過(guò)程甚為繁雜，但因機(jī)器、人為均獲多或少會(huì)產(chǎn)生一些塵粒，這些塵粒一但沾附到芯片上，集會(huì)造成污染影響，而傷害到產(chǎn)品品質(zhì)與良率，此即『塵粒污染』，我們?cè)诓僮鬟^(guò)程中應(yīng)時(shí)時(shí)防著各項(xiàng)塵粒污染來(lái)源。 125 PARTICLE COUNTER 塵粒計(jì)數(shù)器 1.定義：快捷方式市之等即是以每立方呎內(nèi)之為例數(shù)為分類標(biāo)準(zhǔn)，而計(jì)算微粒數(shù)的儀器即稱塵粒計(jì)數(shù)器。 126 PASSIVATION OXIDE（P/O） 護(hù)層 1. 定義：為IC最后的制程，用以隔絕Device和大氣2. 目的：因與大氣接觸，故著重在Corrosion（鋁腐蝕）、Crack（龜裂）、Pin Hole（針孔）之防治。除了防止組件為大氣中污染之隔絕外，護(hù)層也可當(dāng)作Metal層之保護(hù)，避免Metal被刮傷。3. 方法：護(hù)層可分兩種材料： A.大部分產(chǎn)品以PSG當(dāng)護(hù)層（P Content 2-4﹪）。 B.少部份以PECVD沉積之氮化硅為之。 127 P/D（PARTICLE DEFECT） 塵粒缺陷 Particle Defect顆粒缺陷為當(dāng)今影響4M DRAM制程良率的最大主因，一般而言，particle size如大于design rule的二分之一，足以造成組件的損壞。故在clean room的潔凈度要求，操作人員的潔凈紀(jì)律、設(shè)備本身的結(jié)構(gòu)以及制程的條件和設(shè)備維修的能力，無(wú)一不為了降低particle和提升良率而做最大的努力。 128 PECVD 電漿CVD 1.定義：CVD化學(xué)反應(yīng)所須知能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化之CVD稱作PECVD。PECVD的好處是反應(yīng)速度快、較低的基版溫度及Step Coverage；缺點(diǎn)是產(chǎn)生較大的應(yīng)力，現(xiàn)Fib內(nèi)僅利用PECVD做氮化硅護(hù)層。PECVD英文全名為Plasma Enhancement CVD。 129 PELLICLE 光罩護(hù)膜 一般在光罩過(guò)程中，易有微塵掉落光罩上，而使chip有重復(fù)性缺陷，故在光罩上下面包圍一層膜，稱之為Pellicle。好處如下：1. 微層僅只掉落在膜上，光繞射結(jié)果對(duì)于此微塵影響圖按程度將降至最低。2. 無(wú)須經(jīng)清洗過(guò)程而只須用空氣槍吹去膜上異物即可將異物（微層）去除。 130 PELLICLE 光罩保護(hù)膜 顧名思義，光罩保護(hù)膜之最大功能，即在保護(hù)光罩，使之不受外來(lái)贓污物之污染，而保持光罩之潔凈；一般使用之材料為硝化織微素，而厚度較常用的有0.28U，0.86U兩種。一般而言，可將PELLICLE分為兩部分：（I）FRAME：骨架部分，支持其薄膜之支架，其高度稱為STAND-OFF，一般而言，愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高，但須配合機(jī)臺(tái)之設(shè)計(jì)使用，（II）FILM：透明之薄膜，其厚度之均勻度，透光率是使用時(shí)重要之參數(shù)。PELLICLE之壽命，除了人為損傷外，一般均可曝光數(shù)十萬(wàn)次，透光率衰減后才停用并更換。光罩PELLICLE膜 PARTICLE LENS SYSTEMWAFERPELLICLE面之成像 131 PH3 氫化磷 1.定義：一種半導(dǎo)體工業(yè)之氣體，經(jīng)燈絲加熱供給能量后，可分解成P4，PH4、PH2（及H4）。通常31P4最大?？捎少|(zhì)譜譜場(chǎng)分析出來(lái)，做N-type離子布植用 132 PHOTORESIST 光阻 光阻為有機(jī)材料，系利用光線照射始有機(jī)物質(zhì)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生分子結(jié)構(gòu)變化，在使用溶劑使之顯像。目前一般商用光阻主要含有二部分（1）高分子樹(shù)酯（2）光活性物質(zhì)，一工作原理不同可分為正，負(fù)兩類：（1）正型：光活性物質(zhì)為 DIAZOQUINOUE類，照光前難溶 于堿液中，有抑制溶解樹(shù)酯功能， 照光后產(chǎn)生羧酸，反有利于堿液 溶解，因此可區(qū)分曝光區(qū)與非曝光區(qū)。（2）負(fù)型：光活性物質(zhì)為DIAZIDE類， 照后生成及不安定之雙電子自由 基，能與高分子樹(shù)酯鍵結(jié)，而增加 分子量，選擇適當(dāng)溶劑便可區(qū)分曝 光區(qū)與非曝光區(qū)。目前SMIC使用之正、負(fù)光阻，皆為適用于G-LINE（436NM）制程之光阻。 133 PILOT WAFER 試作芯片 Pilot Wafer為試作芯片，并非生產(chǎn)芯片(Prime Wafer)。在操作機(jī)器前，為了確定機(jī)器是否正常所作的試片，或機(jī)器作完維修、保養(yǎng)后所作的測(cè)試用芯片均稱為Pilot Wafer。由于Pilot Wafer所做出來(lái)的結(jié)果將決定該批的制程條件。故處理Pilot Wafer時(shí)，所抱持的態(tài)度必須和處理Prime Wafere一樣慎重。 134 PINHOLE 針孔 在光阻制程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時(shí)，光阻薄膜無(wú)法完全蓋住芯片表面，而劉有細(xì)小如針孔般的缺陷，再蝕刻制程時(shí)，很可能就被蝕刻制程穿透而致芯片的報(bào)廢。在以往使用負(fù)光阻制程時(shí)，由于負(fù)光阻粘稠性較大，覆蓋較薄，因此容易出現(xiàn)針孔，固有些層次（如CONTACT）必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發(fā)生。目前制程大多使用正光阻，覆蓋較厚，已無(wú)針孔的問(wèn)題存在，QC亦不作針孔測(cè)試。 135 PIRANHA CLEAN 過(guò)氧硫酸清洗 過(guò)氧硫酸（peroxymonosulfuric acid）又稱為CARO’s acid，主要由硫酸加雙氧水反應(yīng)聲稱，反應(yīng)式如下：H2SO4 + H2O2 ﹤＝﹥H2SO5 + H2OH2SO5為一強(qiáng)氧化劑，可將有機(jī)物氧化分解為CO2 + H2O，因此在IC制程中常用來(lái)去除殘留之光阻，另外對(duì)金屬污染及微塵污染也有相當(dāng)好的清洗效果。Piranha原意為食人魚(yú)，在這里則是用來(lái)形容過(guò)氧硫酸與光阻之間的劇烈反應(yīng)。 136 PIX 聚醯胺膜 PIX作用為緩沖護(hù)層，可保護(hù)CELL于封裝時(shí)緩沖封裝所造成之應(yīng)力，且可隔絕α – Particle，PIX本身為一負(fù)光阻。 137 PLASMA ETCHING 電將蝕刻 1.定義：在干蝕刻技術(shù)中，一班多采用電漿蝕刻與活性離子蝕刻，通常電漿蝕刻使用較高之壓力（大于200mT）及較小之RF功率，當(dāng)芯片浸在電漿之中，暴露在電將之表面層原子或分子與電漿中之活性原子接觸并發(fā)生反應(yīng)形成氣態(tài)生成物而離開(kāi)晶面造成蝕刻，此類蝕刻即稱之為電漿蝕刻。