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數(shù)字邏輯的電平標(biāo)準(zhǔn)

 Taylor 2007-11-16

數(shù)字邏輯的電平標(biāo)準(zhǔn)(轉(zhuǎn)載)

上一篇 / 下一篇  2007-04-19 12:33:17 / 天氣: 晴朗 / 心情: 高興

常用電平標(biāo)準(zhǔn)

現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項(xiàng)。

  TTL:Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。
    Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
    因?yàn)?.4V與5V之間還有很大空閑,對改善噪聲容限并沒什么好處,又會白白增大系統(tǒng)功耗,還會影響速度。所以后來就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
    LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低電壓的LVTTL(Low Voltage TTL)。

  3.3V LVTTL:
    Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。

  2.5V LVTTL:
    Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
    更低的LVTTL不常用。多用在處理器等高速芯片,使用時查看芯片手冊就OK了。

  TTL使用注意:TTL電平一般過沖都會比較嚴(yán)重,可能在始端串22歐或33歐電阻;              
  TTL電平輸入腳懸空時是內(nèi)部認(rèn)為是高電平。要下拉的話應(yīng)用1k以下電阻下拉。TTL輸出不能驅(qū)動CMOS輸入。

  CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor   PMOS+NMOS。
    Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
    相對TTL有了更大的噪聲容限,輸入阻抗遠(yuǎn)大于TTL輸入阻抗。對應(yīng)3.3V LVTTL,出現(xiàn)了LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅(qū)動。

    3.3V LVCMOS:
    Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。

    2.5V LVCMOS:
    Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

    CMOS使用注意:CMOS結(jié)構(gòu)內(nèi)部寄生有可控硅結(jié)構(gòu),當(dāng)輸入或輸入管腳高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)時,電流足夠大的話,可能引起閂鎖效應(yīng),導(dǎo)致芯片的燒毀。

  ECL:Emitter Coupled Logic 發(fā)射極耦合邏輯電路(差分結(jié)構(gòu))
    Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。
    速度快,驅(qū)動能力強(qiáng),噪聲小,很容易達(dá)到幾百M(fèi)的應(yīng)用。但是功耗大,需要負(fù)電源。為簡化電源,出現(xiàn)了PECL(ECL結(jié)構(gòu),改用正電壓供電)和LVPECL。

    PECL:Pseudo/Positive ECL
    Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V

    LVPELC:Low Voltage PECL
    Vcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V

    ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同電平不能直接驅(qū)動。中間可用交流耦合、電阻網(wǎng)絡(luò)或?qū)S眯酒M(jìn)行轉(zhuǎn)換。以上三種均為射隨輸出結(jié)構(gòu),必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用于時鐘的LVPECL:直流匹配時用130歐上拉,同時用82歐下拉;交流匹配時用82歐上拉,同時用130歐下拉。但兩種方式工作后直流電平都在1.95V左右。)

  前面的電平標(biāo)準(zhǔn)擺幅都比較大,為降低電磁輻射,同時提高開關(guān)速度又推出LVDS電平標(biāo)準(zhǔn)。
  
LVDS:Low Voltage Differential Signaling

  差分對輸入輸出,內(nèi)部有一個恒流源3.5-4mA,在差分線上改變方向來表示0和1。通過外部的100歐匹配電阻(并在差分線上靠近接收端)轉(zhuǎn)換為±350mV的差分電平。

  LVDS使用注意:可以達(dá)到600M以上,PCB要求較高,差分線要求嚴(yán)格等長,差最好不超過10mil(0.25mm)。100歐電阻離接收端距離不能超過500mil,最好控制在300mil以內(nèi)。


  其他的一些:

    CML:是內(nèi)部做好匹配的一種電路,不需再進(jìn)行匹配。三極管結(jié)構(gòu),也是差分線,速度能達(dá)到3G以上。只能點(diǎn)對點(diǎn)傳輸。

    GTL:類似CMOS的一種結(jié)構(gòu),輸入為比較器結(jié)構(gòu),比較器一端接參考電平,另一端接輸入信號。1.2V電源供電。
    Vcc=1.2V;VOH>=1.1V;VOL<=0.4V;VIH>=0.85V;VIL<=0.75V
PGTL/GTL+:
    Vcc=1.5V;VOH>=1.4V;VOL<=0.46V;VIH>=1.2V;VIL<=0.8V