所謂電漿極為氣體分子在一電場(chǎng)中被游離成離子（正、負(fù)電荷）、電子及中性基（Radical）等，在純化學(xué)反應(yīng)中，吾人取中性基為蝕刻因子，在R.I.E時(shí)，取活性離子作為中性因子。 138 PM（PREVENTIVE MAINTENANCE） 定期保養(yǎng) 設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)期間停機(jī)，實(shí)施定期（每天、每周、每月或每季等）的設(shè)備保養(yǎng)。例如：檢修，上油，潤(rùn)滑，更換消耗材等。有良好的PM才能發(fā)揮高的設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)效率，發(fā)揮設(shè)備最高的使用率。 139 POCL3 三氯氧化磷 1.定義：一種用作N4擴(kuò)散之化合物。通常以N2為“載氣”（Carrier Gas），帶著POCl3和O2（氧氣）一起進(jìn)入高溫爐管，然后產(chǎn)生下列反應(yīng)：4POCl3+3O2 2P2 O5+6Cl25 P2 O5+5Si 4P+5SiO2在反應(yīng)過(guò)程中，磷沉淀于硅表面，同時(shí)硅表面亦行成一氧化層。 140 POLY SILICON 復(fù)晶硅 SILICON是IC制造的主要原料之一。通常其結(jié)構(gòu)都是單晶（單一方向的晶體）。而本名詞也是SILICON，只是其結(jié)構(gòu)是復(fù)晶結(jié)構(gòu)。及其結(jié)晶的結(jié)構(gòu)是多方向的，而非單一方向。POLY SILICON通常用低壓化學(xué)氣相沉積的方法沉積而得。其主要用途在作MOS的閘極極單元的接連。 141 POX 聚醯胺膜含光罩功能 POX為PIX / PO Reticle Combine之略寫(xiě)，即PIX除具緩沖護(hù)層之作用外，同時(shí)可做PO Pattern用之光阻。PIX本身為一負(fù)光阻。 142 PREHEAT 預(yù)熱 1.定義：在3190作金屬濺鍍時(shí)，第一個(gè)Station適用來(lái)預(yù)熱芯片。2.目的：2-1使芯片在大氣中吸附的氣體，藉加熱加速其在真空中之排除，濺鍍時(shí)可以有較干凈之接口。2-2芯片溫度高，濺鍍之金屬原子可以有較高之移動(dòng)率，而使表面擴(kuò)散較完全，有較好的表面覆蓋性?！A(yù)熱的溫度有其限制，高的建度溫度使得金屬與硅之接觸電阻升高，也使得金屬突起（Hillock）變的嚴(yán)重，而讓表面反射率變差，在金屬閘產(chǎn)品，也發(fā)現(xiàn)溫度不同會(huì)造成其臨界電壓的改變。 143 PRESSURE 壓力 1. .定義：氣體分子撞擊反應(yīng)室之器璧所產(chǎn)生之力量。氣體分子越少、壓力越低。反之氣體分子越多、壓力越高。·如壓力<大氣壓力時(shí)，表示真空，其壓力單位即為真空度。1大氣壓=1atm=760mmHg水銀柱壓力1Torr（扥）=1/760atm=1mmHg·如壓力>大氣壓力時(shí)，即用單位面積所受的重量表示，如㎏/㎝2 或psi（1b（磅）/in2（吋））。一般電漿蝕刻機(jī)之壓力為50millitorr～0.5Torr。一般使用之氣瓶之壓力約為500psi～2000PSI。 144 REACTIVE ION ETCHING（R.I.E.） 活性離子蝕刻 1. 定義：在電漿蝕刻時(shí)，電漿里包含了活性原子、活性離子（正離子）及電子，當(dāng)壓力較低（小于100mT）且氣體兩端所加之電壓購(gòu)高時(shí)，活性離子即被迅速加速?zèng)_向電極上之芯片，而撞擊晶面上暴露在電漿中的表層，將表層之原子擊出，再與活性原子反應(yīng)因而造成蝕刻，此類之蝕刻即稱之為活性離子蝕刻。目前我們已有的R.I.E蝕刻機(jī)臺(tái)為8110、8130、8330等。 145 RECIPE 程序 PECIPE在字典的解釋是醫(yī)生的處方、廚師的食譜。在IC制程中則意指制程的程序。IC制造中各個(gè)步驟都有不同的要求：如溫度要多少？某氣體流量多少？反應(yīng)室的壓力多少？等等甚多的參數(shù)都是PECIPE內(nèi)容的一部份。 146 REFLOW 回流 回流是IC制造中醫(yī)種特殊技術(shù)。做法是將磷或硼或兩者合一，參入二氧化硅中（常用CVD方式）。之后將芯片推入高溫爐管一段時(shí)間，該二氧化硅層（PSG BPSG或BSG）即會(huì)『流動(dòng)』，使芯片表面變得較平坦。此即回流平坦化技術(shù)?；亓魅≡撗趸瘜印褐匦铝鲃?dòng)』之意。 147 REGISTRATION ERROR 注記差 1. 定義：IC芯片的兩個(gè)層次之間，必須要正確地疊在一起，此二層次圖案完全正確對(duì)準(zhǔn)之差距，即稱為Registration Error。 148 RELIABILITY 可靠性 可靠性實(shí)在有很多方法來(lái)描述，但我們指針對(duì)兩個(gè)觀點(diǎn)來(lái)討論。一般來(lái)說(shuō)，可靠性就是客戶對(duì)我們SMIC的產(chǎn)品，再他們使用一段很長(zhǎng)的時(shí)間之后，仍能符合他們的信賴與期待。更精確的描述就是我們SMIC的產(chǎn)品在我們所要求的特殊環(huán)境的測(cè)試，經(jīng)過(guò)一段很長(zhǎng)的時(shí)間之后，仍能確保IC功能、函數(shù)的正常操作及稱為可靠性合格產(chǎn)品。測(cè)試的項(xiàng)目很多，半總離不開(kāi)電壓、溫度、濕度、機(jī)械應(yīng)力及壓力等。 149 REPEAT DEFECT 重復(fù)性缺點(diǎn) 1. 定義：重復(fù)性缺點(diǎn)系指同一芯片內(nèi)每一個(gè)曝光區(qū)的相同位置均出現(xiàn)相同之缺點(diǎn)。重復(fù)性缺點(diǎn)僅發(fā)生于Stepper曝光之產(chǎn)品。重復(fù)性缺點(diǎn)所產(chǎn)生的現(xiàn)象可分為兩種：A.光罩圖案缺失：造成芯片圖案缺失。B.光罩表面或Pellicle表面污染：造成重復(fù)性顯影不良。重復(fù)性缺點(diǎn)對(duì)產(chǎn)品良率有很大的殺傷力，例如一個(gè)曝光區(qū)內(nèi)有八個(gè)晶方，若有一個(gè)晶方圖案有缺失，就會(huì)造成產(chǎn)品良率1/8之損失。因此重復(fù)性缺點(diǎn)是VLSI的頭號(hào)殺手 150 RESISTIVITY 阻值 1. 定義：物理學(xué)上定義阻值（Ω，即歐姆）為R=△V/I在物體兩截面上通以定電流V，量得電壓降△V，則 △V/I即為這物體的阻值。但在半導(dǎo)體工業(yè)上，這樣地易阻值并無(wú)太大實(shí)用價(jià)值。我們只關(guān)心芯片表面薄薄一層“動(dòng)作區(qū)”的阻值。于是另外定義一“薄層阻值”，以四點(diǎn)針測(cè)的方法量取△V及I。Rs=△V/I（Ω/□）定義為芯片的阻值。 151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對(duì)準(zhǔn)及印刷（Align & Print）過(guò)程中站著相當(dāng)重要的地位，尤其演進(jìn)到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對(duì)光學(xué)系統(tǒng)（如對(duì)準(zhǔn)機(jī)、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等）好壞的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一，現(xiàn)今多以法國(guó)人雷萊（Rayleigh）所制定的標(biāo)準(zhǔn)遵循之。物面上兩光點(diǎn)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)頭于成像面上不會(huì)模糊到只被看成一點(diǎn)時(shí)，物面上兩點(diǎn)間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時(shí)，例如對(duì)準(zhǔn)機(jī)對(duì)焦不清時(shí)，就會(huì)造成CD控制不良，Metal橋接，Contact瞎窗或開(kāi)窗過(guò)大等。 152 RETICLE 光罩 為使IC各個(gè)線路在芯片上成形（PATTERN），則必須有規(guī)范露光及遮光區(qū)域（規(guī)范曝光成形）的趙子，此稱為光罩。 153 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /報(bào)廢/簽過(guò) 修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：將光阻去除，重新上新光阻，已定義新的或精確的圖形。AEI修改：將已沉積或氧化的厚厚或薄層去除，重新沉積或氧化。報(bào)廢：芯片受污染或流程不合規(guī)范上之規(guī)定，造成芯片有無(wú)良率之可能，則停止流程不繼續(xù)生產(chǎn)謂之。簽過(guò)：當(dāng)芯片流程至某步驟時(shí)，發(fā)現(xiàn)圖形或規(guī)格不合于規(guī)范內(nèi)之規(guī)定，但其影響不致使芯片達(dá)報(bào)廢之程度，可由工程師簽署，繼續(xù)流程。 154 RUN IN/OUT 擠進(jìn)/擠出 1. 定義：對(duì)準(zhǔn)不良的一種；擠進(jìn)（Run in）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近對(duì)準(zhǔn)良好，而兩邊圖案向中央擠進(jìn)。擠出（Run out）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近對(duì)準(zhǔn)良好， 而兩邊圖案向中央擠出。 155 SCRUBBER 刷洗機(jī) 1. 在沉積或蝕刻制程之后常會(huì)有些微塵落在芯片表面，此種P/D可刷洗去除，避免對(duì)良率的傷害。2. 依照膜的性質(zhì)，及機(jī)臺(tái)的特性不同，通常我們有下列5種不同刷洗方式：- 去離子水沖洗- 毛刷刷洗- 高壓水刷洗- 毛刷加高壓水刷洗- 芯片雙面刷洗 156 SAD（SOFTWARE DEFECT ANALYSIS） 缺陷分析軟件 將每片晶圓及芯片上的缺陷送入計(jì)算機(jī)中，利用缺陷分析軟件，將缺陷分類，一便利統(tǒng)計(jì)及分析的工作。目前89%微縮型產(chǎn)品分類如下：SBIT PSG PBTL CLTT OTHTPROW HROW SROW FROW 2ROWNROW OCL1 OCL2 QCL1 QCL2HCL1 HCL2 OTCO WCL1 WCL2YSEL NCOL LCIO BLK1 BLK2BLK3 OTHR APEO RWCL目前HYDRA產(chǎn)品分類如下：SBIT PBCT PBTL CLTT OTHTPRW1 PRW2 PRW3 FROW 2RW12RW2 NRW1 NRW2 OCL1 OCL2QCL1 QCL2 HCL1 HCL2 WCL1WCL2 YSEL NCOL APED RWCLBLK1 BLY2 BLK3 OTHR（以上均為分類時(shí)使用之表示名稱） 157 SEM（SCANNING ELECTRON MICROSCOPE） 電子顯微鏡 EM最常用之運(yùn)作方式為發(fā)射電子束方式（EMISSIVE MODE），電子油燈絲放出，而由5~30KV之電壓加速，再經(jīng)過(guò)電磁透鏡使電子束聚集照射至試片表面。一般使通過(guò)掃描線圈之電流同時(shí)通過(guò)相對(duì)應(yīng)之陰極射線管偏折電子束，而在螢光幕上產(chǎn)生相似而較大之掃描動(dòng)作，達(dá)到放大之作用。掃描式電子顯微鏡的解像能介于光學(xué)顯微鏡與穿透式電子顯微鏡之間，可用于檢驗(yàn)固體試片，由于視野縱深長(zhǎng)，可顯示清晰三度空間像。 158 SELECTIVITY 選擇性 1. 定義：兩種材料，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻，其兩種蝕刻率之比值謂之。例如復(fù)晶電漿蝕刻：對(duì)復(fù)晶之蝕刻率為2000?/min對(duì)氧化層之蝕刻率為200 ?/min則復(fù)晶對(duì)氧化層之選擇性：SS=2000?/min/200 ?/min=10選擇性越高表示蝕刻特性越好。一般干事實(shí)刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性之目的即在于電漿蝕刻專心蝕刻該蝕刻之氧化層，而不會(huì)商道上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻之完整性。 159 SILICIDE 硅化物 一般稱為硅化物（Silicide），指耐火金屬（Refratory Metal）之硅化物，如鈦（Ti）、鎢（W）、鉬（Mo）等與元素硅（Si）結(jié)合而成之化合物（TiSi2、Wsi2、MoSi2）。硅化物應(yīng)用在組件之目的，主要為降低金屬與硅接口]、閘極或晶體管串聯(lián)之阻抗，以增加組件之性能。以鈦之硅化物為例。 160 SILICIDE 金屬硅化物 1. 定義：Silicide通常指金屬硅化物，為金屬與硅之化合物。2. 目的：在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為2-1導(dǎo)體接觸（Ohmic Contact）2-2單向能阻接觸（Schottky Barrier Contact）2-3低阻閘極（Gate Electrode）2-4組件間通路（Interconnect）在VLSI（超大規(guī)模集成電路）時(shí)代中，接面深度及接口接觸面積分別降至次微米及1～2平方毫米，以往廣泛應(yīng)用為金屬接觸的Al，由于嚴(yán)重的川入半導(dǎo)體問(wèn)題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應(yīng)用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日亦受到重視。由于集成電路中之金屬硅化物限于近貴重（Pt，Pd、Co、Ni、…）及高溫金屬（Ti、W、Mo、Ta）硅化物。 161 SILICON 硅 硅－SI（全文SILICON）為自然界元素之一種，意即我們所使用的硅芯片組成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以結(jié)晶狀態(tài)存在（重復(fù)性單位細(xì)胞組成），每一單位細(xì)胞為由一個(gè)硅原子在中心與其它4個(gè)等為硅原子所組成之四面體（稱為鉆石結(jié)構(gòu)）如圖標(biāo)中心原子以其4個(gè)外圍共價(jià)電子與鄰近之原子其原型或其價(jià)件之結(jié)合。