    HSTL是主要用于QDR存儲器的一種電平標(biāo)準(zhǔn):一般有V&not;CCIO=1.8V和V&not;&not;CCIO=1.5V。和上面的GTL相似,輸入為輸入為比較器結(jié)構(gòu),比較器一端接參考電平(VCCIO/2),另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。

    SSTL主要用于DDR存儲器。和HSTL基本相同。V&not;&not;CCIO=2.5V,輸入為輸入為比較器結(jié)構(gòu),比較器一端接參考電平1.25V,另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。

    RS232采用±12-15V供電,我們電腦后面的串口即為RS232標(biāo)準(zhǔn)。+12V表示0,-12V表示1??梢杂肕AX3232等專用芯片轉(zhuǎn)換,也可以用兩個三極管加一些外圍電路進(jìn)行反相和電壓匹配。
RS485是一種差分結(jié)構(gòu),相對RS232有更高的抗干擾能力。傳輸距離可以達(dá)到上千米。

差分信號 LVDS

1 差分信號

    差分信號用一個數(shù)值來表示兩個物理量之間的差異。從嚴(yán)格意義上講,所有電壓信號都是差分的,因?yàn)橐粋€電壓只能相對于另一個電壓而言。在某些系統(tǒng)里,系統(tǒng)‘地’被用作電壓基準(zhǔn)點(diǎn)。當(dāng)‘地’作為電壓測量基準(zhǔn)時,這種信號規(guī)劃被稱為單端的。使用該術(shù)語是因信號采用單個導(dǎo)體上的電壓來表示的;另一方面,一個差分信號作用在兩個導(dǎo)體上。信號值是兩個導(dǎo)體間的電壓差。盡管不是非常必要,這兩個電壓的平均值還是會經(jīng)常保持一致。

    差分信號具有如下優(yōu)點(diǎn):

(1)因?yàn)榭梢钥刂?#8220;基準(zhǔn)”電壓,所以很容易識別小信號。從差分信號恢復(fù)的信號值在很大程度上與‘地’的精確值無關(guān),而在某一范圍內(nèi)。

(2)它對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的。一個干擾源幾乎相同程度地影響差分信號對的每一端。既然電壓差異決定信號值,這樣將忽視在兩個導(dǎo)體上出現(xiàn)的任何同樣干擾。

(3)在一個單電源系統(tǒng),能夠從容精確地處理‘雙極’信號。為了處理單端、單電源系統(tǒng)的雙極信號,必須在地與電源干線之間任意電壓處(通常是中點(diǎn))建立一個虛地。用高于虛地的電壓表示正極信號,低于虛地的電壓表示負(fù)極信號。必須把虛地正確分布到整個系統(tǒng)里。而對于差分信號,不需要這樣一個虛地,這就使處理和傳播雙極信號有一個高逼真度,而無須依賴虛地的穩(wěn)定性。

LVDS、PECL、RS-422等標(biāo)準(zhǔn)都采取差分傳輸方式。

2 LVDS總線

LVDS(Low Voltage Differential Signaling)是一種小振幅差分信號技術(shù)。LVDS在兩個標(biāo)準(zhǔn)中定義:1996年3月通過的IEEE P1596.3主要面向SCI(Scalable Coherent Interface),定義了LVDS的電特性,還定義了SCI協(xié)議中包交換時的編碼;1995年11月通過的ANSI/EIA/EIA-644主要定義了LVDS的電特性,并建議655Mbps的最大速率和1.923Gbps的小失真理論極限速率。在兩個標(biāo)準(zhǔn)中都指定了與傳輸介質(zhì)無關(guān)的特性。只要傳輸介質(zhì)在指定的噪聲容限和可允許時鐘偏斜的范圍內(nèi)發(fā)送信號到接收器,接口都能正常工作。可用于服務(wù)器、可堆壘集線器、無線基站、ATM交換機(jī)及高分辨率顯示等,也可用于通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。