硅元素之電子傳導(dǎo)特性介于金屬導(dǎo)體與絕緣體材料之間（故稱為半導(dǎo)體材料），人類可經(jīng)由溫度之變化、能量之激發(fā)及雜質(zhì)參入后改變其傳導(dǎo)特性，再配合了適當(dāng)?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運(yùn)用在人類的日常生活中。 162 SILICON NITRIDE 氯化硅 氮化硅是SixNY的學(xué)名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學(xué)氣相沉積法或電漿化學(xué)氣相沉積法所生成。前者所得之薄膜品質(zhì)較佳，通常作IC隔離氧化技術(shù)中的阻隔層，而后者品質(zhì)較差，但因其沉積時(shí)溫度甚低可以作IC完成主結(jié)構(gòu)后的保護(hù)層。 163 SMS （SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS） 半導(dǎo)體制造系統(tǒng) 此SMS – 半導(dǎo)體制造系統(tǒng)為德州儀器公司（TI）為輔助半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造而發(fā)展出的——計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)，其主要功能包含有：1） 制程變更控制2） 制程數(shù)據(jù)搜集與統(tǒng)計(jì)圖表3） 制程與操作規(guī)格制定4） 機(jī)臺(tái)維護(hù)追蹤5） 生產(chǎn)計(jì)劃制定6） 線上統(tǒng)計(jì)報(bào)表7） 在制品操作與追蹤8） 自動(dòng)化系統(tǒng)接口 164 SOFT WARE, HARD WARE 軟件 ,硬件 1. 定義：大略而言，所謂硬件可泛指像PC-BOARD，機(jī)臺(tái)外殼等一些零組件；而軟件一般指運(yùn)用程序，指令一套完整之控制系統(tǒng)，可經(jīng)由程序、指令之修改而修改，以人為例子，軟件就好比腦中之記憶、思想，可控制整個(gè)身體各部分之動(dòng)作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官；由以上之比喻，可知道軟件、硬件是相輔相成，缺一不可。近來(lái)尚有一種介于Software、Hardware之間，稱為Firm-Ware，他的功用，，就相當(dāng)于把軟件寫(xiě)入硬件(比如PROM)，以加快速度，因此軟、硬件間的區(qū)分也變得較不明顯了。 165 S.O.G.（SPIN ON GLASS） 旋制氧化硅 旋制氧化硅（Spin on Glass）是利用旋制芯片，將含有硅化物之溶液均勻地平涂與芯片上，在利用加熱方式與溶劑驅(qū)離，并將固體硅化物硬化程穩(wěn)定之非晶相氧化硅。其簡(jiǎn)單流程如下：旋轉(zhuǎn)平涂→加熱燒烤→高溫硬化（~450℃）旋制氧化硅是應(yīng)用在組件制造中，金屬層間之平坦化（Planization）。以增加層與層之間的結(jié)合特性，避免空洞之形成及膜之剝裂。 166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE） 縮小型J形腳包裝IC 因外腳彎成“J”字形，且外伸長(zhǎng)度較一般I.C.為小兒得名。是記憶I.C.的普遍化包裝形態(tài)，為配合表面粘著技術(shù)的高集積度要求而誕生。
167 SOLVENT 溶劑 1. 兩種物質(zhì)相互溶解成一種均勻的物質(zhì)時(shí)，較少的物質(zhì)被稱為溶質(zhì)，較多的物質(zhì)被稱為溶劑。例如：堂溶解于水中，變成糖水，則糖為溶質(zhì)，水為溶劑，緩和的結(jié)果稱為溶液。2. 溶劑分有機(jī)溶劑與無(wú)機(jī)溶劑兩種： 2-1有機(jī)溶劑：分子內(nèi)含有碳原子的稱為有機(jī)溶劑，例如丙酮 （CH3COCH3）、IPA（CH3CHOHCH3）。2-2無(wú)機(jī)溶劑：分子內(nèi)不含有碳原子的稱為無(wú)機(jī)溶劑，例如硫酸（H2SO4），氫氟酸（HF）3. 在FIB內(nèi)所通稱的溶劑，一般是只有機(jī)溶液而言。 168 SPECIFICATION（SPEC） 規(guī)范 規(guī)范是公司標(biāo)準(zhǔn)化最重要的項(xiàng)目之一，它規(guī)定了與生產(chǎn)有關(guān)事項(xiàng)的一切細(xì)節(jié)，包括機(jī)臺(tái)操作、潔凈室、設(shè)備、保養(yǎng)、材料、工具及配件、品管、可靠性、測(cè)試…等等。IC制造流程復(fù)雜。唯有把所有事項(xiàng)鉅細(xì)靡遺的規(guī)范清楚并確實(shí)遵照規(guī)范執(zhí)行，檢討規(guī)范是否合理可行，相關(guān)規(guī)范是否有沖突，已達(dá)自主管理及全員參與標(biāo)準(zhǔn)化之目的。 169 SPICE PARAMETER SPIC參數(shù) 1. 定義：SPICE是一個(gè)分析非線性DC、非線性瞬間AC和線性AC行為的電路仿真程序。其由各種不同的半導(dǎo)體組件模式計(jì)算之，有DIODES、BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等，利用此種模式計(jì)算仿真實(shí)際半導(dǎo)體電路的工作情形。而使用于這些模型上的計(jì)算參數(shù)統(tǒng)稱「SPICE參數(shù)」。目前由于公司使用之模式為HSPICE Level 2，故一般常說(shuō)之SPICE參數(shù)，即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的參數(shù)。 170 S.R.A（SPREADING RESISTENCE ANALYSIS） 展布電阻分析 在下列一些情況，可利用S.R.A.方法來(lái)得到其Resisitivity：(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas在測(cè)量Resistivity的方式有很多，但若要降低校正，則一定要使用到Point-Contact Probe的展布電阻。 171 SPUTTERING 濺鍍 濺鍍乃是帶能量的離子撞擊物體，致使表面的原子飛散出來(lái)，附著于基板上形成薄膜之現(xiàn)象。當(dāng)所加電流為直流時(shí)，稱為直流濺鍍（D.C SPUTTERING）：所加電流為射頻時(shí)，稱為射頻賤鍍(RADIO FREQUENCY SPUTTERING）?；诮?jīng)濟(jì)及效率觀點(diǎn)，氬氣為最常使用之氣體。當(dāng)氬氣被快速電子碰撞時(shí)產(chǎn)生氬離子，此時(shí)電子數(shù)目增加并且同時(shí)受電場(chǎng)再加速，以便再次進(jìn)行游離反應(yīng)，如此不去如同雪崩（AVALANCHE）一樣產(chǎn)生輝光放電（GLOW DIS CHARGE），氬氣離子受陰極（靶材）吸引，加速碰撞靶材，將表面原子打出而吸附在基本上。由于濺鍍有薄膜厚度容易控制、組織均勻、表面相當(dāng)平滑等優(yōu)點(diǎn)，因此被電子工業(yè)廣泛地使用。 