2.1 LVDS工作原理

1

圖1為LVDS的原理簡圖,其驅(qū)動器由一個恒流源(通常為3.5mA)驅(qū)動一對差分信號線組成。在接收端有一個高的直流輸入阻抗(幾乎不會消耗電流),幾乎全部的驅(qū)動電流將流經(jīng)100Ω的接收端電阻在接收器輸入端產(chǎn)生約350mV的電壓。當(dāng)驅(qū)動狀態(tài)反轉(zhuǎn)時,流經(jīng)電阻的電流方向改變,于是在接收端產(chǎn)生有效的“0”或“1”邏輯狀態(tài)。

2.2 LVDS技術(shù)優(yōu)勢

(1)高速度:LVDS技術(shù)的恒流源模式低擺幅輸出意味著LVDS能高速切換數(shù)據(jù)。例如,對于點(diǎn)到點(diǎn)的連接,傳輸速率可達(dá)數(shù)百M(fèi)bps。

(2)高抗噪性能:噪聲以共模方式在一對差分線上耦合出現(xiàn),并在接收器中相減從而可消除噪聲。這也是差分傳輸技術(shù)的共同特點(diǎn)。

(3)低電壓擺幅:使用非常低的幅度信號(約350mV)通過一對差分PCB走線或平衡電纜傳輸數(shù)據(jù)。LVDS的電壓擺幅是PECL的一半,是RS-422的1/10;由于是低擺幅差分信號技術(shù),其驅(qū)動和接收不依賴于供電電壓,因此,LVDS可應(yīng)用于低電壓系統(tǒng)中,如5V、3.3V甚至2.5V。

(4)低功耗:接收器端的100Ω阻抗功率僅僅為1.2mV。RS-422接收器端的100Ω阻抗功率為90mV,是LVDS的75倍!LVDS器件采用CMOS工藝制造,CMOS工藝的靜態(tài)功耗極小。LVDS驅(qū)動器和接收器所需的靜態(tài)電流大約是PECL/ECL器件的1/10。LVDS驅(qū)動器采用恒流源驅(qū)動模式,這種設(shè)計(jì)可以減少1cc中的頻率成分。從1cc與頻率關(guān)系曲線圖上可以看到在10MHz~100MHz之間,曲線比較平坦;而TTL/CMOS以及GTL接收器件的動態(tài)電流則隨著頻率地增加呈指數(shù)增長,因?yàn)楣β适请娏鞯亩魏瘮?shù),所以動態(tài)功耗將隨著頻率的提高而大幅度提高(見圖2)。

2

(5)低成本:LVDS芯片是標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)技術(shù),集成度高;接收端阻抗小,連線簡單,節(jié)省了電阻電容等外圍元件;低能耗;LVDS總線串行傳輸數(shù)據(jù),LVDS芯片內(nèi)部集成了串化器或解串器,與并行數(shù)據(jù)互聯(lián)相比,節(jié)省了約50%的電纜、接口及PCB制作成本。此外,由于連接關(guān)系大大簡化,也節(jié)省了空間。

(6)低噪聲:由于兩條信號線周圍的電磁場相互抵消,故比單線信號傳輸電磁輻射小得多。恒流源驅(qū)動模式不易產(chǎn)生振鈴和切換尖鋒信號,進(jìn)一步降低了噪聲。
 
 
 
 
 