172 SSER（SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST） 系統(tǒng)暫時(shí)性失效比率測(cè)試 Soft Error為所有發(fā)揮性組件之共有特性。對(duì)DRAM而言，每記憶細(xì)胞（Memory Cell）所存電荷（charge-to-sense）存在一刻開(kāi)關(guān)的接面（junction），以空乏（depleted）的狀態(tài)存在。當(dāng)該細(xì)胞有高能粒子源（e.g. α-particle From molding compound），使所存電荷消失或減少到無(wú)法偵測(cè)時(shí)，該細(xì)胞便暫時(shí)消失。 173 STEP COVERAGE 階梯覆蓋 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各層次間各項(xiàng)薄膜、沉積材料等，當(dāng)覆蓋、跨越過(guò)底下層次時(shí)，由于底下層次高低起伏不一及有線條粗細(xì)變化，會(huì)造成此薄膜、沉積材料在產(chǎn)品部分區(qū)域（如高低起伏交界處）覆蓋度會(huì)變差，此變差的程度，即為『STEP COVERAGE』一般系以厚度變化比表示： STEP COVERAGE =厚度最薄處/厚度 最厚處此比例越接近1越佳，反之越差，正常言均應(yīng)達(dá)50﹪以上。 174 STEPPER 步進(jìn)式對(duì)準(zhǔn)機(jī) 1. 定義：Stepper（步進(jìn)式對(duì)準(zhǔn)機(jī)）系Stepprojection aligner 之簡(jiǎn)稱。Stepper與Project aligner原理類似，只是將每片芯片分為20~60次曝光完成。Stepper使用自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)，不但迅速、精確，且可使用計(jì)算機(jī)計(jì)算、補(bǔ)償。對(duì)準(zhǔn)方式可分為Global、Die by Die、Advanced Global Alignment，此三種方式均可補(bǔ)償因芯片形變?cè)斐芍畬?duì)準(zhǔn)不良（如Run in/Run out）。Stepper亦可按縮影比例，分為1X、5X、10X三種。以最常見(jiàn)之5X為例，光罩上一條5u之直線，曝在芯片上，僅1μ而已。 175 SURFACE STATES 表面狀態(tài) 1.定義：表面狀態(tài)是介在Si-SiO2接口的政電荷，也叫做Interface States。形成表面狀態(tài)的原因，是作氧化步驟時(shí)Si會(huì)從表面移去而與O2反應(yīng)。當(dāng)氧化停止時(shí)，有些離子Si會(huì)留在靠近接口處。這些為完全鍵結(jié)的Si離子會(huì)沿著表面形成一條正電荷QSS。電荷大小決定于下列因素：氧化速度、后續(xù)熱處理步驟及Crystal Orientation。在｛111｝表面，良好的氧化步驟下，其表面狀態(tài)密度約為5×10 10 charges/㎝2（i.e.Qs s＝5×1010q）。而對(duì)于｛100｝的表面狀態(tài)密度約為｛111｝表面的1/3。 176 SWR（SPECIAL WORK REQUEST） SWR為特殊工作要求單。生產(chǎn)線為了區(qū)劃正常流程芯片和工程實(shí)驗(yàn)芯片，將工程師依規(guī)定申請(qǐng)實(shí)驗(yàn)的芯片批稱為SWR Lot，通常SWR Lot是用來(lái)解決制程問(wèn)題，或評(píng)估新機(jī)器、制程而試作的芯片。 177 TARGET 靶 一般用在金屬濺鍍（SPUTTERING）也就是以某種材料致造成各種形狀，因此『靶』當(dāng)作金屬薄膜濺鍍之來(lái)源。 178 TDDB（TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN） 介電質(zhì)層崩貴的時(shí)間依存性 利用介電質(zhì)崩潰時(shí)間（Time to Breakdown）TBD與外加電場(chǎng)（電壓）的線性模型，作加速測(cè)試（Accelerated Test），對(duì)產(chǎn)品（介電質(zhì)）壽命（Life Time）作一估算。TBD α e – β Eox ……….(1)AF = e – β (Eext – Eop) ……(2)Life Time = T-50 * AF …(3) 179 TECN(TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE） 臨時(shí)性制程變更通知 隨時(shí)工程變更通知（ECN）為工程師為了廣泛收集資料，或暫時(shí)解決制程問(wèn)題，而做的制程變更，此一臨時(shí)性的變更將注明有效期限，以利生產(chǎn)作業(yè)。 180 TEOS（TETRAETHYLOR THOSILICATE） 四乙基氧化硅 1. 化學(xué)式：Si (OC2 H5)4，與常溫下偉業(yè)體態(tài)。2. 用途：與經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后，可生成一層二氧化硅，在IC里通常被當(dāng)作絕緣層使用。3. 反應(yīng)方式：- 高溫低壓分解反應(yīng)- 高溫加入觸某媒分解反應(yīng)- 電漿促進(jìn)分解反應(yīng) 181 THRESHOLD VILTAGE 臨界電壓 定義：當(dāng)我們?cè)贛OS晶體管之源極（Source）和汲極（Drain）加一個(gè)固定偏壓后，再開(kāi)始調(diào)整閘極（Gate）對(duì)基質(zhì)（Substrate）的電壓，當(dāng)閘極電壓超過(guò)某一個(gè)值之后，源極和汲極就會(huì)產(chǎn)生電流而導(dǎo)通，則我們就稱此時(shí)的閘極電壓稱為臨界電壓（Threshold Voltage）。NMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為正。PMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為負(fù)。一般在制程上我們會(huì)影響臨界電壓的因素主要有二：A閘極氧化層厚度：Gate Oxide越厚，則VT（絕對(duì)值）越高。B基質(zhì)滲雜的濃度：VT值入Dose越高，則VT越高。 182 THROUGH PUT 產(chǎn)量 1. 定義：Through Put為單位工時(shí)之產(chǎn)出量，例如某機(jī)器每小時(shí)生產(chǎn)100片，則稱其Through Put為100片/每小時(shí)。如果每天運(yùn)作21小時(shí)，則每天的Through Put為2100片/天。IC工業(yè)系許多昂貴且精密的設(shè)備投資，故必須充分利用，維持生產(chǎn)的順暢，發(fā)揮其最大的效能。故高的Through Put為我們?cè)u(píng)估機(jī)器設(shè)備的一項(xiàng)很重要的因素之一。除了設(shè)備上發(fā)揮其最大產(chǎn)能外，必須要配合人為的力量：如流程安排、故障排除、…等，亦即必須“人機(jī)一體”才能發(fā)揮生產(chǎn)的整體效益，達(dá)到最高的生產(chǎn)力。 183 TMP（TI MEMORY PROTOTYPE，TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT） TI 記憶產(chǎn)品樣品（原型），TI內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 在TI的產(chǎn)品出貨控制（Productor Outgoing Control）中，以Qualification（資格審定）為期里程碑：(1) Qual以前：均為TMP產(chǎn)品。(2) Qual以后：分為TMS-A，TMS-B，TMS-C及Special，其可靠度保證。 184 TOX 氧化層厚度 TOX系THICKNESS OF OXIDE之縮寫(xiě)，即一般所謂氧化層厚度。通常于氮化硅蝕刻、復(fù)晶及接觸窗蝕刻完，均需作TOX之測(cè)量。藉以確認(rèn)該層次蝕刻完是否有過(guò)蝕刻或蝕刻不足之現(xiàn)象。 185 TROUBLE SHOOTING 故障排除 1. 定義：在生產(chǎn)過(guò)程，因?yàn)?M ，即設(shè)備、材料、人為、方法等，造成之一切問(wèn)題而阻礙生產(chǎn)，例如：機(jī)器當(dāng)機(jī)、制程異?！?。工程人員解決以上發(fā)生的問(wèn)題，使這些“障礙”消弭于無(wú)形謂之Trouble Shooting，故障排除。 186 UNDERCUT 底切度 1. 定義：所謂“底切度”（Undercut），乃是蝕刻時(shí)的專用術(shù)語(yǔ)，簡(jiǎn)單的說(shuō)，Undercut便是原來(lái)所定義出來(lái)的圖形間偏離度的大小。對(duì)于等向性蝕刻（Isotropic Etching）Undercut較大，而對(duì)于完全非等向性蝕刻（Full Anisotropic Etching），其Undercut等于零，亦即能忠實(shí)地將原圖形復(fù)制出來(lái)。 187 UNIFORMITY 均勻度 1. 定義：均勻度Uniformity是一種測(cè)量值的平均分布。藉以表示芯片內(nèi)各測(cè)量點(diǎn)的數(shù)值或是芯片與芯片間其測(cè)量值的變化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，線寬（C.D）在整片芯片內(nèi)或芯片間的分布。其表示方法如下：如測(cè)量芯片內(nèi)上中下左右與5點(diǎn)數(shù)據(jù)，5點(diǎn)平均值。Ｘ＝X1＋X2+X3+X4+X5/5均勻度Uniformity＝X m a x－X m 1m/2X×100﹪?yán)鐪y(cè)量T0x厚度共五點(diǎn)分布如下：510、525、540、515、520?則均勻度＝540-510/2×522（平均值）×100﹪＝2.8﹪均勻度越小，表示各點(diǎn)變化越小。亦即表示芯片制程品質(zhì)較佳，也是制程能力越好的表現(xiàn) 188 VACUUM 真空 1. 定義：真空系針對(duì)大氣而言一特定空間內(nèi)的部分氣體被排出，其大氣小于一大氣壓。表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱為一大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。真空技術(shù)中將真空一壓力大小分為四個(gè)區(qū)域：A粗略真空（Rough Vacuum）B中度真空（Medium Vacuum）C高真空（High Vacuum）D超高真空（Ultra- High Vacuum）2. 方法：在不同真空，氣體流動(dòng)的形式與傳導(dǎo)性等均有所差異，，簡(jiǎn)略而言：在粗略真空氣體的流動(dòng)稱之為黏滯流（Viscous Flow）。其氣體分子間碰撞頻繁，且運(yùn)動(dòng)具有方向性；在高真空或超高真空范圍，氣體流動(dòng)稱為分子流（Molecular Flow），其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數(shù)，氣體分子運(yùn)動(dòng)為隨意方向，不受抽氣方向影響。在熱導(dǎo)性方面：中度真空之壓力范圍其與壓力成正比關(guān)系，粗略真空與高真空區(qū)域則無(wú)此關(guān)系。 189 VACUUM PUMP 真空幫浦 凡能將特定空間內(nèi)的氣體去除以減低氣體分子數(shù)目，造成某種程度只真空狀態(tài)的機(jī)件，通稱為真空幫浦。目前生產(chǎn)機(jī)臺(tái)所使用的真空幫浦可分為抽吸式：旋片幫浦（ROTARY PUMP）、魯是幫浦（ROOTS PUMP），活塞幫浦（PISTON PUMP）、擴(kuò)散幫浦（DIFFUSION PUMP）。儲(chǔ)氣式：冷凍幫浦（CRYO PUMP）、離子幫浦（ION PUMP）。 190 VERNIER 游標(biāo)尺 1. 定義：用來(lái)讀取曝光制程中，本層次與前面層次之對(duì)準(zhǔn)情形是否良好。目前公司所用之游標(biāo)尺，在讀取之分辨率上可分為每格0.2μ及每格0.1μ者。目前只用在步進(jìn)式對(duì)準(zhǔn)機(jī)中以得到更佳之分辨率。游標(biāo)尺之設(shè)計(jì)因人而異，因此在讀取時(shí)是否方便、容易，端賴設(shè)計(jì)上之是否周詳。 191 VIA CONTACT 連接窗 『VIA CONTACT』連接窗，系指相同兩層材質(zhì)之間，如POLY（一）與POLY（二）之間，METAL（一）與METAL（二）之間欲直接相聯(lián)系時(shí)，必須在制程上挖出下層（如POLY（一），METAL（一）），窗來(lái)，讓上層（如POLY（二），METAL（二）能與下層相通）此窗即為連接窗，一般此做法系為節(jié)省晶方面積而設(shè)計(jì)，但因多了一層的關(guān)系，制程上會(huì)較復(fù)雜，我們DOUBLE METAL或DOUBLE POLY 制程即為一例。 192 VISCOSITY 黏度 『粘度』一詞專用于液體，意指當(dāng)液體接受切應(yīng)力時(shí)（指作用力方向與液體表面不垂直），液體就會(huì)產(chǎn)生變形，所以便定義『粘度』來(lái)表示液體產(chǎn)生變形程度的大小。粘度是可以調(diào)整的，因?yàn)橐后w受切應(yīng)力而變形是巨觀行為的表現(xiàn)，所以在液體完全兼容前提下，可以加入不同粘度的溶劑來(lái)調(diào)整粘度。 193 VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW） 垂直流層 在流體的流動(dòng)狀態(tài)中，可分為層流（Laminar Flow）及齊流（Turbulent Flow）兩種。一名叫Osborne Reynold的人利用一簡(jiǎn)易的實(shí)驗(yàn)將其界定，而雷諾數(shù)即為層流及齊流的界定值。一般流體流速較快者其流線（streamiline）分子易受干擾，且雷諾數(shù)大易形成齊流 ，反之，則易形成層流。（雷諾數(shù) = 慣性力 / 粘滯力）在無(wú)塵室芯片制造場(chǎng)所內(nèi)，其氣流為穩(wěn)定之層流，如此可將人員、機(jī)臺(tái)等所產(chǎn)生之微塵帶離。若為齊流，則微塵將滯留不去。因此在無(wú)塵室內(nèi)機(jī)臺(tái)的布置及人員的動(dòng)作都以盡量不使空氣流線產(chǎn)生齊流為原則。 194 WELL/TANK 井區(qū) WELL即井區(qū)。在IC中的組件MOSFET（即金氧半場(chǎng)效晶體管），常作兩型（N及P）相接的方式，即CMOS技術(shù)。