通訊電平標(biāo)準(zhǔn) [轉(zhuǎn)貼 2007-06-21 18:12:38 ] 發(fā)表者: pengfei8854066   
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現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項(xiàng)。
      TTL:Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。
      VCC:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
      因?yàn)?.4V與5V之間還有很大空閑,對改善噪聲容限并沒什么好處,又會白白增大系統(tǒng)功耗,還會影響速度。所以后來就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
      LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低電壓的LVTTL(Low Voltage TTL)。
      3.3V LVTTL:
      VCC:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
      2.5V LVTTL:
      VCC:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
      更低的LVTTL不常用就先不講了。多用在處理器等高速芯片,使用時查看芯片手冊就OK了。
      TTL使用注意:TTL電平一般過沖都會比較嚴(yán)重,可能在始端串22歐或33歐電阻;             
      TTL電平輸入腳懸空時是內(nèi)部認(rèn)為是高電平。要下拉的話應(yīng)用1k以下電阻下拉。TTL輸出不能驅(qū)動CMOS輸入。
      CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor  PMOS+NMOS。
      VCC:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
      相對TTL有了更大的噪聲容限,輸入阻抗遠(yuǎn)大于TTL輸入阻抗。對應(yīng)3.3V LVTTL,出現(xiàn)了LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅(qū)動。
      3.3V LVCMOS:
      VCC:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
      2.5V LVCMOS:
      VCC:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
      CMOS使用注意:CMOS結(jié)構(gòu)內(nèi)部寄生有可控硅結(jié)構(gòu),當(dāng)輸入或輸入管腳高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)時,電流足夠大的話,可能引起閂鎖效應(yīng),導(dǎo)致芯片的燒毀。
      ECL:Emitter Coupled Logic 發(fā)射極耦合邏輯電路(差分結(jié)構(gòu))
      VCC=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。
      速度快,驅(qū)動能力強(qiáng),噪聲小,很容易達(dá)到幾百M(fèi)的應(yīng)用。但是功耗大,需要負(fù)電源。為簡化電源,出現(xiàn)了PECL(ECL結(jié)構(gòu),改用正電壓供電)和LVPECL。
      PECL:Pseudo/Positive ECL
      VCC=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V
      LVPELC:Low Voltage PECL
      VCC=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V
      ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同電平不能直接驅(qū)動。中間可用交流耦合、電阻網(wǎng)絡(luò)或?qū)S眯酒M(jìn)行轉(zhuǎn)換。以上三種均為射隨輸出結(jié)構(gòu),必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用于時鐘的LVPECL:直流匹配時用130歐上拉,同時用82歐下拉;交流匹配時用82歐上拉,同時用130歐下拉。但兩種方式工作后直流電平都在1.95V左右。)
      前面的電平標(biāo)準(zhǔn)擺幅都比較大,為降低電磁輻射,同時提高開關(guān)速度又推出LVDS電平標(biāo)準(zhǔn)。
      LVDS:Low Voltage Differential Signaling
      差分對輸入輸出,內(nèi)部有一個恒流源3.5-4mA,在差分線上改變方向來表示0和1。通過外部的100歐匹配電阻(并在差分線上靠近接收端)轉(zhuǎn)換為±350mV的差分電平。
      LVDS使用注意:可以達(dá)到600M以上,PCB要求較高,差分線要求嚴(yán)格等長,差最好不超過10mil(0.25mm)。100歐電阻離接收端距離不能超過500mil,最好控制在300mil以內(nèi)。
      下面的電平用的可能不是很多,篇幅關(guān)系,只簡單做一下介紹。如果感興趣的話可以聯(lián)系我。
      CML:是內(nèi)部做好匹配的一種電路,不需再進(jìn)行匹配。三極管結(jié)構(gòu),也是差分線,速度能達(dá)到3G以上。只能點(diǎn)對點(diǎn)傳輸。
      GTL:類似CMOS的一種結(jié)構(gòu),輸入為比較器結(jié)構(gòu),比較器一端接參考電平,另一端接輸入信號。1.2V電源供電。
      VCC=1.2V;VOH>=1.1V;VOL<=0.4V;VIH>=0.85V;VIL<=0.75V
      PGTL/GTL+:
      VCC=1.5V;VOH>=1.4V;VOL<=0.46V;VIH>=1.2V;VIL<=0.8V
      HSTL是主要用于QDR存儲器的一種電平標(biāo)準(zhǔn):一般有V&not;CCIO=1.8V和V&not;&not;CCIO=1.5V。和上面的GTL相似,輸入為輸入為比較器結(jié)構(gòu),比較器一端接參考電平(VCCIO/2),另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。
      SSTL主要用于DDR存儲器。和HSTL基本相同。V&not;&not;CCIO=2.5V,輸入為輸入為比較器結(jié)構(gòu),比較器一端接參考電平1.25V,另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。
      HSTL和SSTL大多用在300M以下。
      RS232和RS485基本和大家比較熟了,只簡單提一下:
         
      232采用±12-15V供電,我們電腦后面的串口即為RS232標(biāo)準(zhǔn)。+12V表示0,-12V表示1。可以用MAX3232等專用芯片轉(zhuǎn)換,也可以用兩個三極管加一些外圍電路進(jìn)行反相和電壓匹配。
          485是一種差分結(jié)構(gòu),相對RS232有更高的抗干擾能力。傳輸距離可以達(dá)到上千米。
 
 
 
 
 

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