此時(shí)為區(qū)分這兩種不同型的MOSFET，就須先擴(kuò)散兩個(gè)不同型的區(qū)域于IC中。此種區(qū)域即稱為WELL區(qū)。 195 WLRC（WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL） 晶圓層次（廠內(nèi)）可靠度控制 WLRC是取代“End-of-line-reliability”的一種全新的可靠度監(jiān)控方式，主要分為物性（In-line Scrap），如厚度、材料、應(yīng)力、接觸窗覆蓋率；另有電性（成品Scrap），如TDDB，CHC EM Stress等。茲比較如下： Charactoristic 1. 回饋（Feedback）時(shí)間2. 真正原因的回饋性3. Wafer Level Qual與Design-in-Reliability的應(yīng)用4. 產(chǎn)品報(bào)廢5. 加速系數(shù)及準(zhǔn)確性WLRC1. 快，使產(chǎn)品損失減到最低2. 良好，能馬上找出問(wèn)題所在3. 卓越4. 較多5. 高，較差End-OF-Line-Reliability1. 慢，出問(wèn)題時(shí)已大量產(chǎn)品被影響2. 困難，因包裝后產(chǎn)品的Data Association（資料聯(lián)結(jié)性）已破壞，不易找出真正原因。3. 困難4. 少5. 低，高 196 WLQC（WAFER LEVEL QUALITY CONTROL ） 晶圓層次（廠內(nèi)）品質(zhì)控制 先定義：客戶眼中的品質(zhì)：產(chǎn)品有問(wèn)題，就是品質(zhì)不良我們眼中的品質(zhì)：出廠前看得到，量得到的問(wèn)題，才是品質(zhì)（Quality）我們眼中的可靠度：出廠前看不到，又不能直接量得到的問(wèn)題，在客戶手中欲發(fā)生問(wèn)題，是可靠度（Reliability）所以，WLQC是針對(duì)一切廠內(nèi)可直接測(cè)之（time-zero measurement），對(duì)品質(zhì)有所影響的參數(shù)進(jìn)行篩選及分類。對(duì)外，使出貨品質(zhì)分布集中、均勻（假設(shè)某可靠特性不變）。對(duì)內(nèi)，回饋廠內(nèi)，增進(jìn)制造品質(zhì)。 197 X-RAY LITHOGRAPHY X光微影技術(shù) 1. 定義：在次微米微影成像技術(shù)中，X-射線微影技術(shù)備受矚目。由于X-射線之波長(zhǎng)甚短（約4~10?），故可得甚佳之解析力，同時(shí)亦無(wú)干涉及繞射現(xiàn)象，因此可制作次微米線寬之IC圖案。這種以X-射線為曝光光源之微影技術(shù)目前仍在開(kāi)發(fā)中。由于X-射線穿透力甚強(qiáng)，，其光照?qǐng)D案不再是鉻膜，而是一般大都為“金”。 198 YELLOW ROOM 黃光室 黃光室（Yellow Room）就是所有光源（照明用）均為黃色光波波長(zhǎng)者之區(qū)域。由于IC晶方內(nèi)之圖案均有賴光阻劑（Photo resist）覆蓋在芯片上，再經(jīng)曝光，顯影而定型；而此光阻劑遇光線照射，尤其是紫外線（UV）即有曝光之效果，因此在顯影完畢以前之生產(chǎn)，均宜遠(yuǎn)離此類光源。黃光之光波較長(zhǎng)，使光阻劑曝光之效果很低，因此乃作為顯影前之照明光源。 Fab中PIE要略微比PE和EE好一些，相對(duì)進(jìn)fab的機(jī)會(huì)要少。 通常講Fab的工作環(huán)境比較惡劣，那就是指Module和MFG。因?yàn)镻IE可以比較少進(jìn)Fab，所以PIE雖然也會(huì)比較忙，但是接觸到輻射、化學(xué)藥品的機(jī)會(huì)要少很多。
一般本科畢業(yè)生如果去MFG的話會(huì)做線上的Super，帶領(lǐng)Leader和一群小妹干活。除非你從此不想和技術(shù)打交道，否則不要去MFG。只有想將來(lái)做管理的人或者還會(huì)有些興趣，因?yàn)楦鱾€(gè)不同區(qū)域的MFG都是可以互換的，甚至不同產(chǎn)業(yè)的制造管理都是一樣的。Fab的MFG Supper在封裝、測(cè)試廠，在TFT/LCD廠，在所有的生產(chǎn)制造型企業(yè)都可以找到相關(guān)合適的位置。和人打交道，這是管理的核心，而在MFG，最重要的就是和人打交道。你會(huì)和EE吵架，和PE吵架，和PIE吵架，被Q的人聞?dòng)崳梢孕蘩鞹D的弟兄，不過(guò)比較會(huì)惹不起PC（Production Control）。喜歡吵架的弟兄可能會(huì)樂(lè)此不疲，因?yàn)镸FG和別人吵架基本不會(huì)吃虧。 在Fab里有三個(gè)“第一”：安全第一，客戶第一，MFG第一。所以只要和安全以及客戶沒(méi)有關(guān)系，MFG就是最大的，基本可以橫著走。PIE能夠和MFG抗?fàn)幍奈ㄒ粌?yōu)勢(shì)，也就是他們可以拿客戶來(lái)壓MFG。MFG在獎(jiǎng)金等方面說(shuō)話的聲音比較大，一般而言，獎(jiǎng)金優(yōu)先發(fā)放給MFG，因?yàn)樗麄冏钚量?。MFG的Super需要倒班，做二休二，12小時(shí)12小時(shí)的輪，在休息的時(shí)候還會(huì)被拖過(guò)來(lái)學(xué)習(xí)、寫(xiě)報(bào)告什么的，所以平均下來(lái)一周工作的時(shí)間至少在50小時(shí)以上。上白班的還好，但是上晚班的生物鐘會(huì)被弄的比較亂。MFG做常日的Super會(huì)好一些。 不建議碩士以及以上學(xué)歷的弟兄去MFG。 Module的工程師主要分成兩大類：制程（工藝）和設(shè)備。也就是所謂PE和EE。基本上無(wú)論哪個(gè)Module都會(huì)有這樣的兩類工程師。 制程工程師，也就是工藝工程師，也就是PE。他們主要負(fù)責(zé)Fab中各類工藝參數(shù)和程式的設(shè)定。一個(gè)穩(wěn)定的Fab必然需要大量資深的PE在。PE的工作狀況和EE不同，他們將面對(duì)多個(gè)部門的壓力，MFG和PIE是“壓迫”PE最多的兩伙人。而Q的弟兄也會(huì)讓PE非常痛苦，時(shí)常竄出來(lái)搞亂的TD工程師常常會(huì)把PE搞得抓狂。然后在PE和EE之間存在大量的灰色地帶，這個(gè)事情究竟誰(shuí)做？雙方吵架的機(jī)會(huì)也是大把大把。
PE和Vendor打交道的機(jī)會(huì)也比較多，無(wú)論是機(jī)臺(tái)的Vendor還是Material的Vendor。熟悉之后，跳槽出去做Vendor的PE也不少。通常而言，EE去做Vendor還是修機(jī)器，而PE常常會(huì)搖身一變成了Sales。許多出去買Material的PE現(xiàn)在富的流油（因?yàn)橛刑岢桑?，尤其以賣CMP研磨液的弟兄為最好，賣靶材和光阻的就差了不少。 PE也是需要在Fab里面常常待的，要tuning出好的程式也需要付出很大的代價(jià)。以Diff為例子，每個(gè)run都要以小時(shí)計(jì)算，無(wú)論是uniformity、Defect、Quality都需要被考量，而且最后還要得到PIE電性數(shù)據(jù)的Support。 Fab里面出什么問(wèn)題，MFG無(wú)法界定的時(shí)候，第一個(gè)通知的就是值班PE。 每當(dāng)一個(gè)新的制程在開(kāi)發(fā)的時(shí)候，無(wú)論是PIE主導(dǎo)還是TD主導(dǎo)，PE都累得像條狗一樣，操勞過(guò)度，而且還要陪著笑臉向制造部的Leader借機(jī)臺(tái)，一不小心就付出請(qǐng)客喝水的代價(jià)。只有少數(shù)資深的PE敢于把PIE或者TD罵一頓然后罰他們自己去借機(jī)臺(tái)的。許多PRS數(shù)據(jù)都需要切片，PE就只好在FA Lab陪伴切片的小妹度過(guò)一個(gè)個(gè)不眠之夜——尤其以ETCH的弟兄最為痛苦，當(dāng)年的liaoduan他們就切片切的昏天黑地。最后怒了，就拿了把西瓜刀去找PIE進(jìn)行黑社會(huì)談判，好不容易分了一部分活出去。 PE要值夜班，EE值班的時(shí)候，如果機(jī)臺(tái)沒(méi)問(wèn)題就可以瞇段時(shí)間，反正半夜也沒(méi)有老板在。但是機(jī)臺(tái)沒(méi)有問(wèn)題不代表Wafer沒(méi)有問(wèn)題，實(shí)際上Fab中Wafer出的問(wèn)題千奇百怪，匪夷所思。所以PE的值班手機(jī)從來(lái)就不會(huì)閑下來(lái)，在Fab中最忙的值班電話通常是CMP、YE和PHOTO的值班手機(jī)。 什么叫做痛苦，當(dāng)你作為一個(gè)PE在Fab里接到Y(jié)E的報(bào)警電話的時(shí)候就會(huì)有一種生不如死的感覺(jué)。完了，今天的值班一定沒(méi)好日子過(guò)了…… PE同樣面對(duì)Fab中的不良環(huán)境，所以要注意身體，在有了小弟小妹之后就盡量少進(jìn)Fab。 回頭再講講PIE。表面上看起來(lái)，PIE要比PE/EE都快活，他們?cè)贔ab里工作的絕對(duì)時(shí)間要遠(yuǎn)少于PE和EE。對(duì)于PE來(lái)講，PIE簡(jiǎn)直就是最可惡的人之一，成天忽發(fā)奇想，給出奇奇怪怪的各項(xiàng)指令，然后還不停的來(lái)騷擾自己，要這樣做，要那樣做，簡(jiǎn)直像一大堆蒼蠅。而且自己還不能像對(duì)待TD一樣直截了當(dāng)?shù)膕ay no。然后還要看我的SPC，幫著Q這些人來(lái)Review自己，簡(jiǎn)直討厭透了。 一只秒表走天下的IE TD = Technology Develop IC設(shè)計(jì) CVD
晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個(gè)無(wú)塵室，為何需要無(wú)塵室 答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷 何謂半導(dǎo)體? 答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場(chǎng)來(lái)控制其之導(dǎo)電性。 常用的半導(dǎo)體材料為何 答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa) 何謂VLSI 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大規(guī)模集成電路 在半導(dǎo)體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺 答：介電質(zhì)(Dielectric) 薄膜區(qū)機(jī)臺(tái)主要的功能為何 答：沉積介電質(zhì)層及金屬層 何謂CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一種利用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程 CVD分那幾種? 答：PE-CVD(電漿增強(qiáng)型)及Thermal-CVD(熱耦式) 為什幺要用鋁銅(AlCu)合金作導(dǎo)線? 答：良好的導(dǎo)體僅次于銅 介電材料的作用為何? 答：做為金屬層之間的隔離 何謂PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅與第一個(gè)金屬層的介電質(zhì) 何謂IMD(Inter-Metal Dielectric) 答：金屬層間介電質(zhì)層。 何謂USG? 答：未摻雜的硅玻璃(Undoped Silicate Glass) 何謂FSG? 答：摻雜氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何謂BPSG? 答：摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass) 何謂TEOS? 答：Tetraethoxysilane用途為沉積二氧化硅 TEOS在常溫時(shí)是以何種形態(tài)存在? 答：液體 二氧化硅其K值為3.9表示何義 答：表示二氧化硅的介電質(zhì)常數(shù)為真空的3.9倍 氟在CVD的工藝上，有何應(yīng)用 答：作為清潔反應(yīng)室(Chamber)用之化學(xué)氣體 簡(jiǎn)述Endpoint detector之作用原理. 答：clean制程時(shí),利用生成物或反應(yīng)物濃度的變化,因其特定波長(zhǎng)光線被 detector 偵測(cè)到強(qiáng)度變強(qiáng)或變?nèi)?當(dāng)超過(guò)某一設(shè)定強(qiáng)度時(shí),即定義制程結(jié)束而該點(diǎn)為endpoint. 機(jī)臺(tái)使用的管件材料主要有那些? 答：有不銹鋼制(Stainless Steal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種. 機(jī)器維修時(shí)要放置停機(jī)維修告示牌目的為何? 答：告知所有的人勿操作機(jī)臺(tái)，避免危險(xiǎn) 機(jī)臺(tái)維修至少兩人配合，有何目的? 答：幫忙拆卸重物，并隨時(shí)警戒可能的意外發(fā)生 更換過(guò)任何氣體管路上的零件之后，一定要做何動(dòng)作? 答：用氦氣測(cè)漏機(jī)來(lái)做測(cè)漏 維修尚未降至室溫之反應(yīng)室(Chamber)，應(yīng)配帶何種手套 答：石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在80攝式度下始可動(dòng)作 何為真空(Vacuum)?半導(dǎo)體業(yè)常用真空單位是什幺? 答：半導(dǎo)體業(yè)通常用Torr作為真空的壓力單位,一大氣壓相當(dāng)760Torr,低于760Torr壓力的環(huán)境稱為真空. 真空Pump的作用？ 答：降低反應(yīng)室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力 何謂內(nèi)部連鎖(Interlock) 答：機(jī)臺(tái)上interlock有些屬于保護(hù)操作人員的安全,有些屬于水電氣等規(guī)格訊號(hào),用以保護(hù)機(jī)臺(tái). 機(jī)臺(tái)設(shè)定許多interlock有何作用? 答：機(jī)臺(tái)上interlock主要避免人員操作錯(cuò)誤及防止不相關(guān)人員動(dòng)作. Wafer Scrubber的功能為何? 答：移除芯片表面的污染粒子 ETCH PHOTO FAC |
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來(lái)自： Taylor > 《知識(shí)管理》
